菅原 充 | (株)富士通研究所:富士通(株):(株)qdレーザ:(財)光産業技術振興協会

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概要

• 同名の論文著者
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関連著者

• 菅原 充

  (株)富士通研究所:富士通(株):(株)qdレーザ:(財)光産業技術振興協会

• 荒川 泰彦

  東京大学ナノ量子情報エレクトロニクス研究機構:東京大学生産技術研究所:東京大学先端技術研究所

• 荒川 泰彦

  フォトニクス・エレクトニクス融合システム基盤技術開発研究機構:東京大学生産技術研究所

• 中田 義昭

  (株)富士通研究所:(株)qdレーザ

• 中田 義昭

  (株)富士通研究所

• 菅原 充

  (株)QDレーザ

• 山本 剛之

  (株)富士通研究所

• 荒川 泰彦

  東京大学ナノエレクトロニクス連携研究センター

• 西 研一

  (株)QDレーザ

• 西 研一

  株式会社qdレーザ

• 菅原 充

  (株)富士通研究所

• 田中 有

  (株)富士通研究所

• 山口 正臣

  (株)QDレーザ

• 山本 剛之

  (株)富士通研究所:富士通(株):(財)光産業技術振興協会

• 田中 有

  (株)富士通研究所:(株)qdレーザ

• 山口 正臣

  (株)富士通研究所

• 松本 武

  (株)富士通研究所

• 高田 幹

  東京大学ナノ量子情報エレクトロニクス研究機構

• 石田 充

  東京大学ナノ量子情報エレクトロニクス研究機構

• 山本 剛之

  技術研究組合光電子融合基盤技術研究所:富士通(株):(株)富士通研究所

• 山本 剛之

  (株)QDレーザ

• 江川 満

  (株)富士通研究所

• 高田 幹

  株式会社富士通研究所

• 高田 幹

  東大ナノ量子情報エレクトロニクス研究機構

• 山本 剛之

  フォトニクス・エレクトロニクス融合システム基盤技術開発研究機構

• 和田 修

  神戸大院工

• 喜多 隆

  神戸大院工

• 前多 泰成

  (株)QDレーザ

• 宋 海智

  (株)富士通研究所

• 江部 広治

  東京大学NCRC IIS

• 荒川 泰彦

  東京大学NCRC IIS

• 向井 剛輝

  (株)富士通研究所

• 前多 泰成

  株式会社QDレーザ

• 武政 敬三

  株式会社QDレーザ

• 秋山 知之

  富士通(株):(財)光産業技術振興協会

• 影山 健夫

  (株)QDレーザ

• 影山 健生

  株式会社qdレーザ

• 影山 健生

  (株)QDレーザ

• 武政 敬三

  (株)QDレーザ

• 喜多 隆

  神戸大学大学院工学研究科電気電子工学専攻

• 和田 修

  神戸大学大学院工学研究科電気電子工学専攻

• 石川 浩

  フェムト秒テクノロジー研究機構

• 喜多 隆

  神戸大学大学院工学研究科

• 田村 暢啓

  神戸大学大学院 自然科学研究科

• ZHANG YUANCHANG

  神戸大学大学院 自然科学研究科

• 中田 義昭

  東京大学NCRC IIS

• 菅原 充

  富士通研究所

• 田村 暢啓

  神戸大学大学院自然科学研究科

• Zhang Yuanchang

  神戸大学大学院自然科学研究科

• 羽鳥 伸明

  東京大学生産技術研究所:東京大学ナノエレクトロニクス連携研究センター

• 大坪 孝二

  (株)富士通研究所:富士通(株):技術研究組合光電子融合基盤技術研究所

• 大坪 孝二

  富士通研:富士通:光産業技術振興協会

• 羽鳥 伸明

  フォトニクス・エレクトロニクス融合システム基盤技術開発研究機構

• 和田 修

  神戸大学大学院 工学研究科 電気電子工学専攻

• 江川 満

  富士通(株):(財)光産業技術振興協会

• 江川 満

  技術研究組合光電子融合基盤技術研究所:富士通(株):(株)富士通研究所

• 持田 励雄

  株式会社QDレーザ

• 持田 励雄

  (株)QDレーザ

• 羽鳥 伸明

  富士通研究所

• 羽鳥 伸明

  Institute for Photonics-Electronics Convergence System Technology:Photonics Electronics Technology Research Association

