1.3ミクロン帯pドープ量子ドットレーザ : 20〜90℃での温度安定な低駆動電流10Gb/s直接変調動作(量子効果デバイス(光信号処理,LD,光増幅,変調等)と集積化技術,一般)
スポンサーリンク
概要
- 論文の詳細を見る
量子ドットレーザの様々な優れた特性が近年実証されつつある.我々は新たに提案してきた量子ドットレーザの動作モデルをもとに,量子ドット層の多層化により高利得化した活性層構造でダンピングによる帯域制限を緩和するように短共振器構造を最適化するとともに,量子ドット活性層近傍へのpドープによって温度依存性を低減することで,変調電流25.4mA_<p-p>,バイアス電流23.4mAという低い駆動電流での10Gb/s動作を,20〜90℃へと周囲温度が変化しても駆動電流無調整で実現した.さらに,この動作モデルを用いて量子ドットレーザの高速化への指針を明らかにする.
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2006-06-23
著者
-
山本 剛之
(株)富士通研究所
-
荒川 泰彦
東京大学生産技術研究所ナノエレクトロニクス連携研究センター
-
荒川 泰彦
東京大学ナノ量子情報エレクトロニクス研究機構:東京大学生産技術研究所:東京大学先端技術研究所
-
石田 充
東京大学ナノ量子情報エレクトロニクス研究機構
-
中田 義昭
(株)富士通研究所
-
石田 充
東京大学生産技術研究所
-
羽鳥 伸明
東京大学生産技術研究所
-
大坪 孝二
(財)光産業技術振興協会
-
山本 剛之
(財)光産業技術振興協会
-
中田 義昭
東京大学生産技術研究所
-
江部 広治
東京大学生産技術研究所
-
菅原 充
(財)光産業技術振興協会
-
中田 義昭
(株)富士通研究所:(株)qdレーザ
-
菅原 充
(株)富士通研究所:富士通(株):(株)qdレーザ:(財)光産業技術振興協会
-
荒川 泰彦
東京大学生産技術研究所
-
羽鳥 伸明
東京大学生産技術研究所:東京大学ナノエレクトロニクス連携研究センター
-
大坪 孝二
(株)富士通研究所:富士通(株):技術研究組合光電子融合基盤技術研究所
-
大坪 孝二
富士通研:富士通:光産業技術振興協会
-
菅原 充
(株)QDレーザ
-
羽鳥 伸明
フォトニクス・エレクトロニクス融合システム基盤技術開発研究機構
-
荒川 泰彦
フォトニクス・エレクトニクス融合システム基盤技術開発研究機構:東京大学生産技術研究所
-
羽鳥 伸明
富士通研究所
-
羽鳥 伸明
Institute for Photonics-Electronics Convergence System Technology:Photonics Electronics Technology Research Association
関連論文
- 超伝導デバイスを用いた光信号波形モニタリング技術の開発(省エネルギーと超高速インターネット-デバイス,省エネルギーと超高速インターネット,一般)
- 波長1.3μm帯InAs/GaAs量子ドットレーザ : 単一モード化,高速化の検討(量子効果デバイス(光信号処理,LD,光増幅,変調等)と集積化技術,一般,材料デバイスサマーミーティング)
- 省電力・高性能光I/O技術開発(省エネルギーと超高速インターネット-デバイス,省エネルギーと超高速インターネット,一般)
- ダイナミックレンジ拡大波長変換器の開発(省エネルギーと超高速インターネット-デバイス,省エネルギーと超高速インターネット,一般)
- InP系マッハツェンダ変調器の高速化の検討
- 高アスペクト比ドライエッチング技術を用いて作製したシリコンフォトニック結晶デバイス(光パッシブコンポネント(フィルタ,コネクタ,MEMS),シリコンフォトニクス,光ファイバ,一般)
- C-3-24 超小型PD集積型1次元フォトニック結晶分散補償モジュール(フォトニック結晶ファイバ・素子,C-3.光エレクトロニクス,一般講演)
