粟野 祐二 | 富士通研
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概要
関連著者
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粟野 祐二
富士通研
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粟野 祐二
富士通株式会社
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粟野 祐二
(株)富士通研究所
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横山 直樹
ナノテクノロジー研究センター株式会社富士通研究所
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横山 直樹
(株)富士通研究所
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横山 直樹
富士通株式会社
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杉山 芳弘
富士通株式会社
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佐久間 芳樹
富士通株式会社
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武藤 俊一
北海道大学工学部
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武藤 俊一
北海道大学大学院工学研究科
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武藤 俊一
北海道大学 大学院工学研究科 量子物理工学専攻
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中田 義昭
(株)富士通研究所
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二木 俊郎
株式会社富士通研究所
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二木 俊郎
富士通株式会社
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島 昌司
富士通株式会社
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中田 義昭
(株)富士通研究所:(株)qdレーザ
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堀口 直人
(株)富士通研究所
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堀口 直人
株式会社富士通研究所
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中田 義昭
富士通研究所
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山口 正臣
富士通株式会社
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二瓶 瑞久
Mirai-selete
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山口 正臣
富士通研究所
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二瓶 瑞久
科学技術振興機構戦略的創造研究推進事業
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二瓶 瑞久
独立行政法人産業技術総合研究所連携研究体グリーン・ナノエレクトロニクスセンター
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原田 直樹
富士通(株):jst-crest
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二瓶 瑞久
富士通株式会社
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原田 直樹
富士通株式会社
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彦坂 康己
富士通株式会社
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Wirner C.
富士通株式会社
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Strutz T.
富士通株式会社
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Wirner C.
Fujitsu Ltd.
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粟野 祐二
(株)富士通研究所ナノテクノロジー研究センター
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阿山 みよし
宇都宮大学大学院工学研究科
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田中 秀和
阪大産研
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阪東 寛
産総研
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大沢 通夫
富士電機アドバンストテクノロジー(株)
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小池 洋二
東北大工
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秋永 広幸
産総研ナノ機能合成プロ
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安藤 康夫
東北大学大学院工学研究科応用物理学専攻
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宮崎 照宣
東北大学原子分子材料科学高等研究機構(WPI)
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吉田 隆
名大工
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斗内 政吉
阪大超伝導フォトニクス
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安藤 康夫
東北大工
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竹田 美和
名大工
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向田 昌志
山形大学工学部
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川瀬 晃道
理化学研究所
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川瀬 晃道
理研
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尾崎 雅則
阪大院・工
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尾崎 雅則
阪大・工
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阪東 寛
電子技術総合研究所
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和田 隆博
龍谷大理工
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木村 英樹
東海大学
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山本 公
アルバック・ファイ(株)
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秋永 広幸
産総研
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関口 隆史
物質・材料研究機構
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中川 格
電子技術総合研究所
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中川 格
電総研
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財満 鎭明
名古屋大学大学院工学研究科
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毛塚 博史
東京工科大
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三木 一司
物材機構
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勝山 俊夫
東大生研ナノエレ連携研
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八井 浄
長岡技術科学大学極限エネルギー密度工学研究センター
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進藤 春雄
東海大
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田村 收
産総研
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伊藤 雅英
筑波大
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馬場 俊彦
横国大
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藤田 安彦
都立工業高専
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小笠原 宗博
東芝研開セ
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筒井 哲夫
九大院総理工
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小川 真一
松下電器半導体社
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藤田 静雄
京大国際融合創造セ
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脇坂 健一郎
三洋電機
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佐藤 芳之
NTT-AT
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白井 肇
埼玉大
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林 康明
京都工繊大工芸
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岡本 隆之
理研
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梶川 浩太郎
東工大
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財満 鎭明
名大
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影島 愽之
NTT物性科学基礎研究所
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鳥海 明
東大
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金田 千穂子
富士通研
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川田 善正
静岡大
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山本 哲也
高知工大
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酒井 朗
名大院工
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櫻庭 政夫
東北大通研
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中川 清和
山梨大工
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梶川 靖友
島根大総理工
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竹田 美和
名大院工
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小田中 紳二
阪大
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田中 三郎
豊橋技大
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王 鎮
情報通信研究機構
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芝山 敦史
ニコン