• 石川 浩

  RWCP光インターコネクション富士通研究室

• 近藤 勇人

  株式会社QDレーザ

• 近藤 勇人

  (株)QDレーザ

• Yuanchang Zhang

  神戸大学大学院自然科学研究科

• Yuanchang Zhang

  神戸大学大学院 自然科学研究科

• 荒川 泰彦

  東京大学生産技術研究所ナノエレクトロニクス連携研究センター

• 石田 充

  東京大学生産技術研究所

• 江部 広治

  東京大学生産技術研究所

• 江部 広治

  東京大学ナノエレクトロニクス連携研究センター

• 中田 義昭

  富士通研究所

• 荒川 泰彦

  東京大学生産技術研究所

• 秋山 知之

  富士通研究所

• 小路 元

  (株) 富士通研究所

• 石川 浩

  産業技術総合研 ネットワークフォトニクス研究セ

• 荒川 泰彦

  東大ナノ量子機構

• 石川 浩

  株式会社富士通研究所

• 横山 直樹

  (株)富士通研究所

• 羽鳥 伸明

  東京大学生産技術研究所

• 大坪 孝二

  (財)光産業技術振興協会

• 山本 剛之

  (財)光産業技術振興協会

• 中田 義昭

  東京大学生産技術研究所

• 菅原 充

  (財)光産業技術振興協会

• 羽鳥 伸明

  東京大学ナノエレクトロニクス連携研究センター

• 菅原 充

  東京大学ナノエレクトロニクス連携研究センター

• 田中 宏和

  神戸大学自然科学研究科

• PACHAMUTHU Jayavel

  神戸大学自然科学研究科

• 内上 昌裕

  神戸大学自然科学研究科

• 喜多 隆

  神戸大学自然科学研究科

• 和田 修

  神戸大学自然科学研究科

• 菅原 充

  東京大学NCRC IIS

• 大塚 信幸

  富士通研究所

• 荒川 泰彦

  東大ナノ量子情報エレクトロニクス研究機構:東大生産技術研究所

• 菅原 充

  株式会社富士通研究所

• 倉又 朗人

  株式会社富士通研究所

• 大塚 信幸

  (株)富士通研究所

• 小路 元

  株式会社富士通研究所

• 向井 剛輝

  株式会社富士通研究所

• 荒川 泰彦

  フォトニクス・エレクトロニクス融合システム基盤技術開発研究機構

• 菅原 充

  (株)富士通研究所光半導体研究部

• 河合 正昭

  富士通株式会社

• 井出 聡

  (株)富士通研究所

• 杉山 芳弘

  富士通株式会社

• 倉又 朗人

  (株)富士通研究所

• 粟野 祐二

  富士通研

• 荒川 泰彦

  東京大学 ナノ量子情報エレクトロニクス研究機構

• 山端 徹次

  (株)富士通研究所

• 森 和行

  (株)富士通研究所

• 河合 正昭

  (株)富士通研究所

• 石田 充

  東京大学 生産技術研究所

• 館林 潤

  東京大学ナノエレクトロニクス連携研究センター

• 須藤 久男

  富士通研究所

• 倉又 朗人

  富士通研究所

• 羽島 伸明

  東京大学生産研

• 秋山 知之

  富士通研

• 大坪 孝二

  富士通研

• 中田 義昭

  富士通研

• 菅原 充

  東京大学生産研

• 内田 徹

  Rwcp光インターコネクション富士通研究室

• 横山 直樹

  株式会社富士通研究所ナノエレクトロニクス研究センター

• 河合 正昭

  株式会社富士通研究所:富士通株式会社

• 森 和行

  富士通

• 森 和行

  富士通(株)

• 大島 利雄

  (株)富士通研究所

• 鍬塚 治彦

  (独)産業技術総合研究所

• 石川 浩

  (独)産業技術総合研究所

• 粟野 祐二

  富士通株式会社

• 横山 直樹

  ナノテクノロジー研究センター株式会社富士通研究所

• 粟野 祐二

  (株)富士通研究所

• 関根 徳彦

  (独)情報通信研究機構

• 河口 研一

  富士通(株)