- C-3-81 1次元結合欠陥型フォトニック結晶分散補償器(補償デバイス,C-3.光エレクトロニクス,一般講演)
- フォトニック結晶を用いた分散補償素子の作製検討(光集積回路/素子, スイッチング, PLC, ファイバ型デバイス, 導波路解析, 一般)
- 一次元フォトニック結晶の作製と応用(化合物混晶半導体デバイス・材料(含むSiGe,ワイドギャップ半導体),一般)
- SC-1-9 フォトニック結晶の分散制御と光素子への応用
- テーパ導波路FBHレーザの電極長の理論検討
- 1.3ミクロン帯pドープ量子ドットレーザ : 20〜90℃での温度安定な低駆動電流10Gb/s直接変調動作(量子効果デバイス(光信号処理,LD,光増幅,変調等)と集積化技術,一般)
- B-12-11 量子ドットレーザを用いた温度無依存10Gbps 300m-MMF伝送(B-12.フォトニックネットワーク,一般講演)
- C-4-29 40Gb/s 直接変調動作実現をめざした自己形成量子ドットレーザの設計
- 40G/100Gイーサネット標準に向けた省電力・高性能光I/O技術の開発(省エネルギーと超高速ネットワーク,省エネルギーと超高速ネットワーク,一般)
- 高抵抗埋め込みテーパ導波路レーザ
- 高抵抗埋め込みテーパ導波路レーザの低しきい値化の検討
- C-4-30 1.3μm帯量子ドットDFBレーザの広温度範囲10.3Gb/s動作(C-4.レーザ・量子エレクトロニクス,一般セッション)
- 容量装荷型進行波電極によるInP系マッハツェンダ変調器の高速・低電圧動作の検討(超高速・大容量光伝送処理,デバイス技術,及び一般)
- 量子ドット光デバイス (特集 研究開発最前線)
- C-4-8 InP系マッハ・ツェンダ変調器による10Gb/sゼロ・負チャープ動作(C-4.レーザ・量子エレクトロニクス,一般セッション)
- 1.3μm帯フォトニック結晶ナノ共振器レーザの室温連続発振(半導体レーザ関連技術,及び一般)
- InAs量子ドットマイクロディスクレーザの室温発振特性(半導体レーザ関連技術,及び一般)
- 波長1.3μm帯InAs/GaAs量子ドットレーザ : 単一モード化,高速化の検討(量子効果デバイス(光信号処理,LD,光増幅,変調等)と集積化技術,一般,材料デバイスサマーミーティング)
- 波長1.3μm帯高抵抗埋め込みAlGaInAs歪量子井戸DFBレーザの高速直接変調(半導体レーザ関連技術,及び一般)
- AlGaInAs系電界吸収型変調器集積λ/4シフトDFBレーザの高出力10Gb/s動作(半導体レーザ関連技術,及び一般)
- C-4-28 波長1.3μm帯AlGaInAs系DRレーザの25.8Gbps 50℃直接変調動作(C-4.レーザ・量子エレクトロニクス,一般セッション)
- レーザー
- 1.3ミクロン帯pドープ量子ドットレーザ : 20〜90℃での温度安定な低駆動電流10Gb/s直接変調動作(量子効果デバイス(光信号処理,LD,光増幅,変調等)と集積化技術,一般)
- CBS-2-5 容量装荷型進行波電極を有するInP系高速マッハ・ツェンダ変調器(CBS-2.超高速光通信技術の現状と展望,シンポジウム)
- CBS-2-5 容量装荷型進行波電極を有するInP系高速マッハ・ツェンダ変調器(CBS-2.超高速光通信技術の現状と展望,シンポジウム)
- C-4-24 InP系マッハツェンダ変調器における駆動電圧(2V_)一定の低チャープ10Gb/s広波長帯域(30nm)動作(C-4. レーザ・量子エレクトロニクス(変調器・受光器), エレクトロニクス1)
- 容量装荷型進行波電極によるInP系マッハツェンダ変調器の高速・低電圧動作の検討(超高速・大容量光伝送処理,デバイス技術,及び一般)
- 容量装荷型進行波電極によるInP系マッハツェンダ変調器の高速・低電圧動作の検討(超高速・大容量光伝送処理,デバイス技術,及び一般)
