山本 剛之 | フォトニクス・エレクトロニクス融合システム基盤技術開発研究機構
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概要
関連著者
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山本 剛之
フォトニクス・エレクトロニクス融合システム基盤技術開発研究機構
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山本 剛之
(株)富士通研究所:富士通(株):(財)光産業技術振興協会
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山本 剛之
(株)QDレーザ
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山本 剛之
(株)富士通研究所
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山本 剛之
技術研究組合光電子融合基盤技術研究所:富士通(株):(株)富士通研究所
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荒川 泰彦
フォトニクス・エレクトニクス融合システム基盤技術開発研究機構:東京大学生産技術研究所
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荒川 泰彦
東京大学ナノ量子情報エレクトロニクス研究機構:東京大学生産技術研究所:東京大学先端技術研究所
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田中 有
(株)富士通研究所:(株)qdレーザ
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田中 有
(株)富士通研究所
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山口 正臣
(株)QDレーザ
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西 研一
(株)QDレーザ
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菅原 充
(株)富士通研究所:富士通(株):(株)qdレーザ:(財)光産業技術振興協会
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菅原 充
(株)QDレーザ
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羽鳥 伸明
フォトニクス・エレクトロニクス融合システム基盤技術開発研究機構
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西 研一
株式会社qdレーザ
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山口 正臣
(株)富士通研究所
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荒川 泰彦
東京大学ナノエレクトロニクス連携研究センター
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松本 武
(株)富士通研究所
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高田 幹
東京大学ナノ量子情報エレクトロニクス研究機構
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中田 義昭
(株)富士通研究所
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中田 義昭
(株)富士通研究所:(株)qdレーザ
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江川 満
富士通(株):(財)光産業技術振興協会
-
江川 満
技術研究組合光電子融合基盤技術研究所:富士通(株):(株)富士通研究所
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江川 満
(株)富士通研究所
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羽鳥 伸明
東京大学生産技術研究所:東京大学ナノエレクトロニクス連携研究センター
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影山 健夫
(株)QDレーザ
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山本 剛之
技術研究組合光電子融合基盤技術研究所
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影山 健生
株式会社qdレーザ
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羽鳥 伸明
技術研究組合光電子融合基盤技術研究所:フォトニクス・エレクトロニクス融合システム基盤技術開発研究機構
-
影山 健生
(株)QDレーザ
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羽鳥 伸明
富士通研究所
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羽鳥 伸明
Institute for Photonics-Electronics Convergence System Technology:Photonics Electronics Technology Research Association
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山本 剛之
技術研究組合光電子融台基盤技術研究所:フォトニクス・エレクトロニクス融合システム基盤技術開発研究機構
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植竹 理人
株式会社富士通研究所
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秋山 傑
(株)富士通研究所
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前多 泰成
(株)QDレーザ
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植竹 理人
(株)富士通研究所
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奥村 滋一
(株)富士通研究所
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臼杵 達哉
東京大学ナノ量子情報エレクトロニクス研究機構:富士通研究所
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植竹 理人
富士通研究所
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松田 学
株式会社富士通研究所
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荒川 泰彦
フォトニクス・エレクトロニクス融合システム基盤技術開発研究機構
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臼杵 達哉
フォトニクス・エレクトロニクス融合システム基盤技術開発研究機構:(株)富士通研究所
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植竹 理人
技術研究組合光電子融合基盤技術研究所
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松田 学
技術研究組合光電子融合基盤技術研究所
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江川 満
技術研究組合光電子融合基盤技術研究所
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松田 学
