竹田 美和 | 名大院工
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概要
関連著者
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竹田 美和
名大院工
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藤原 康文
名大院工
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藤原 康文
大阪大学大学院工学研究科マテリアル生産科学専攻
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藤原 康文
名大工
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小泉 淳
名大院工
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中村 新男
名大院工
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太田 仁
神戸大VBL
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平加 憲作
神戸大自然
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太田 仁
神戸大理
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浦川 知佳
神戸大理
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小出 辰彦
名大院工
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吉川 順子
神戸大自然
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浜中 泰
名大院工
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国本 崇
神戸大vbl
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川本 武司
名大院工
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吉田 誠
東大物性研
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大久保 晋
神戸大分子フォトセ
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吉田 誠
神戸大VBL
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大西 宏幸
名大院工
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山川 市朗
名大院工
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藤原 康文
大阪大学 大学院工学研究科 マテリアル生産科学専攻
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大賀 涼
名古屋大学エコトピア科学研究機構ベンチャー・ビジネス・ラボラトリー
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田名瀬 勝也
名古屋大学大学院工学研究科
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野々垣 陽一
岡崎国立共同研究機構分子科学研究所
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小山 良平
神戸大自然
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吉川 順子
神戸大理
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大賀 涼
名古屋大学ベンチャー・ビジネス・ラボラトリー
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大久保 晋
神戸大理
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大久保 晋
神戸大VBL
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藤原 康文
阪大院工
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小泉 淳
名大VBL
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中島 裕輔
神戸大理:神戸大vbl
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田中 信夫
名大院工
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伊藤 隆
名大院工
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磯貝 佳孝
名大院工
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太田 仁
神戸大学分子フォトサイエンス研究センター
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中村 新男
名大理工総研
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阿山 みよし
宇都宮大学大学院工学研究科
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田中 秀和
阪大産研
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大沢 通夫
富士電機アドバンストテクノロジー(株)
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小池 洋二
東北大工
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秋永 広幸
産総研ナノ機能合成プロ
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安藤 康夫
東北大学大学院工学研究科応用物理学専攻
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宮崎 照宣
東北大学原子分子材料科学高等研究機構(WPI)
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吉田 隆
名大工
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斗内 政吉
阪大超伝導フォトニクス
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安藤 康夫
東北大工
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加藤 政彦
名大院工
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竹田 美和
名大工
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向田 昌志
山形大学工学部
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川瀬 晃道
理化学研究所
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川瀬 晃道
理研
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尾崎 雅則
阪大院・工
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尾崎 雅則
阪大・工
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塩沢 学
名古屋大学大学院工学研究科
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和田 隆博
龍谷大理工
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木村 英樹
東海大学
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山本 公
アルバック・ファイ(株)
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秋永 広幸
産総研
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伊藤 貴文
名大院工
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財満 鎭明
名古屋大学大学院工学研究科
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山内 武志
名古屋大学工学研究科応用物理学専攻
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毛塚 博史
東京工科大
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三木 一司
物材機構
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國本 崇
徳島文理大工
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松波 紀明
名大エコトピア研
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勝山 俊夫
東大生研ナノエレ連携研
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八井 浄
長岡技術科学大学極限エネルギー密度工学研究センター
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進藤 春雄
東海大
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田村 收
産総研
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伊藤 雅英
筑波大
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馬場 俊彦
横国大
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藤田 安彦
都立工業高専
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小笠原 宗博
東芝研開セ
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筒井 哲夫
九大院総理工
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小川 真一
松下電器半導体社
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粟野 祐二
富士通研
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藤田 静雄
京大国際融合創造セ
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脇坂 健一郎
三洋電機
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佐藤 芳之
NTT-AT
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白井 肇
埼玉大
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林 康明
京都工繊大工芸
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岡本 隆之
理研
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梶川 浩太郎
東工大
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財満 鎭明
名大
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影島 愽之
NTT物性科学基礎研究所
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鳥海 明
東大
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金田 千穂子
富士通研
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川田 善正
静岡大
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山本 哲也
高知工大
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酒井 朗
名大院工
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櫻庭 政夫
東北大通研
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中川 清和
山梨大工
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梶川 靖友
島根大総理工
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小田中 紳二
阪大
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田中 三郎
豊橋技大
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王 鎮
情報通信研究機構
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芝山 敦史
ニコン
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佐波 俊哉
KEK
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栖原 敏明
阪大
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宮崎 照宣
東北大院工
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安藤 康夫
東北大院工
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松本 仁
防衛大材料
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鵜殿 治彦
茨城大工
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末益 崇
筑波大物理工
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鈴木 恒則
東海大理
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喜岡 俊英
東理大工
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福井 孝志
北大量集センタ
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高橋 庸夫
NTT物性基礎研
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岡田 勝行
物材機構
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尾松 孝茂
千葉大
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栗村 直
物材機構
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松尾 二郎
京大
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藤原 巧
長岡技科大
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白谷 正治
九大院システム情報
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向田 昌志
山形大
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三木 一司
電総研
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竹田 美和
名古屋大学シンクロトロン光研究センター
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酒井 朗
大阪大学
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福岡 修
名大エコトピア研
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Shinde N.
