堀口 直人 | 株式会社富士通研究所
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概要
関連著者
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二木 俊郎
株式会社富士通研究所
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堀口 直人
株式会社富士通研究所
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横山 直樹
(株)富士通研究所
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堀口 直人
(株)富士通研究所
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中田 義昭
(株)富士通研究所:(株)qdレーザ
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中田 義昭
富士通研究所
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武藤 俊一
北海道大学大学院工学研究科
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杉山 芳弘
富士通株式会社
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横山 直樹
富士通株式会社
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粟野 祐二
富士通研
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中田 義昭
(株)富士通研究所
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武藤 俊一
北海道大学工学部
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二木 俊郎
富士通株式会社
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粟野 祐二
富士通株式会社
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武藤 俊一
北海道大学 大学院工学研究科 量子物理工学専攻
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横山 直樹
ナノテクノロジー研究センター株式会社富士通研究所
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粟野 祐二
(株)富士通研究所
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中尾 宏
(株)富士通研究所
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横山 直樹
富士通研究所
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中島 安理
(株)富士通研究所
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二木 俊郎
(株)富士通研究所
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(株)富士通研究所:(現)広島大学ナノデバイス・システム研究センター
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臼杵 達也
(株)富士通研究所
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臼杵 達哉
富士通研究所
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堀口 直人
株式会社 富士通研究所
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二木 俊郎
株式会社 富士通研究所
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中田 義昭
株式会社 富士通研究所
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横山 直樹
株式会社 富士通研究所
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富士通株式会社 次世代lsi開発事業部
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杉井 寿博
(株)富士通研究所
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横山 直樹
株式会社富士通研究所ナノエレクトロニクス研究センター
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臼杵 達哉
(株)富士通研究所
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後藤 賢一
(株)富士通研究所
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杉井 寿博
富士通研究所
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臼杵 達哉
株式会社富士通研究所
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後藤 賢一
株式会社富士通研究所
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杉井 寿博
株式会社富士通研究所
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杉井 寿博
富士通マイクロエレクトロニクス
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杉井 寿博
富士通
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横山 直樹
株式会社富士通研究所
著作論文
- 極薄熱酸化膜中の金属ナノクリスタルの形成と単一電子帯電効果の観測
- 極薄酸化膜中のSnナノクリスタルの形成と単一電子帯電効果の観測
- 自己形成InAs量子ドットのホールバーニングメモリ応用
- 自己形成InAsも量子ドットの光電流ホールバーニングの観測
- 自己形成InAs量子ドットの光電流ホールバーニングの観測
- 極薄熱酸化膜中の金属ナノクリスタルの形成と単一電子帯電効果の観測
- 極薄酸化膜中のSnナノクリスタルの形成と単一電子帯電効果の観測
- 極薄トンネル酸化膜を有するフローティングゲートメモリ : ダイレクトトンネルメモリ(DTM)
- 自己形成InAs量子ドットのホールバーニングメモリ応用
- 自己形成InAs量子ドットのホールバーニングメモリ応用
- CV測定によるInAs自己形成ドットの量子準位の評価
- CV測定によるInAs自己形成ドットの量子準位の評価
- ダイレクトトンネルメモリ(DTM)の展望