- InP系マッハツェンダ変調器の高速化の検討
- 近接場光学顕微鏡による量子ナノ構造の極微小領域光物性の観測
- マーカによるPLCプラットフォームへのLD無調芯実装
- InP系マッハツェンダ変調器の高速化の検討
- 高抵抗埋め込みテーパ導波路レーザ
- フォトニック結晶を用いた分散補償素子の作製検討(光集積回路/素子, スイッチング, PLC, ファイバ型デバイス, 導波路解析, 一般)
- フォトニック結晶を用いた分散補償素子の作製検討(光集積回路/素子, スイッチング, PLC, ファイバ型デバイス, 導波路解析, 一般)
- フォトニック結晶を用いた分散補償素子の作製検討(光集積回路/素子, スイッチング, PLC, ファイバ型デバイス, 導波路解析, 一般)
- 一次元フォトニック結晶の作製と応用(化合物混晶半導体デバイス・材料(含むSiGe,ワイドギャップ半導体),一般)
- 一次元フォトニック結晶の作製と応用(化合物混晶半導体デバイス・材料(含むSiGe,ワイドギャップ半導体),一般)
- 集積化光伝導ダイポールアンテナによるテラヘルツ光の発生と検出
- 通信用フォトニック結晶デバイスと光集積回路(ナノ光技術・電子技術,次世代ナノテクノロジー論文)
- 集積化光伝導ダイポールアンテナによるテラヘルツ光の発生と検出
- 集積化光伝導ダイポールアンテナによるテラヘルツ光の発生と検出
- CS-5-3 半導体レーザの40Gbps超高速直接変調(CS-5.新たな転機を迎えた通信用送受信デバイスの動向,シンポジウムセッション)
- C-4-4 10G-EPONへ向けた波長1.27μm帯量子ドットDFBレーザ(C-4.レーザ・量子エレクトロニクス,一般セッション)
- C-3-56 スローライト型Si変調器の1nmの波長範囲での1V_10Gb/s動作(光スイッチ・光変調器(1),C-3.光エレクトロニクス,一般セッション)
- C-3-55 側面格子型Si光変調器の10GHz変調動作(光スイッチ・光変調器(1),C-3.光エレクトロニクス,一般セッション)
- 高密度化による波長1.3μm帯InAs/GaAs量子ドットレーザの特性向上(光部品・電子デバイス実装技術,一般)
- 高密度化による波長1.3μm帯InAs/GaAs量子ドットレーザの特性向上(光部品・電子デバイス実装技術,一般)
- 高密度化による波長1.3μm帯InAs/GaAs量子ドットレーザの特性向上(光部品・電子デバイス実装技術,一般)
- 高密度化による波長1.3μm帯InAs/GaAs量子ドットレーザの特性向上(光部品・電子デバイス実装技術,一般)
- 低駆動電流40-Gbps直接変調動作に向けたAlGaInAs系高抵抗埋め込み型DRレーザ(半導体レーザ関連技術,及び一般)
- 24aTH-3 2次元チャネルによるInAs自己形成ドットのコンダクタンススペクトロスコピー(量子ドット(実験),領域4,半導体,メゾスコピック系・局在)
- SLALOMを光位相比較器として用いたPLLによるクロック再生
- SLALOMを光位相比較器として用いたPLLによるクロック再生
- SLALOMを光位相比較器として用いたPLLによるクロック再生
- 1.3μm帯InGaAsP/InP量子井戸レーザにおける利得の温度依存性
- 走査型近接場光学顕微鏡による半導体量子ナノ構造の物性計測
- 26p-YC-6 磁場中の単一量子ドット分光
- Stranski-Krastanov成長モードによる量子ドットの自然形成
- ユビキタス情報化社会の実現に向けたナノテクノロジーの展望
- 200Kにて動作する量子ドット単一光子源
- 半導体ナノ構造の形成技術とそのナノメートルスケール光物性
- 半導体レ-ザ-の新しい展開-ナノ構造と微小共振器を有するレ-ザ--
- 量子箱レーザの特性 : ボトルネックの問題は越えられるか
- 半導体ナノ構造の作製技術と量子化デバイスへの展開 ( ミクロを創る 2.半導体-3)
- 量子ナノ構造を有する半導体レーザー
- テーパ導波路FBHレーザとシングルモードファイバとの結合特性
- テーパ導波路FBHレーザの変調特性
- C-4-15 波長1.3μm帯AlGaInAs系高抵抗埋め込み型DRレーザの40Gbps直接変調による5km伝送(C-4.レーザ・量子エレクトロニクス,一般セッション)
- 低駆動電流40Gbps直接変調動作に向けたAlGaInAs系高抵抗埋め込み型DRレーザ(半導体レーザ関連技術,及び一般)
- C-3-53 光源・光変調器・受光器を単一シリコン基板上に集積した光電子融合システム(シリコンフォトニクス,C-3.光エレクトロニクス,一般セッション)
- C-3-21 チップ間光インターコネクトへ向けたSi基板上高密度集積光源(光インターコネクション,C-3.光エレクトロニクス,一般セッション)
- C-4-17 AlGaInAs系高抵抗埋め込み型DRレーザの高速直接変調動作(C-4.レーザ・量子エレクトロニクス,一般セッション)
- 波長1.27μm帯高密度量子ドットDFBレーザの研究開発(光部品・電子デバイス実装技術,一般)
- 波長1.27μm帯高密度量子ドットDFBレーザの研究開発(光部品・電子デバイス実装技術,一般)
- 波長1.27μm帯高密度量子ドットDFBレーザの研究開発(光部品・電子デバイス実装技術,一般)
- 波長1.27μm帯高密度量子ドットDFBレーザの研究開発(光部品・電子デバイス実装技術,一般)
- 波長1.27μm帯高密度量子ドットDFBレーザの研究開発
- C-4-3 波長1.3μm帯AlGaInAs系DRレーザのアンクールド低駆動電流25.8Gbps直接変調動作(C-4.レーザ・量子エレクトロニクス,一般セッション)
- チップ間光インターコネクションに向けた多チャンネル高密度ハイブリッド集積光源(半導体レーザ関連技術,及び一般)
- 高温(220℃)における1300nm帯量子ドットレーザの連続発振(半導体レーザ関連技術,及び一般)
- 温調フリー光送信器の実現に向けたシリコン細線外部共振器レーザ(半導体レーザ関連技術,及び一般)
- 4-4 光ファイバ通信用直接変調レーザの高速化(4.光デバイスの最前線,世界的な競争領域にある最先端デバイス技術)
- トライデント型光スポットサイズ変換器を用いたSi基板上集積光源(量子光学,非線形光学,超高速現象,レーザ基礎,及び一般)
- C-3-66 単一シリコン基板上にレーザ・光分岐器・光変調器・受光器を集積したシリコン光インターポーザの12.5Gbps動作実証(シリコンフォトニクス,C-3.光エレクトロニクス,一般セッション)
- C-4-11 波長1.3μm帯AlGaInAs系DRレーザの50Gbps直接変調と10km伝送(C-4.レーザ・量子エレクトロニクス,一般セッション)
- C-3-61 シリコンフォトニクス集積回路用多チャンネル光源(シリコンフォトニクス,C-3.光エレクトロニクス,一般セッション)
- 近赤外光デバイスに向けた径方向InP/InAsP量子井戸ナノワイヤの形成(窒化物及び混晶半導体デバイス,及び一般)
- 近赤外光デバイスに向けた径方向InP/InAsP量子井戸ナノワイヤの形成(窒化物及び混晶半導体デバイス,及び一般)
- 近赤外光デバイスに向けた径方向InP/InAsP量子井戸ナノワイヤの形成(窒化物及び混晶半導体デバイス,及び一般)
- AlGaInAs系高抵抗埋め込み型DRレーザの超高速直接変調(半導体レーザ関連技術,及び一般)
- C-4-2 波長1.3μm帯AIGalnAs系DRレーザアレイの50℃同時駆動43Gb/s直接変調と10km伝送(C-4.レーザ・量子エレクトロニクス,一般セッション)
- 光ファイバ通信用直接変調レーザの高速化