田中 有 | (株)富士通研究所:(株)qdレーザ

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概要

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• (株)富士通研究所:(株)qdレーザの論文著者

関連著者

• 田中 有

  (株)富士通研究所:(株)qdレーザ

• 荒川 泰彦

  東京大学ナノ量子情報エレクトロニクス研究機構:東京大学生産技術研究所:東京大学先端技術研究所

• 田中 有

  (株)富士通研究所

• 荒川 泰彦

  フォトニクス・エレクトニクス融合システム基盤技術開発研究機構:東京大学生産技術研究所

• 山本 剛之

  (株)富士通研究所

• 山本 剛之

  (株)富士通研究所:富士通(株):(財)光産業技術振興協会

• 松本 武

  (株)富士通研究所

• 山口 正臣

  (株)QDレーザ

• 西 研一

  (株)QDレーザ

• 菅原 充

  (株)富士通研究所:富士通(株):(株)qdレーザ:(財)光産業技術振興協会

• 菅原 充

  (株)QDレーザ

• 西 研一

  株式会社qdレーザ

• 山口 正臣

  (株)富士通研究所

• 高田 幹

  東京大学ナノ量子情報エレクトロニクス研究機構

• 中田 義昭

  (株)富士通研究所

• 中田 義昭

  (株)富士通研究所:(株)qdレーザ

• 山本 剛之

  (株)QDレーザ

• 荒川 泰彦

  東京大学ナノエレクトロニクス連携研究センター

• 山本 剛之

  技術研究組合光電子融合基盤技術研究所:富士通(株):(株)富士通研究所

• 江川 満

  (株)富士通研究所

• 高田 幹

  東大ナノ量子情報エレクトロニクス研究機構

• 山本 剛之

  フォトニクス・エレクトロニクス融合システム基盤技術開発研究機構

• 高田 幹

  株式会社富士通研究所

• 前多 泰成

  (株)QDレーザ

• 宋 海智

  (株)富士通研究所

• 江川 満

  富士通(株):(財)光産業技術振興協会

• 前多 泰成

  株式会社QDレーザ

• 石田 充

  東京大学ナノ量子情報エレクトロニクス研究機構

• 影山 健夫

  (株)QDレーザ

• 江川 満

  技術研究組合光電子融合基盤技術研究所:富士通(株):(株)富士通研究所

• 影山 健生

  株式会社qdレーザ

• 影山 健生

  (株)QDレーザ

• 持田 励雄

  株式会社QDレーザ

• 武政 敬三

  株式会社QDレーザ

• 持田 励雄

  (株)QDレーザ

• 武政 敬三

  (株)QDレーザ

• 近藤 勇人

  株式会社QDレーザ

• 近藤 勇人

  (株)QDレーザ

• 関口 茂昭

  株式会社富士通研究所

• 関口 茂昭

  (株)富士通研究所

• 森戸 健

  (株)富士通研究所

• 菅原 充

  (株)富士通研究所

• 森戸 健

  財団法人光産業技術振興協会:富士通株式会社光モジュール事業本部

• 田中 信介

  (株)富士通研究所

• 荒川 泰彦

  東大ナノ量子情報エレクトロニクス研究機構:東大生産技術研究所

• 鄭 錫煥

  (株)富士通研究所

• 関口 茂昭

  富士通株式会社:技術研究組合光電子融合基盤技術研究所

• 田中 信介

  富士通研究所

• 荒川 泰彦

  フォトニクス・エレクトロニクス融合システム基盤技術開発研究機構

• 森戸 健

  富士通研

• 荒川 泰彦

  東大ナノ量子機構

• 秋山 知之

  (株)富士通研究所

• 倉橋 輝雄

  (株)富士通研究所

• 倉橋 輝雄

  富士通研究所

• 浅見 徹

  Kddi研究所

• 浅見 徹

  東京大学大学院情報理工学系研究科

• 浅見 徹

  株式会社kdd研究所

• 浅見 徹

  株式会社kddi研究所

• 尾中 寛

  (株)富士通研究所

• 鄭 錫換

  富士通株式会社

• 並木 周

  古河電気工業株式会社ファイテルフォトニクス研究所:(現)(独)産業技術総合研究所光技術研究部門

• 田中 有

  富士通研究所

• 秋山 傑

  (株)富士通研究所

• 小山田 公之

  NHK

• 富沢 将人

  日本電信電話株式会社未来ねっと研究所:(財)光産業技術振興協会

• 小山田 公之

  日本放送協会

• 田中 有

  技術研究組合 フェムト秒テクノロジー研究機構

• 森戸 健

  株式会社富士通研究所

• 石川 浩

  産業技術総合研究所 ネットワークフォトニクス研究センター

• 黒須 隆行

  (独)産業技術総合研究所

• 小山田 公之

  日本放送協会放送技術研究所

• 小山田 公之

  Nhk放送技術研究所ネットワークシステム

• 小山田 公之

  日本放送協会 放送技術研究所 システム

• 尾中 寛

  技術研究組合光電子融合基盤技術研究所:富士通株式会社

• 並木 周

  産業技術総合研究所

• 鄭 錫煥

  富士通株式会社

• 奥村 滋一

  (株)富士通研究所

• 森戸 健

  富士通株式会社:技術研究組合光電子融合基盤技術研究所

• 石川 浩

  (独)産業技術総合研究所・ネットワークフォトニクス研究センター

• 富澤 将人

  日本電信電話(株)未来ねっと研究所:技術研究組合光電子融合基盤技術研究所

• 臼杵 達哉

  東京大学ナノ量子情報エレクトロニクス研究機構:富士通研究所

• 黒須 隆行

  産業技術総合研究所

• 尾中 寛

  株式会社富士通研究所:(財)光産業技術振興協会