• 江川 満

  富士通(株)

• 秋山 知之

  富士通(株)

• 植竹 理人

  富士通(株)

• 安岡 奈美

  富士通(株)

• 菅原 充

  富士通(株)

• 秋山 知之

  富士通株式会社

• 中田 義昭

  富士通株式会社

• 大坪 孝二

  富士通株式会社

• 植竹 理人

  (株)富士通研究所

• 須藤 久男

  (株)富士通研究所

• 下山 峰史

  産業技術総合研究所

• 関根 徳彦

  情報通信研究機構

• 関根 徳彦

  Rwcp光インターコネクション富士通研究室

• 鍬塚 治彦

  (株)富士通研究所

• 下山 峰史

  フェムト秒テクノロジー研究機構

• 秋山 知之

  (株)富士通研究所

• 大坪 孝二

  RWCP光インターコネクション富士通研究室

• 西嶋 由人

  (株)富士通研究所

• 青木 修

  (株)富士通研究所

• 館林 潤

  東京大学生産技術研究所

• 小路 元

  (株)富士通研究所基盤技術研究所

• 粟野 祐二

  (株)富士通研究所ナノテクノロジー研究センター

• 石川 浩

  (株)富士通研究所

• 中田 義昭

  株式会社富士通研究所

• 杉山 芳弘

  株式会社富士通研究所

• 大塚 信幸

  株式会社富士通研究所

• 内田 徹

  株式会社富士通研究所

• 菅原 充

  (株)富士通研究所ナノテクノロジー研究センター

• 羽鳥 伸明

  (株)富士通研究所

• 井出 聡

  富士通(株):技術研究組合光電子融合基盤技術研究所

• 河口 研一

  富士通(株):(財)光産業技術振興協会

• 羽島 伸明

  東京大学生産研:東京大学ナノエレ連携研センタ

• 安岡 奈美

  富士通(株):(財)光産業技術振興協会

• 羽鳥 伸明

  技術研究組合光電子融合基盤技術研究所:フォトニクス・エレクトロニクス融合システム基盤技術開発研究機構

• 西 研一

  東京大学ナノ量子情報エレクトロニクス研究機構

• 横山 直樹

  株式会社富士通研究所

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著作論文

• 波長1.3μm帯InAs/GaAs量子ドットレーザ : 単一モード化,高速化の検討(量子効果デバイス(光信号処理,LD,光増幅,変調等)と集積化技術,一般,材料デバイスサマーミーティング)
• 1.3ミクロン帯pドープ量子ドットレーザ : 20〜90℃での温度安定な低駆動電流10Gb/s直接変調動作(量子効果デバイス(光信号処理,LD,光増幅,変調等)と集積化技術,一般)
• B-12-11 量子ドットレーザを用いた温度無依存10Gbps 300m-MMF伝送(B-12.フォトニックネットワーク,一般講演)
• MOCVD法によるGaAs基板上InAs量子ドットレーザの1.3μm帯室温連続発振(半導体レーザ関連技術,及び一般)
• C-4-29 40Gb/s 直接変調動作実現をめざした自己形成量子ドットレーザの設計
• InAs/GaAsコラムナ量子ドットの光学利得偏波特性 : 半導体光増幅器の実現に向けて
• InAs/GaAsコラムナ量子ドットの光学利得偏波特性 : 半導体光増幅器の実現に向けて(フォトニックNW・デバイス, フォトニック結晶・ファイバとその応用, 光集積回路, 光導波路素子, 光スイッチング, 導波路解析, 及び一般)
• 化合物半導体ナノテクノロジーの現状と将来展望
• C-4-30 1.3μm帯量子ドットDFBレーザの広温度範囲10.3Gb/s動作(C-4.レーザ・量子エレクトロニクス,一般セッション)
• 量子ドット光デバイス (特集 研究開発最前線)
• 広帯域半導体光増幅器に向けたlnP上lnAs量子ドットのMOVPE成長(量子ドットの使い道)
• 量子ドット光増幅器と光スイッチ