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佐波 俊哉
KEK
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栖原 敏明
阪大
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宮崎 照宣
東北大院工
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安藤 康夫
東北大院工
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松本 仁
防衛大材料
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鵜殿 治彦
茨城大工
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末益 崇
筑波大物理工
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鈴木 恒則
東海大理
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喜岡 俊英
東理大工
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福井 孝志
北大量集センタ
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高橋 庸夫
NTT物性基礎研
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岡田 勝行
物材機構
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尾松 孝茂
千葉大
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栗村 直
物材機構
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松尾 二郎
京大
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藤原 巧
長岡技科大
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白谷 正治
九大院システム情報
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向田 昌志
山形大
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三木 一司
電総研
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酒井 朗
大阪大学
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関口 隆史
東北大金研
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関口 隆史
独立行政法人 物質・材料研究機構
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関口 隆史
物材機構
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尾崎 雅則
大阪大学
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金田 千穂子
富士通研究所
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菅原 充
(株)富士通研究所
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宮崎 照宣
東北大工
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粟野 祐二
慶大
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林 康明
京都工芸繊維大学大学院
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松尾 二郎
京都大学工学研究科附属量子理工学研究実験センター
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鈴木 恒則
東京工科大学
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藤田 安彦
東京都立産業技術高等専門学校
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山本 哲也
東京都立産業技術高等専門学校
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栗村 直
独立行政法人物質・材料研究機構光材料センター
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大島 利雄
(株)富士通研究所
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阿山 みよし
宇都宮大学・院・工
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高橋 庸夫
北大
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関口 隆史
物材研
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田中 三郎
豊橋技術科学大学
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武藤 俊一
北大
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クリストフ ウィルナー
富士通株式会社
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松尾 二郎
京大院工
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鳥海 明
東大・物工
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鳥海 明
東大院工
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関口 隆史
東北大理
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関口 隆史
金属材料研究所
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関口 隆史
物質・材料研究機構ナノマテリアル研究所
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粟野 祐二
富士通(株):jst-crest
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白井 肇
埼玉大学大学院 理工学研究科 機能材料工学専攻
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足立原 孝実
富士通株式会社
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川田 善正
静岡大学 工学部
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尾松 孝茂
千葉大学大学院自然科学研究科
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尾松 孝茂
千葉大学
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菅原 充
(株)富士通研究所:富士通(株):(株)qdレーザ:(財)光産業技術振興協会
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木村 英樹
東海大学大学院総合理工学研究科
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八井 浄
長岡技術科学大学 極限エネルギー密度工学研究センター
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栖原 敏明
大阪大学大学院工学研究科
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林康 明
京都工芸繊維大学工芸学部電子情報工学科
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白谷 正治
九大
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岡田 勝行
千葉大工
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鈴木 恒則
東海大学理学部
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Tanaka S
Superconducting Sensor Laboratory Itami Laboratory
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阪東 寛
産業技術総合研
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Yatsui K
Technological Univ. Nagaoka Nagaoka Jpn
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Yatsui Kiyoshi
Laboratory Of Beam Technology Department Of Electrical Engineering Nagaoka University Of Technology
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林 康明
京都工芸繊維大学大学院工芸科学研究科
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伊藤 雅英
筑波大物理工
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田村 收
産総研 計測標準研究部門
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大沢 通夫
富士電機アドバンストテクノロジー
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末益 崇
筑波大
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馬場 俊彦
横浜国立大学工学研究院
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脇坂 健一郎
三洋電機(株)md技開センターbu
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高橋 庸夫
北海道大学 大学院情報科学研究科
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福井 孝志
北海道大学大学院情報科学研究科
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三木 一司
物材機構ナノマテ:産総研ナノテク
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三木 一司
物材・材料研究機構 ナノマテリアル研究所
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三木 一司
産業技術総合研究所 ダイヤモンド研究センター
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三木 一司
物質・材料研究機構 ナノマテリアル研究所
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三木 一司
(独)物質・材料研究機構 ナノ有機センター
-
三木 一司
(独)物質・材料研究機構ナノ有機センターナノアーキテクチャーグループ
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財満 鎭明
名大院工
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中川 清和
山梨大大学院
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進藤 春雄
東海大 工
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梶川 浩太郎
東工大・工
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藤田 静雄
京大国際融合総合センタ
-
藤田 静雄
京大 国際融合創造セ
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松本 仁
防衛大学校
-
影島 愽之
Ntt物性基礎研
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Hayashi Yutaka
Device Synthesis Section Electrotechnical Laboratory
-
木村 英樹
東海大
-
二瓶 瑞久
(株)富士通研究所ナノテクノロジー研究センター
-
川端 章夫
(株)富士通研究所ナノテクノロジー研究センター
-
Hayashi Y
Ricoh Co. Ltd. Kanagawa Jpn
-
Hayashi Yuzo
Irie Koken Co. Ltd.