• 森戸 健

  富士通研究所

• 羽鳥 伸明

  東京大学生産技術研究所:東京大学ナノエレクトロニクス連携研究センター

• 関口 茂昭

  富士通研究所

• 羽鳥 伸明

  フォトニクス・エレクトロニクス融合システム基盤技術開発研究機構

• 小山田 公之

  Nhk放送技術研究所 デジタルネットワーク

• 臼杵 達哉

  フォトニクス・エレクトロニクス融合システム基盤技術開発研究機構:(株)富士通研究所

• 臼杵 達哉

  富士通研究所

• 井出 聡

  富士通(株):技術研究組合光電子融合基盤技術研究所

• 尾中 寛

  富士通株式会社

• 安岡 奈美

  富士通(株):(財)光産業技術振興協会

• 石川 浩

  産業技術総合研 ネットワークフォトニクス研究セ

• 羽鳥 伸明

  技術研究組合光電子融合基盤技術研究所:フォトニクス・エレクトロニクス融合システム基盤技術開発研究機構

• 山本 剛之

  富士通研究所

• 安岡 奈美

  技術研究組合光電子融合基盤技術研究所:(株)富士通研究所

• 尾中 寛

  富士通株式会社フォトニクス事業本部

• 鄭 錫煥

  富士通研究所

• 羽鳥 伸明

  富士通研究所

• 秋山 傑

  富士通研究所

• 井出 聡

  富士通株式会社

• 田中 有

  富士通株式会社

• 有賀 博

  三菱電機(株)情報技術総合研究所

• 江川 満

  富士通株式会社

• 荒川 泰彦

  東京大学大学院情報理工学系研究科

• 有賀 博

  三菱電機(株)情報技術総合研究所:技術研究組合光電子融合基盤技術研究所

• 奥村 滋一

  技術研究組合光電子融合基盤技術研究所

• 江川 満

  富士通株式会社:技術研究組合光電子融合基盤技術研究所

• 井出 聡

  富士通株式会社:技術研究組合光電子融合基盤技術研究所

• 富澤 将人

  日本電信電話(株)未来ねっと研究所

• 臼杵 達哉

  Institute for Photonics-Electronics Convergence System Technology:Photonics Electronics Technology Research Association

• 羽鳥 伸明

  Institute for Photonics-Electronics Convergence System Technology:Photonics Electronics Technology Research Association

• 倉橋 輝雄

  株式会社富士通研究所

• 浅見 徹

  東京大学大学院情報工学系研究科

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著作論文

• 波長1.3μm帯InAs/GaAs量子ドットレーザ : 単一モード化,高速化の検討(量子効果デバイス(光信号処理,LD,光増幅,変調等)と集積化技術,一般,材料デバイスサマーミーティング)
• C-4-30 1.3μm帯量子ドットDFBレーザの広温度範囲10.3Gb/s動作(C-4.レーザ・量子エレクトロニクス,一般セッション)
• 波長1.3μm帯InAs/GaAs量子ドットレーザ : 単一モード化,高速化の検討(量子効果デバイス(光信号処理,LD,光増幅,変調等)と集積化技術,一般,材料デバイスサマーミーティング)
• C-4-4 10G-EPONへ向けた波長1.27μm帯量子ドットDFBレーザ(C-4.レーザ・量子エレクトロニクス,一般セッション)
• 高密度化による波長1.3μm帯InAs/GaAs量子ドットレーザの特性向上(光部品・電子デバイス実装技術,一般)
• 高密度化による波長1.3μm帯InAs/GaAs量子ドットレーザの特性向上(光部品・電子デバイス実装技術,一般)
• 高密度化による波長1.3μm帯InAs/GaAs量子ドットレーザの特性向上(光部品・電子デバイス実装技術,一般)
• 高密度化による波長1.3μm帯InAs/GaAs量子ドットレーザの特性向上(光部品・電子デバイス実装技術,一般)
• 波長1.27μm帯高密度量子ドットDFBレーザの研究開発 (光エレクトロニクス)
• 波長1.27μm帯高密度量子ドットDFBレーザの研究開発(光部品・電子デバイス実装技術,一般)
• 波長1.27μm帯高密度量子ドットDFBレーザの研究開発(光部品・電子デバイス実装技術,一般)
• 波長1.27μm帯高密度量子ドットDFBレーザの研究開発(光部品・電子デバイス実装技術,一般)
• 波長1.27μm帯高密度量子ドットDFBレーザの研究開発(光部品・電子デバイス実装技術,一般)
• C-4-26 コラムナ量子ドット半導体光増幅器アレイの高温・広帯域動作(C-4.レーザ・量子エレクトロニクス,一般セッション)
• 高温(220℃)における1300nm帯量子ドットレーザの連続発振(半導体レーザ関連技術,及び一般)
• 温調フリー光送信器の実現に向けたシリコン細線外部共振器レーザ(半導体レーザ関連技術,及び一般)
• 次世代超高精細映像に向けた超高速LAN-SANシステム化技術とその要素技術開発(省エネルギーと超高速ネットワーク,インターネットと環境・エコロジー,一般)
• C-3-58 リング装荷遅延干渉計を用いたSi細線型波長合分波器(シリコンフォトニクス,C-3.光エレクトロニクス,一般セッション)
• C-3-65 リング共振器装荷型光変調器を集積したシリコンフォトニクス送信部の波長無調整10Gb/s動作(シリコンフォトニクス,C-3.光エレクトロニクス,一般セッション)

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