山口 正臣 | (株)富士通研究所
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概要
関連著者
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田中 有
(株)富士通研究所
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(株)富士通研究所
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田中 有
(株)富士通研究所:(株)qdレーザ
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西 研一
株式会社qdレーザ
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山本 剛之
フォトニクス・エレクトロニクス融合システム基盤技術開発研究機構
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(株)富士通研究所
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株式会社QDレーザ
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影山 健生
(株)QDレーザ
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石田 充
東京大学ナノ量子情報エレクトロニクス研究機構
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影山 健夫
(株)QDレーザ
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株式会社qdレーザ
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持田 励雄
(株)QDレーザ
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武政 敬三
(株)QDレーザ
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江川 満
富士通(株):(財)光産業技術振興協会
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技術研究組合光電子融合基盤技術研究所:富士通(株):(株)富士通研究所
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持田 励雄
株式会社QDレーザ
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武政 敬三
株式会社QDレーザ
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近藤 勇人
株式会社QDレーザ
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近藤 勇人
(株)QDレーザ
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(株)富士通研究所
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荒川 泰彦
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東大ナノ量子情報エレクトロニクス研究機構:東大生産技術研究所
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フォトニクス・エレクトロニクス融合システム基盤技術開発研究機構
著作論文
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- C-4-30 1.3μm帯量子ドットDFBレーザの広温度範囲10.3Gb/s動作(C-4.レーザ・量子エレクトロニクス,一般セッション)
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- C-4-4 10G-EPONへ向けた波長1.27μm帯量子ドットDFBレーザ(C-4.レーザ・量子エレクトロニクス,一般セッション)
- 高密度化による波長1.3μm帯InAs/GaAs量子ドットレーザの特性向上(光部品・電子デバイス実装技術,一般)
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- 波長1.27μm帯高密度量子ドットDFBレーザの研究開発(光部品・電子デバイス実装技術,一般)
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- 高温(220℃)における1300nm帯量子ドットレーザの連続発振(半導体レーザ関連技術,及び一般)
- 高温(220℃)における1300nm帯量子ドットレーザの連続発振