多層化自己形成InGaAs量子ドットレーザの室温連続発振
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概要
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量子ドットを多層化し、高密度なInGaAs量子ドットを活性層にもつ量子ドットレーザを作製した。活性層内の量子ドット層数、共振器長、端面反射率の異なる素子を用いて、系統的な特性評価を行ない、発振しきい値電流、発振スペクトル、エレクトロルミネッセンススペクトルとの関係を明らかにした。レーザの発振準位が、活性層の光学利得、共振器損失によって変化する様子を実験的に明瞭に示し、3層の量子ドット、共振器長600μm以上、両端面高反射率コーティングの素子においては、室温連続発振を達成した。発振特性の温度依存性を調べた結果、60〜200 Kの低温領域では300 K以上の特性温度を得た。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1996-10-08
著者
-
石川 浩
株式会社富士通研究所
-
横山 直樹
(株)富士通研究所
-
杉山 芳弘
富士通株式会社
-
石川 浩
フェムト秒テクノロジー研究機構
-
横山 直樹
株式会社富士通研究所ナノエレクトロニクス研究センター
-
中田 義昭
(株)富士通研究所:(株)qdレーザ
-
菅原 充
(株)富士通研究所:富士通(株):(株)qdレーザ:(財)光産業技術振興協会
-
石川 浩
RWCP光インターコネクション富士通研究室
-
菅原 充
株式会社富士通研究所
-
向井 剛輝
(株)富士通研究所
-
小路 元
(株) 富士通研究所
-
小路 元
株式会社富士通研究所
-
中田 義昭
株式会社富士通研究所
-
向井 剛輝
株式会社富士通研究所
-
杉山 芳弘
株式会社富士通研究所
-
横山 直樹
株式会社富士通研究所
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