下山 峰史 | 株式会社富士通研究所
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概要
関連著者
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下山 峰史
株式会社富士通研究所
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鍬塚 治彦
株式会社富士通研究所
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石川 浩
株式会社富士通研究所
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石川 浩
フェムト秒テクノロジー研究機構
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山本 剛之
(株)富士通研究所
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鍬塚 治彦
(独)産業技術総合研究所
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石川 浩
(独)産業技術総合研究所
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山本 剛之
(株)富士通研究所:富士通(株):(財)光産業技術振興協会
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奥村 滋一
(株)富士通研究所
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下山 峰史
産業技術総合研究所
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松田 学
株式会社富士通研究所
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江川 満
富士通(株):(財)光産業技術振興協会
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山本 剛之
技術研究組合光電子融合基盤技術研究所:富士通(株):(株)富士通研究所
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植竹 理人
株式会社富士通研究所
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植竹 理人
(株)富士通研究所
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下山 峰史
(株)富士通研究所
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石川 浩
産業技術総合研 ネットワークフォトニクス研究セ
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江川 満
技術研究組合光電子融合基盤技術研究所:富士通(株):(株)富士通研究所
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下山 峰史
技術研究組合光電子融合基盤技術研究所:富士通(株):(株)富士通研究所
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山本 剛之
(株)QDレーザ
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江川 満
(株)富士通研究所
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植竹 理人
富士通研究所
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山本 剛之
フォトニクス・エレクトロニクス融合システム基盤技術開発研究機構
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植竹 理人
技術研究組合光電子融合基盤技術研究所
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松田 学
技術研究組合光電子融合基盤技術研究所
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江川 満
技術研究組合光電子融合基盤技術研究所
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松田 学
(株)富士通研究所:富士通(株):技術研究組合光電子融合基盤技術研究所
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下山 峰史
技術研究組合光電子融合基盤技術研究所
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秋山 知之
富士通研
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秋山 知之
株式会社富士通研究所
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山本 剛之
技術研究組合光電子融合基盤技術研究所
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山本 剛之
技術研究組合光電子融台基盤技術研究所:フォトニクス・エレクトロニクス融合システム基盤技術開発研究機構
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苫米地 秀一
(株)富士通研究所
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江川 満
株式会社富士通研究所
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小滝 裕二
(株)富士通研究所
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小滝 裕二
株式会社富士通研究所
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山本 剛之
株式会社富士通研究所
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松田 学
富士通研究所
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秋山 知之
富士通(株):(財)光産業技術振興協会
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高林 和雅
(株)富士通研究所
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早川 明憲
(株)富士通研究所
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須藤 久男
(株)富士通研究所
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高林 和雄
(株)富士通研究所
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奥村 滋一
株式会社富士通研究所
著作論文
- C-4-8 InP系マッハ・ツェンダ変調器による10Gb/sゼロ・負チャープ動作(C-4.レーザ・量子エレクトロニクス,一般セッション)
- OPE2000-42 / LQE2000-36 半導体DFBレーザ内の四光波混合による光短パルス波長変換
- OPE2000-42 / LQE2000-36 半導体DFBレーザ内の四光波混合による光短パルス波長変換
- 反転分布状態にある圧縮歪量子井戸の三次光非線形感受率
- 反転分布状態にある圧縮歪量子井戸の三次光非線形感受率
- DFB半導体レーザ内での非縮退四光波混合による波長変換
- C-4-15 波長1.3μm帯AlGaInAs系高抵抗埋め込み型DRレーザの40Gbps直接変調による5km伝送(C-4.レーザ・量子エレクトロニクス,一般セッション)
- C-4-17 AlGaInAs系高抵抗埋め込み型DRレーザの高速直接変調動作(C-4.レーザ・量子エレクトロニクス,一般セッション)
- C-4-3 波長1.3μm帯AlGaInAs系DRレーザのアンクールド低駆動電流25.8Gbps直接変調動作(C-4.レーザ・量子エレクトロニクス,一般セッション)
- AlGaInAs系高抵抗埋め込み型DRレーザの超高速直接変調(半導体レーザ関連技術,及び一般)