-
Hayashi Y
Irie Koken Co. Ltd. Saitama Jpn
-
馬場 俊彦
横浜国大 大学院工学府
-
Tanaka S
International Superconductivity Technol. Center Tokyo Jpn
-
Tanaka S
Tokyo Inst. Technol. Tokyo Jpn
-
Yatsui Kiyoshi
Extreme Energy Density Research Institute Nagaoka University Of Technology
-
馬場 俊彦
横国大院工
-
八井 浄
Extreme Energy-density Research Institute Nagaoka University Of Technology
-
斗内 政吉
阪大
-
馬場 俊彦
横浜国立大学大学院工学研究院:jst-crest
-
鵜殿 治彦
茨城大
-
吉田 隆
名大
-
財満 鎭明
名古屋大学
-
関口 隆史
物質・材料研究機構半導体材料センター
-
阿山 みよし
宇都宮大学
著作論文
- 第51回応用物理学関係連合講演会(2004年)
- カーボンナノチューブのCVD成長技術と電子デバイス応用(2004先端半導体デバイスの基礎と応用に関するアジア太平洋会議)
- 自己形成InAs量子ドットのホールバーニングメモリ応用
- 自己形成InAsも量子ドットの光電流ホールバーニングの観測
- 自己形成InAs量子ドットの光電流ホールバーニングの観測
- InGaAs/GaAs正四面体溝(TSR)量子ドット作製技術
- 量子箱におけるフォノン散乱抑制への期待
- (111)B GaAs基板上の正四面体溝にMOVPE成長した量子ドット構造
- 化合物半導体ナノテクノロジーの現状と将来展望
- 単一量子ドットフローティングゲートメモリによる高感度蓄積電荷検出および蓄積電荷数制御
- 正四面体溝量子ドットを用いた単一量子ドットメモリとその電荷数制御多値メモリ動作
- 正四面体溝量子ドットを用いた単一量子ドットメモリとその電界数制御多値メモリ動作
- ナノテクノロジ (特集:研究開発最前線) -- (情報通信インフラを支える最先端テクノロジ)
- SC-9-3 量子ドットのメモリ応用 : 単一量子ドットメモリとSK量子ドットメモリ
- VI. 半導体人工格子, 量子ドット 加工基板上に成長した半導体量子ドット
- ジョセフソン-半導体インターフェイス回路のための低温HEMT増幅器
- 磁場閉じ込めおよび正四面体溝を利用した量子ドット共鳴トンネル素子
- 自己組織化によるGaAs正四面体溝内のInGaAs積層量子ドット形成
- 低温HEMTを用いたジョセフソン-半導体インターフェイス回路
- カーボンナノチューブのCVD成長技術と電子デバイス応用(2004先端半導体デバイスの基礎と応用に関するアジア太平洋会議)
- 自己形成InAs量子ドットのホールバーニングメモリ応用
- 自己形成InAs量子ドットのホールバーニングメモリ応用
- シリサイド触媒による多層カーボンナノチューブのプラズマCVD成長
- 材料・応用編 カーボンナノチューブの電子デバイスへの応用 (特集 カーボンナノチューブが拓く新世界--挑戦と創造)
- 合同セッションF「カーボンナノチューブの基礎と応用」
- 半導体B(探索的材料・物性・デバイス)
- 半導体B(探索的材料・物性・デバイス)
- 半導体ナノテクノロジーによる新型量子ドットメモリ 電荷数制御多値記憶と超高感度光検出動作に成功
- 技術解説 エレクトロニクス応用に向けたカーボンナノチューブ技術--ULSI配線ビア技術
- カーボンナノチューブの電子デバイス応用