横山 直樹 | 富士通研究所
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概要
関連著者
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横山 直樹
富士通研究所
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横山 直樹
(株)富士通研究所
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横山 直樹
ナノテクノロジー研究センター株式会社富士通研究所
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中尾 宏
(株)富士通研究所
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横山 直樹
富士通
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中島 安理
(株)富士通研究所
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二木 俊郎
(株)富士通研究所
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堀口 直人
(株)富士通研究所
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中田 義昭
(株)富士通研究所
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二木 俊郎
株式会社富士通研究所
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黒田 剛正
早稲田大学理工学部
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堀口 直人
株式会社富士通研究所
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中田 義昭
富士通研究所
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竹内 淳
早稲田大 理工
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中島 安理
(株)富士通研究所:(現)広島大学ナノデバイス・システム研究センター
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池田 稔
富士通研究所
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池田 稔
富士通研究所:富士通
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横山 直樹
(株)富士通研究所基礎技術研究所機能デバイス研究部
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臼杵 達也
(株)富士通研究所
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中田 義昭
富士通研
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竹内 淳
早稲田大学理工学部
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竹内 淳
早大理工
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黒田 剛正
早大理工
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笹生 竜次郎
早大理工
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間瀬 和夫
早大理工
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阿曽 広之
富士通研究所(株)
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阿曽 弘之
富士通研究所
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Kresse G.
ウィーン大学CMS
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Hafner J.
ウィーン大学CMS
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臼杵 達哉
富士通研究所
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横山 直樹
株式会社富士通研究所ナノエレクトロニクス研究センター:(現)産業技術総合研究所連携研究体グリーン・ナノエレクトロニクスセンター
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横山 直樹
富士通研究所ナノテクノロジー研究センター
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阿曽 広之
富士通研究所
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齋藤 美寿
株式会社富士通研究所
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原田 直樹
(株)富士通研究所
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横山 直樹
神戸大学小児科
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波頭 経裕
(財)国際超電導産業技術研究センター超電導工学研究所
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石丸 喜康
超電導工学研究所
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吉田 晃
超伝導工学研究所
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岡田 誠
(株)富士通研究所
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近藤 大雄
株式会社富士通研究所ナノエレクトロニクス研究センター
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齋藤 美寿
富士通研究所ワイヤレスプラットフォーム開発部
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吉田 晃
超電導工学研究所
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岡田 誠
富士通研究所
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今村 健一
富士通
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高津 求
(株)富士通研究所
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吉田 晃
富士通株式会社
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間瀬 和夫
早稲田大学理工学部
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齋藤 美寿
(株)富士通研究所
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波頭 経裕
富士通研究所(株)
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石丸 喜康
富士通研究所(株)
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吉田 晃
富士通研究所(株)
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高津 求
富士通研究所先端システムLSI研究部
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佐藤 信太郎
富士通研究所ナノテクノロジー研究センター
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波頭 経裕
(財)国際超伝導産業技術研究センター超伝導工学研究所
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原田 直樹
株式会社富士通研究所ナノエレクトロニクス研究センター:(現)産業技術総合研究所連携研究体グリーン・ナノエレクトロニクスセンター
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G Kresse
Wien工科大学理論物理研
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J Hafner
Wien工科大学理論物理研
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KRESSE G.
Wien工科大学理論物理研
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HAFNER J.
Wien工科大学理論物理研
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諸橋 信一
富士通研究所
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塩田 哲義
富士通研究所
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小谷 誠剛
富士通研究所
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小瀬村 欣司郎
富士通研
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永田 武雄
富士通研
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石割 秀敏
富士通研
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石丸 喜康
(財)国際超伝導産業技術研究センター超伝導工学研究所
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横山 直樹
岡山大学大学院工学研究科
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諸橋 信一
(株)富士通研究所
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柴富 昭洋
(株)富士通研究所
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齋藤 美寿
富士通研究所システムlsi開発研究所
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佐藤 信太郎
株式会社富士通研究所ナノエレクトロニクス研究センター:(現)産業技術総合研究所連携研究体グリーン・ナノエレクトロニクスセンター
-
原田 直樹
富士通研究所 ナノエレクトロニクス研究セ
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八木 克典
株式会社富士通研究所ナノエレクトロニクス研究センター:(現)産業技術総合研究所連携研究体グリーン・ナノエレクトロニクスセンター
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近藤 大雄
富士通研究所ナノエレクトロニクス研究センター
-
佐藤 信太郎
富士通研究所ナノエレクトロニクス研究センター
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八木 克典
富士通研究所ナノエレクトロニクス研究センター
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横山 直樹
神戸大学医学部附属病院周産母子センター
著作論文
- 極薄熱酸化膜中の金属ナノクリスタルの形成と単一電子帯電効果の観測
- 極薄酸化膜中のSnナノクリスタルの形成と単一電子帯電効果の観測
- 極薄熱酸化膜中の金属ナノクリスタルの形成と単一電子帯電効果の観測
- 極薄酸化膜中のSnナノクリスタルの形成と単一電子帯電効果の観測
- 半導体量子ドット間の反強磁性結合による電子スピンの反転(最近の研究から)
- 18aYG-5 半導体量子ドット間の交換相互作用による反強磁性秩序の観測
- 27aYS-4 InAs量子ドット内およびドット間トンネルでの電子スピン緩和
- LQE2000-19 結合量子ドット間のトンネル時間の直接測定
- ITOバリアを用いたランプエッジ型超伝導接合
- 自己組織的手法への期待
- ナノテクノロジーへの期待 : 富士通研究所の取り組み
- SSDM2001国際会議報告
- 日本技術者教育認定制度に対する応用物理学会の取り組み
- 24pX-4 第一原理計算で強誘電体のなにがわかるのか?
- 28p-M-14 強誘電体PbTiO_3の(100)分域壁の第一原理計算
- 25a-A-4 Bi層状強誘電体SrBi_2Ta_2O_9の第一原理計算による構造解析
- 超伝導X線検出器用Nb/Al-AlO_x-Al/Ta/Nb接合の作成
- ホットエレクトロントランジスタ
- 共鳴トンネル効果とトランジスタ (量子効果デバイスの現状と展望)
- ジョセフソン回路における接地面下配線による電源供給方式(試作・評価)
- 量子ポイントコンタクトから出射された電子波の角度分布
- RHETにおけるホットエレクトロン伝導の解析
- 共鳴トンネリングホットエレクトロントランジスタ(RHET)の解析 (3-5族半導体デバイスと集積回路)
- ICT化社会における電子デバイスが果たす役割(エレクトロニクスソサイエティ和文論文誌500号記念論文)
- 21世紀の情報技術とナノテクノロジーへの期待
- 化合物半導体ナノテクロノジーの現状と将来 (特集 ナノテクの世界)
- ナノサイエンス・ナノテクノロジー ナノテクノロジーへの期待--富士通研究所の取り組み
- グラフェンのCVD合成と転写プロセスを用いないトランジスタ形成法の開発
- ナノエレクトロニクスへの挑戦