半導体量子ドット間の反強磁性結合による電子スピンの反転(最近の研究から)
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概要
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半導体中のキャリアのスピンを自由に操れれば,我々は新しい自由度を一つ手に入れることになる.この自由度を応用すれば,新しい機能を持ったデバイスを実現する可能性が生まれるだろう.半導体の中に3次元的に電子を閉じ込めるナノ構造を量子ドットと呼ぶが,量子ドット1個に電子1個を閉じ込め,電子スピンの向きをデジタル情報の0と1に対応させれば,情報処理の可能性が生まれる.ただし,隣接するドット間のスピン同士で何らかの相互作用,例えば交換相互作用を働かせる必要がある.我々は,半導体量子ドット間の交換相互作用による反強磁性結合によってスピンが反転する過程を,時間分解フォトルミネッセンス測定によって直接的に観測した.電子スピンの反転が80ps前後で起こること,また,反強磁性秩序が50-80K以下の温度で存在することが明らかになった.
- 社団法人日本物理学会の論文
- 2002-12-05
著者
-
横山 直樹
(株)富士通研究所
-
横山 直樹
富士通研究所
-
中田 義昭
(株)富士通研究所
-
黒田 剛正
早稲田大学理工学部
-
竹内 淳
早稲田大学理工学部
-
横山 直樹
ナノテクノロジー研究センター株式会社富士通研究所
-
中田 義昭
富士通研究所
-
竹内 淳
早稲田大 理工
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