(株)富士通研究所:富士通(株):技術研究組合光電子融合基盤技術研究所
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前多 泰成
株式会社QDレーザ
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持田 励雄
株式会社QDレーザ
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武政 敬三
株式会社QDレーザ
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持田 励雄
(株)QDレーザ
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武政 敬三
(株)QDレーザ
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中村 隆宏
フォトニクス・エレクトニクス融合システム基盤技術開発研究機構:技術研究組合光電子融合基盤技術研究所
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秋山 傑
富士通研究所
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岡野 誠
フォトニクス・エレクトロニクス融合システム基盤技術開発研究機構
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臼杵 達哉
Institute for Photonics-Electronics Convergence System Technology:Photonics Electronics Technology Research Association
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倉橋 輝雄
(株)富士通研究所
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馬場 威
フォトニクス・エレクトロニクス融合システム基盤技術開発研究機構:(株)富士通研究所
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岡野 誠
フォトニクス・エレクトロニクス融合システム基盤技術開発研究機構(PECST)
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森 雅彦
フォトニクス・エレクトロニクス融合システム基盤技術開発研究機構
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近藤 勇人
株式会社QDレーザ
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近藤 勇人
(株)QDレーザ
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石坂 政茂
フォトニクス・エレクトニクス融合システム基盤技術開発研究機構:技術研究組合光電子融合基盤技術研究所
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倉橋 輝雄
富士通研究所
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賣野 豊
フォトニクス・エレクトニクス融合システム基盤技術開発研究機構:技術研究組合光電子融合基盤技術研究所
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賣野 豊
フォトニクス・エレクトロニクス融合システム基盤技術開発研究機構
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馬場 威
技術研究組合光電子融合基盤技術研究所(PETRA):フォトニクス・エレクトロニクス融合システム基盤技術開発研究機構(PECST)
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清水 隆徳
フォトニクス・エレクトロニクス融合システム基盤技術開発研究機構
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倉橋 輝雄
株式会社富士通研究所
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高田 幹
株式会社富士通研究所
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高田 幹
東大ナノ量子情報エレクトロニクス研究機構
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清水 隆徳
日本電気株式会社システムプラットフォーム研究所
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下山 峰史
(株)富士通研究所
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賣野 豊
NECシステムプラットフォーム研究所
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下山 峰史
株式会社富士通研究所
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秋山 傑
フォトニクス・エレクトロニクス融合システム基盤技術開発研究機構
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馬場 威
フォトニクス・エレクトロニクス融合システム基盤技術開発研究機構
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臼杵 達哉
フォトニクス・エレクトロニクス融合システム基盤技術開発研究機構
-
中村 隆宏
フォトニクス・エレクトロニクス融合システム基盤技術開発研究機構(pecst):技術研究組合光電子融合基盤技術研究所(petra)
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下山 峰史
技術研究組合光電子融合基盤技術研究所
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下山 峰史
技術研究組合光電子融合基盤技術研究所:富士通(株):(株)富士通研究所
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清水 隆徳
フォトニクス・エレクトロニクス融合システム基盤技術開発研究機構(PECST)
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清水 隆徳
技術研究組合光電子融合基盤技術研究所:フォトニクス・エレクトロニクス融合システム基盤技術開発研究機構
-
岡野 誠
フォトニクス・エレクトロニクス融合システム基盤技術開発研究機構:産業技術総合研究所
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石坂 政茂
技術研究組合光電子融合基盤技術研究所:フォトニクス・エレクトロニクス融合システム基盤技術開発研究機構
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臼杵 達哉
フォトニクス・エレクトニクス融合システム基盤技術開発研究機構:技術研究組合光電子融合基盤技術研究所
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清水 隆徳
フォトニクス・エレクトロニクス融合システム基盤技術開発研究機構:光電子融合基盤技術研究所
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中村 隆宏
Institute for Photonics-Electronics Convergence System Technology:Photonics Electronics Technology Research Association
-
清水 隆徳
技術研究組合光電子融合基盤技術研究所:フォトにクス・エケクトロニクス融合システム基盤技術開発研究機構