名大エコトピア
-
シンディ ニナド
名大エコトピア
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渡邊 直樹
名大院工
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尾崎 雅則
大阪大学
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金田 千穂子
富士通研究所
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宮崎 照宣
東北大工
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林 康明
京都工芸繊維大学大学院
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松尾 二郎
京都大学工学研究科附属量子理工学研究実験センター
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鈴木 恒則
東京工科大学
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藤田 安彦
東京都立産業技術高等専門学校
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山本 哲也
東京都立産業技術高等専門学校
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栗村 直
独立行政法人物質・材料研究機構光材料センター
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阿山 みよし
宇都宮大学・院・工
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高橋 庸夫
北大
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浜中 泰
名大理工総研
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田中 三郎
豊橋技術科学大学
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松尾 二郎
京大院工
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鳥海 明
東大・物工
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鳥海 明
東大院工
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白井 肇
埼玉大学大学院 理工学研究科 機能材料工学専攻
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川田 善正
静岡大学 工学部
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尾松 孝茂
千葉大学大学院自然科学研究科
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尾松 孝茂
千葉大学
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木村 英樹
東海大学大学院総合理工学研究科
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八井 浄
長岡技術科学大学 極限エネルギー密度工学研究センター
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栖原 敏明
大阪大学大学院工学研究科
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林康 明
京都工芸繊維大学工芸学部電子情報工学科
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白谷 正治
九大
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岡田 勝行
千葉大工
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鈴木 恒則
東海大学理学部
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Tanaka S
Superconducting Sensor Laboratory Itami Laboratory
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Yatsui K
Technological Univ. Nagaoka Nagaoka Jpn
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Yatsui Kiyoshi
Laboratory Of Beam Technology Department Of Electrical Engineering Nagaoka University Of Technology
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林 康明
京都工芸繊維大学大学院工芸科学研究科
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伊藤 雅英
筑波大物理工
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田村 收
産総研 計測標準研究部門
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大沢 通夫
富士電機アドバンストテクノロジー
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末益 崇
筑波大
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馬場 俊彦
横浜国立大学工学研究院
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脇坂 健一郎
三洋電機(株)md技開センターbu
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高橋 庸夫
北海道大学 大学院情報科学研究科
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福井 孝志
北海道大学大学院情報科学研究科
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三木 一司
物材機構ナノマテ:産総研ナノテク
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三木 一司
物材・材料研究機構 ナノマテリアル研究所
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三木 一司
産業技術総合研究所 ダイヤモンド研究センター
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三木 一司
物質・材料研究機構 ナノマテリアル研究所
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三木 一司
(独)物質・材料研究機構 ナノ有機センター
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三木 一司
(独)物質・材料研究機構ナノ有機センターナノアーキテクチャーグループ
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財満 鎭明
名大院工
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中川 清和
山梨大大学院
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進藤 春雄
東海大 工
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梶川 浩太郎
東工大・工
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藤田 静雄
京大国際融合総合センタ
-
藤田 静雄
京大 国際融合創造セ
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松本 仁
防衛大学校
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影島 愽之
Ntt物性基礎研
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Hayashi Yutaka
Device Synthesis Section Electrotechnical Laboratory
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木村 英樹
東海大
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Hayashi Y
Ricoh Co. Ltd. Kanagawa Jpn
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Hayashi Yuzo
Irie Koken Co. Ltd.
