粟野 祐二 | 富士通株式会社
スポンサーリンク
概要
関連著者
-
粟野 祐二
富士通株式会社
-
粟野 祐二
富士通研
-
横山 直樹
ナノテクノロジー研究センター株式会社富士通研究所
-
粟野 祐二
(株)富士通研究所
-
横山 直樹
(株)富士通研究所
-
横山 直樹
富士通株式会社
-
杉山 芳弘
富士通株式会社
-
佐久間 芳樹
富士通株式会社
-
武藤 俊一
北海道大学工学部
-
武藤 俊一
北海道大学大学院工学研究科
-
武藤 俊一
北海道大学 大学院工学研究科 量子物理工学専攻
-
中田 義昭
(株)富士通研究所
-
二木 俊郎
株式会社富士通研究所
-
二木 俊郎
富士通株式会社
-
島 昌司
富士通株式会社
-
中田 義昭
(株)富士通研究所:(株)qdレーザ
-
原田 直樹
富士通(株):jst-crest
-
堀口 直人
(株)富士通研究所
-
粟野 祐二
富士通(株):jst-crest
-
堀口 直人
株式会社富士通研究所
-
中田 義昭
富士通研究所
-
篠原 久典
名大理
-
二瓶 瑞久
富士通株式会社
-
山口 正臣
富士通株式会社
-
二瓶 瑞久
Mirai-selete
-
山口 正臣
富士通研究所
-
水林 潤
青学理工
-
岡崎 俊也
名大院理
-
武末 出美
早大:jst-crest
-
春山 純志
青学理工:jst-crest
-
岡崎 俊也
産業技術総合研究所ナノカーボン研究センター
-
二瓶 瑞久
科学技術振興機構戦略的創造研究推進事業
-
二瓶 瑞久
独立行政法人産業技術総合研究所連携研究体グリーン・ナノエレクトロニクスセンター
-
篠原 久典
名大院理
-
嶋田 行志
名古屋大学工学研究科
-
原田 直樹
富士通株式会社
-
彦坂 康己
富士通株式会社
-
Wirner C.
富士通株式会社
-
Strutz T.
富士通株式会社
-
Wirner C.
Fujitsu Ltd.
-
武末 出美
青学理工
-
春山 純志
青学理工
-
岡崎 俊也
名大理
-
菅井 俊樹
名大理
-
吉田 宏道
名大理
-
嶋田 行志
名大理
-
篠原 久典
名古屋大
-
吉田 宏道
名古屋大学大学院理学研究科 高等研究院
-
菅井 俊樹
Nagoya University
-
阪東 寛
産総研
-
岡崎 俊也
産総研ナノチューブ応用
-
阪東 寛
電子技術総合研究所
-
関口 隆史
物質・材料研究機構
-
中川 格
電子技術総合研究所
-
中川 格
電総研
-
関口 隆史
東北大金研
-
関口 隆史
独立行政法人 物質・材料研究機構
-
春山 純志
青学大理工
-
関口 隆史
物材機構
-
菅原 充
(株)富士通研究所
-
粟野 祐二
慶大
-
近藤 大雄
株式会社富士通研究所ナノエレクトロニクス研究センター
-
岡崎 俊也
産総研カーボンセンター
-
大島 利雄
(株)富士通研究所
-
佐藤 信太郎
富士通研
-
関口 隆史
物材研
-
日沖 求
青学大理工
-
武藤 俊一
北大
-
クリストフ ウィルナー
富士通株式会社
-
関口 隆史
東北大理
-
関口 隆史
金属材料研究所
-
関口 隆史
物質・材料研究機構ナノマテリアル研究所
-
足立原 孝実
富士通株式会社
-
菅原 充
(株)富士通研究所:富士通(株):(株)qdレーザ:(財)光産業技術振興協会
-
渡辺 剛
青学大理工
-
水林 潤
青学大理工
-
武末 出美
青学大理工
-
平野 信治
青学理工
-
阪東 寛
産業技術総合研
-
粟野 祐二
(株)富士通研究所ナノテクノロジー研究センター
-
佐藤 信太郎
富士通(株)
-
川端 章夫
富士通(株)
-
近藤 大雄
富士通(株)
-
二瓶 瑞久
富士通(株)
-
渡辺 剛
阪大院基礎工
-
篠原 久典
名古屋大学 大学院理学研究科/高等研究院
-
関口 隆史
物質・材料研究機構半導体材料センター
-
川端 章夫
富士通
著作論文
- カーボンナノチューブのCVD成長技術と電子デバイス応用(2004先端半導体デバイスの基礎と応用に関するアジア太平洋会議)
- 自己形成InAs量子ドットのホールバーニングメモリ応用
- 自己形成InAsも量子ドットの光電流ホールバーニングの観測
- 自己形成InAs量子ドットの光電流ホールバーニングの観測
- InGaAs/GaAs正四面体溝(TSR)量子ドット作製技術
- 量子箱におけるフォノン散乱抑制への期待
- (111)B GaAs基板上の正四面体溝にMOVPE成長した量子ドット構造
- 化合物半導体ナノテクノロジーの現状と将来展望
- 単一量子ドットフローティングゲートメモリによる高感度蓄積電荷検出および蓄積電荷数制御
- 正四面体溝量子ドットを用いた単一量子ドットメモリとその電荷数制御多値メモリ動作
- 正四面体溝量子ドットを用いた単一量子ドットメモリとその電界数制御多値メモリ動作
- ナノテクノロジ (特集:研究開発最前線) -- (情報通信インフラを支える最先端テクノロジ)
- SC-9-3 量子ドットのメモリ応用 : 単一量子ドットメモリとSK量子ドットメモリ
- VI. 半導体人工格子, 量子ドット 加工基板上に成長した半導体量子ドット
- ジョセフソン-半導体インターフェイス回路のための低温HEMT増幅器
- 磁場閉じ込めおよび正四面体溝を利用した量子ドット共鳴トンネル素子
- 自己組織化によるGaAs正四面体溝内のInGaAs積層量子ドット形成
- 低温HEMTを用いたジョセフソン-半導体インターフェイス回路
- 21pXA-14 カーボンナノピーポットにおける異常なべき乗則と原子的振る舞い(フラーレン・ナノチューブ伝導,領域7(分子性固体・有機導体))
- 14aYD-1 ピーポットにおけるゲート電圧変調朝永・ラッティンジャー液体の可能性(ナノチューブ伝導, 領域 7)
- 23aXF-7 二層カーボンナノチューブの物性
- カーボンナノチューブのCVD成長技術と電子デバイス応用(2004先端半導体デバイスの基礎と応用に関するアジア太平洋会議)
- 自己形成InAs量子ドットのホールバーニングメモリ応用
- 自己形成InAs量子ドットのホールバーニングメモリ応用
- チタン・コバルト二元系微粒子からのカーボンナノチューブ成長
- 半導体ナノテクノロジーによる新型量子ドットメモリ 電荷数制御多値記憶と超高感度光検出動作に成功