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石田 充
東京大学ナノ量子情報エレクトロニクス研究機構
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宋 海智
(株)富士通研究所
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森 雅彦
産業技術総合研究所 光技術研究部門
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大坪 孝二
(株)富士通研究所:富士通(株):技術研究組合光電子融合基盤技術研究所
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大坪 孝二
富士通研:富士通:光産業技術振興協会
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大坪 孝二
技術研究組合光電子融合基盤技術研究所
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荒川 泰彦
フォトニクス・エレクトロニクス融合システム基盤技術開発研究機構:東京大学生産技術研究所
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関口 茂昭
株式会社富士通研究所
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荒川 泰彦
東大ナノ量子機構
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土澤 泰
Nttマイクロシステムインテグレーション研究所
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渡辺 俊文
Nttマイクロシステムインテグレーション研究所
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鄭 錫換
富士通株式会社
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田中 有
富士通研究所
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斉藤 恵美子
日本電気株式会社ナノエレタトロニクス研究所:(財)光産業技術振興協会
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関口 茂昭
(株)富士通研究所
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森戸 健
(株)富士通研究所
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赤川 武志
日本電気株式会社ナノエレクトロニクス研究所
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森戸 健
株式会社富士通研究所
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森戸 健
財団法人光産業技術振興協会:富士通株式会社光モジュール事業本部
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山田 浩治
NTTマイクロシステムインテグレーション研究所
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板橋 聖一
NTTマイクロシステムインテグレーション研究所
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田中 信介
(株)富士通研究所
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鄭 錫煥
富士通株式会社
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荒川 泰彦
東大ナノ量子情報エレクトロニクス研究機構:東大生産技術研究所
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鄭 錫煥
(株)富士通研究所
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森戸 健
富士通株式会社:技術研究組合光電子融合基盤技術研究所
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土澤 泰
Nttマイクロシステム研
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関口 茂昭
富士通株式会社:技術研究組合光電子融合基盤技術研究所
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森戸 健
富士通研究所
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岡山 秀彰
フォトニクス・エレクトロニクス融合システム基盤技術開発研究機構
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高橋 博之
フォトニクス・エレクトロニクス融合システム基盤技術開発研究機構
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山田 浩治
Nttマイクロシステム研
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関口 茂昭
富士通研究所
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田中 信介
富士通研究所
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森戸 健
富士通研
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臼杵 達哉
富士通研究所
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岡山 秀彰
フォトニクス・エレクトロニクス融合システム基盤技術開発研究機構:沖電気工業(株)研究開発センタ
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岡本 大典
フォトニクス・エレクトロニクス融合システム基盤技術開発研究機構:技術研究組合光電子融合基盤技術研究所
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藤方 潤一
フォトニクス・エレクトロニクス融合システム基盤技術開発研究機構:技術研究組合光電子融合基盤技術研究所
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賣野 豊
フォトニクス・エレクトロニクス融合システム基盤技術開発研究機構(PECST)
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野口 将高
フォトニクス・エレクトロニクス融合システム基盤技術開発研究機構
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赤川 武志
フォトニクス・エレクトロニクス融合システム基盤技術開発研究機構
-
秋山 傑
技術研究組合光電子融合基盤技術研究所(PETRA)
-
馬場 威
技術研究組合光電子融合基盤技術研究所(PETRA)
-
臼杵 達哉
技術研究組合光電子融合基盤技術研究所(PETRA)
-
野口 将高
フォトニクス・エレクトロニクス融合システム基盤技術開発研究機構:技術研究組合光電子融合基盤技術研究所
-
石坂 政茂
フォトニクス・エレクトロニクス融合システム基盤技術開発研究機構(PECST)
-
三浦 真
フォトニクス・エレクトロニクス融合システム基盤技術開発研究機構(PECST)
-
志村 大輔
フォトニクス・エレクトロニクス融合システム基盤技術開発研究機構(PECST)
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土澤 泰
フォトニクス・エレクトロニクス融合システム基盤技術開発研究機構(PECST)
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渡辺 俊文