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人見 伸也
名大院工
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山内 武志
JST-CREST
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久野 尚志
名古屋大学大学院工学研究科
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平田 智也
名古屋大学大学院工学研究科
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土谷 孝弘
名大院工
-
BOLOTOV L.
名大理工総研
-
Hayashi Y
Irie Koken Co. Ltd. Saitama Jpn
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神野 真吾
名大院工
-
茜 俊彦
科学技術振興事業団
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平田 智也
名大院工
-
久野 尚志
名大院工
-
羊 億
名大VBL
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山内 武志
CREST-JST
-
中村 新男
CREST-JST
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馬場 俊彦
横浜国大 大学院工学府
-
Tanaka S
International Superconductivity Technol. Center Tokyo Jpn
-
Tanaka S
Tokyo Inst. Technol. Tokyo Jpn
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Yatsui Kiyoshi
Extreme Energy Density Research Institute Nagaoka University Of Technology
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馬場 俊彦
横国大院工
-
神野 信吾
名大院工
著作論文
- 第51回応用物理学関係連合講演会(2004年)
- 13pTG-6 MOVPE 成長で作製した ErP/InP 中の残留不純物分析と電気特性(放射線物理 : イオンビーム・放射線検出器, 領域 1)
- 26aXL-6 GaInP(001)面上ErP超薄膜の磁気伝導特性と反強磁性的振る舞い(26aXL 半導体スピン物性(実験),領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 31pYH-15 X-band ESR による GaAs : Er, O の発光中心の解明
- 14aYC-1 希釈磁性半導体 GaAs : Er, O 及び Zn 共添加 GaAs : Er, O, Zn の X-band ESR 測定(磁性半導体, 領域 4)
- 24pC-8 ESRによる酸素共添加InP:Erの電子状態の解析
- 28p-YN-7 ESRによるInP:Erの電子状態の解析
- 12pPSA-7 半金属量子井戸 ErP/GaInP/GaAs 共鳴トンネルダイオードの負性微分抵抗(領域 4)
- 27pYA-12 X-band ESRによるGaAs:Er,Oの発光中心の解明III(磁性半導体)(領域4)
- 21pTH-8 X-band ESR による GaAs : Er, O の発光中心の解明 II
- 25a-YE-11 InP基板上の半金属ErP島構造の量子サイズ効果
- フェイスダウンOMVPE法により作製したInP上のErP成長形態の基板面方位依存性 : エピキタシャル成長III
- 25pXD-6 In_Ga_AS/InP多重量子井戸の正孔緩和ダイナミクス
- 31a-ZG-12 InGaAs薄膜の近赤外領域におけるフェムト秒過渡吸収スペクトルII
- 25a-YN-2 InGaAs薄膜の近赤外領域におけるフェムト秒過渡吸収スペクトル
- 17pTG-1 ESRによるGaAs:Dyの電子状態の解析
- 28aTB-5 ESRによる酸素共添加Ga As; Erの電子状態の解析III
- 23pSB-13 ESRによる酸素共添加GaAs;Erの電子状態の解析II
- 22aK-13 ESRによる酸素共添加GaAs;Erの電子状態の解析
- 18aPS-20 In_Ga_As/InP多重量子井戸の電子 : 正孔対緩和ダイナミクス II
- 27aYA-5 In_Ga_As/InP多重量子井戸の電子 : 正孔対緩和ダイナミクス
- 6pSL-3 ESRによるZnドープGaAs:Er,Oの電子状態の解析II(不純物・格子欠陥,領域10,領域4合同,領域10)
- 26aKE-5 スピン偏極透過電子顕微鏡における電子線空間干渉性(X線・粒子線(電子線・陽電子),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン))
- 6pSL-4 ESRによるオフセット基板上に成長させたGaAs:Er,Oの電子状態の解析(不純物・格子欠陥,領域10,領域4合同,領域10)
- 25pWE-5 ESRによるZnドーブGaAs:Er,Oの電子状態の解析(25pWE 領域,領域10合同アモルファス,不純物・格子欠陥,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在分野))
- 25pYF-8 InGaAs/InP多重量子井戸構造における界面揺らぎの断面STM観察(25pYF 表面界面構造,領域9(表面・界面,結晶成長分野))
- 28pAL-7 半導体光陰極を用いたTEMの空間コヒーレンス測定(28pAL X線・粒子線(電子線,陽電子),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン))