C-4-3 波長1.3μm帯AlGaInAs系DRレーザのアンクールド低駆動電流25.8Gbps直接変調動作(C-4.レーザ・量子エレクトロニクス,一般セッション)
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概要
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- 2012-03-06
著者
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植竹 理人
株式会社富士通研究所
-
山本 剛之
(株)富士通研究所
-
山本 剛之
(株)富士通研究所:富士通(株):(財)光産業技術振興協会
-
植竹 理人
(株)富士通研究所
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下山 峰史
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奥村 滋一
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植竹 理人
富士通研究所
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下山 峰史
株式会社富士通研究所
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松田 学
株式会社富士通研究所
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山本 剛之
フォトニクス・エレクトロニクス融合システム基盤技術開発研究機構
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植竹 理人
技術研究組合光電子融合基盤技術研究所
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松田 学
技術研究組合光電子融合基盤技術研究所
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江川 満
技術研究組合光電子融合基盤技術研究所
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松田 学
(株)富士通研究所:富士通(株):技術研究組合光電子融合基盤技術研究所
-
江川 満
富士通(株):(財)光産業技術振興協会
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山本 剛之
技術研究組合光電子融合基盤技術研究所:富士通(株):(株)富士通研究所
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江川 満
技術研究組合光電子融合基盤技術研究所:富士通(株):(株)富士通研究所
-
下山 峰史
技術研究組合光電子融合基盤技術研究所
-
下山 峰史
技術研究組合光電子融合基盤技術研究所:富士通(株):(株)富士通研究所
-
山本 剛之
(株)QDレーザ
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