フォトニクス・エレクトロニクス融合システム基盤技術開発研究機構(PECST)
-
山田 浩治
フォトニクス・エレクトロニクス融合システム基盤技術開発研究機構(PECST)
-
板橋 聖一
フォトニクス・エレクトロニクス融合システム基盤技術開発研究機構(PECST)
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斉藤 恵美子
フォトニクス・エレクトロニクス融合システム基盤技術開発研究機構(PECST)
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羽鳥 伸明
技術研究組合光電子融合基盤技術研究所
-
石坂 政茂
技術研究組合光電子融合基盤技術研究所
-
賣野 豊
技術研究組合光電子融合基盤技術研究所
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中村 隆宏
技術研究組合光電子融合基盤技術研究所
-
三浦 真
フォトニクス・エレクトロニクス融合システム基盤技術開発研究機構(pecst):技術研究組合光電子融合基盤技術研究所(petra)
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志村 大輔
フォトニクス・エレクトロニクス融合システム基盤技術開発研究機構(pecst):技術研究組合光電子融合基盤技術研究所(petra)
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岡山 秀彰
フォトニクス・エレクトロニクス融合システム基盤技術開発研究機構(pecst):技術研究組合光電子融合基盤技術研究所(petra)
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山本 剛之
富士通研究所
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山田 浩治
フォトニクス・エレクトニクス融合システム基盤技術開発研究機構:nttマイクロシステムインテグレーション研究所
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藤方 潤一
フォトニクス・エレクトニクス融合システム基盤技術開発研究機構:技術研究組合光電子融合基盤技術研究所
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山本 剛之
フォトニクス・エレクトロニクス融合システム基盤技術開発研究機構:技術研究組合光電子融合基盤技術研究所
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堀川 剛
フォトニクス・エレクトニクス融合システム基盤技術開発研究機構:独立行政法人産業技術総合研究所
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鄭 錫煥
富士通研究所
-
岡山 秀彰
フォトニクス・エレクトロニクス融合システム基盤技術開発研究機構沖電気工業株式会社研究開発センタ
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岡山 秀彰
Institute for Photonics-Electronics Convergence System Technology:Photonics Electronics Technology Research Association
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山田 浩治
Institute for Photonics-Electronics Convergence System Technology:NTT Microsystem Integration Laboratories
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土澤 泰
日本電信電話株式会社NTTマイクロシステムインテグレーション研究所:日本電信電話株式会社ナノフォトニクスセンタ
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山田 浩治
NTT
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野口 将高
光電子融合基盤技術研究所
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羽鳥 伸明
技術研究組合光電子融台基盤技術研究所:フォトニクス・エレクトロニクス融合システム基盤技術開発研究機構
-
清水 隆徳
技術研究組合光電子融台基盤技術研究所:フォトニクス・エレクトロニクス融合システム基盤技術開発研究機構
-
石坂 政茂
技術研究組合光電子融台基盤技術研究所:フォトニクス・エレクトロニクス融合システム基盤技術開発研究機構
-
臼杵 達哉
技術研究組合光電子融合基盤技術研究所
-
秋山 傑
技術研究組合光電子融合基盤技術研究所
-
馬場 威
技術研究組合光電子融合基盤技術研究所
-
清水 隆徳
フォトニクス・エレクトロニクス融合基盤技術開発機構(PECST):光電子融合基盤技術研究所(PETRA)
著作論文
- CS-5-3 半導体レーザの40Gbps超高速直接変調(CS-5.新たな転機を迎えた通信用送受信デバイスの動向,シンポジウムセッション)
- C-4-4 10G-EPONへ向けた波長1.27μm帯量子ドットDFBレーザ(C-4.レーザ・量子エレクトロニクス,一般セッション)
- C-3-56 スローライト型Si変調器の1nmの波長範囲での1V_10Gb/s動作(光スイッチ・光変調器(1),C-3.光エレクトロニクス,一般セッション)
- C-3-55 側面格子型Si光変調器の10GHz変調動作(光スイッチ・光変調器(1),C-3.光エレクトロニクス,一般セッション)
- 高密度化による波長1.3μm帯InAs/GaAs量子ドットレーザの特性向上(光部品・電子デバイス実装技術,一般)
- 高密度化による波長1.3μm帯InAs/GaAs量子ドットレーザの特性向上(光部品・電子デバイス実装技術,一般)
- C-4-15 波長1.3μm帯AlGaInAs系高抵抗埋め込み型DRレーザの40Gbps直接変調による5km伝送(C-4.レーザ・量子エレクトロニクス,一般セッション)
- 低駆動電流40Gbps直接変調動作に向けたAlGaInAs系高抵抗埋め込み型DRレーザ(半導体レーザ関連技術,及び一般)
- カスケード接続リング共振器を用いたスローライトSi変調器(光パッシブコンポネント(フィルタ,コネクタ,MEMS),シリコンフォトニクス,光ファイバ,一般)
- C-3-53 光源・光変調器・受光器を単一シリコン基板上に集積した光電子融合システム(シリコンフォトニクス,C-3.光エレクトロニクス,一般セッション)
- C-3-21 チップ間光インターコネクトへ向けたSi基板上高密度集積光源(光インターコネクション,C-3.光エレクトロニクス,一般セッション)
- C-4-17 AlGaInAs系高抵抗埋め込み型DRレーザの高速直接変調動作(C-4.レーザ・量子エレクトロニクス,一般セッション)
- 波長1.27μm帯高密度量子ドットDFBレーザの研究開発(光部品・電子デバイス実装技術,一般)
- 波長1.27μm帯高密度量子ドットDFBレーザの研究開発(光部品・電子デバイス実装技術,一般)
- 波長1.27μm帯高密度量子ドットDFBレーザの研究開発(光部品・電子デバイス実装技術,一般)
- 波長1.27μm帯高密度量子ドットDFBレーザの研究開発(光部品・電子デバイス実装技術,一般)
- C-4-3 波長1.3μm帯AlGaInAs系DRレーザのアンクールド低駆動電流25.8Gbps直接変調動作(C-4.レーザ・量子エレクトロニクス,一般セッション)
- チップ間光インターコネクションに向けた多チャンネル高密度ハイブリッド集積光源(半導体レーザ関連技術,及び一般)
- 高温(220℃)における1300nm帯量子ドットレーザの連続発振(半導体レーザ関連技術,及び一般)
- 温調フリー光送信器の実現に向けたシリコン細線外部共振器レーザ(半導体レーザ関連技術,及び一般)
- チップ間光インターコネクションに向けた多チャンネル高密度ハイブリッド集積光源
- C-3-71 大容量チップ間光インターコネクション向けハイブリッド集積光源の1200チャンネル動作(光周波数・位相制御,C-3.光エレクトロニクス,一般セッション)