• NETs連載講座 光デバイス 次代の光ネットを担う量子ドット・レーザと光増幅器(下)
• NETs 連載講座 次代の光ネットを担う量子ドット・レーザと増幅器(上)
• 量子ドットの偏光制御とSOAへの応用(半導体レーザ及び光パッシブコンポネント, 及び一般)
• 量子ドットの偏光制御とSOAへの応用(半導体レーザ及び光パッシブコンポネント, 及び一般)
• 半導体光増幅器内の四光波混合を用いた超高速波長変換
• InGaAs3元基板上低しきい値1.3μmレーザ
• 波長1.3μm帯InAs/GaAs量子ドットレーザ : 単一モード化,高速化の検討(量子効果デバイス(光信号処理,LD,光増幅,変調等)と集積化技術,一般,材料デバイスサマーミーティング)
• 1.3ミクロン帯pドープ量子ドットレーザ : 20〜90℃での温度安定な低駆動電流10Gb/s直接変調動作(量子効果デバイス(光信号処理,LD,光増幅,変調等)と集積化技術,一般)
• InAs/GaAsコラムナ量子ドットの光学利得偏波特性 : 半導体光増幅器の実現に向けて(フォトニックNW・デバイス, フォトニック結晶・ファイバとその応用, 光集積回路, 光導波路素子, 光スイッチング, 導波路解析, 及び一般)
• InAs/GaAsコラムナ量子ドットの光学利得偏波特性 : 半導体光増幅器の実現に向けて(フォトニックNW・デバイス, フォトニック結晶・ファイバとその応用, 光集積回路, 光導波路素子, 光スイッチング, 導波路解析, 及び一般)
• InAs/GaAsコラムナ量子ドットの光学利得偏波特性 : 半導体光増幅器の実現に向けて(フォトニックNW・デバイス, フォトニック結晶・ファイバとその応用, 光集積回路, 光導波路素子, 光スイッチング, 導波路解析, 及び一般)
• C-4-4 10G-EPONへ向けた波長1.27μm帯量子ドットDFBレーザ(C-4.レーザ・量子エレクトロニクス,一般セッション)
• 高密度化による波長1.3μm帯InAs/GaAs量子ドットレーザの特性向上(光部品・電子デバイス実装技術,一般)
• 高密度化による波長1.3μm帯InAs/GaAs量子ドットレーザの特性向上(光部品・電子デバイス実装技術,一般)
• 高密度化による波長1.3μm帯InAs/GaAs量子ドットレーザの特性向上(光部品・電子デバイス実装技術,一般)
• 高密度化による波長1.3μm帯InAs/GaAs量子ドットレーザの特性向上(光部品・電子デバイス実装技術,一般)
• 多層化自己形成InGaAs量子ドットレーザの室温連続発振
• 自己形成InGaAs量子ドットにおけるフォノンボトルネック現象の観察
• 自己組織化In_Ga_As量子ドットレーザの電流注入によるレーザ発振
• LQE2000-15 InGaAs/GaAs 自己形成量子ドットレーザーの利得測定
• 半導体量子構造における束縛励起子の自然放射と誘導放射
• 5-2 量子ドットレーザと光増幅器(5.先端半導体レーザの現状と展望,進化する先端フォトニックデバイス)
• 半導体量子ドットレーザーの進展
• 量子ドットルーザの開発の現状と今後の展望
• 波長1.27μm帯高密度量子ドットDFBレーザの研究開発(光部品・電子デバイス実装技術,一般)
• 波長1.27μm帯高密度量子ドットDFBレーザの研究開発(光部品・電子デバイス実装技術,一般)
• 波長1.27μm帯高密度量子ドットDFBレーザの研究開発(光部品・電子デバイス実装技術,一般)
• 波長1.27μm帯高密度量子ドットDFBレーザの研究開発(光部品・電子デバイス実装技術,一般)
• 高温(220℃)における1300nm帯量子ドットレーザの連続発振(半導体レーザ関連技術,及び一般)
• 光通信用量子ドットレーザーの進展 (特集 半導体レーザー誕生50年後の今)
• レーザー学会産業賞を受賞して : 通信用半導体量子ドットレーザー

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