田中 有 | (株)富士通研究所

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• 田中 有

  (株)富士通研究所

• 西 研一

  (株)QDレーザ

• 田中 有

  (株)富士通研究所:(株)qdレーザ

• 菅原 充

  (株)QDレーザ

• 山本 剛之

  (株)富士通研究所

• 山口 正臣

  (株)QDレーザ

• 山口 正臣

  (株)富士通研究所

• 荒川 泰彦

  東京大学ナノエレクトロニクス連携研究センター

• 荒川 泰彦

  東京大学ナノ量子情報エレクトロニクス研究機構:東京大学生産技術研究所:東京大学先端技術研究所

• 松本 武

  (株)富士通研究所

• 高田 幹

  東京大学ナノ量子情報エレクトロニクス研究機構

• 中田 義昭

  (株)富士通研究所

• 中田 義昭

  (株)富士通研究所:(株)qdレーザ

• 菅原 充

  (株)富士通研究所:富士通(株):(株)qdレーザ:(財)光産業技術振興協会

• 山本 剛之

  (株)富士通研究所:富士通(株):(財)光産業技術振興協会

• 西 研一

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  フォトニクス・エレクトニクス融合システム基盤技術開発研究機構:東京大学生産技術研究所

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  (株)QDレーザ

• 山本 剛之

  技術研究組合光電子融合基盤技術研究所:富士通(株):(株)富士通研究所

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• 影山 健生

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• 武政 敬三

  株式会社QDレーザ

• 江川 満

  富士通(株):(財)光産業技術振興協会

• 江川 満

  技術研究組合光電子融合基盤技術研究所:富士通(株):(株)富士通研究所

• 持田 励雄

  株式会社QDレーザ

• 近藤 勇人

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• 近藤 勇人

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• 菅原 充

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• 関口 茂昭

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• 関口 茂昭

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• 森戸 健

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• 森戸 健

  財団法人光産業技術振興協会:富士通株式会社光モジュール事業本部

• 田中 信介

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  東大ナノ量子情報エレクトロニクス研究機構:東大生産技術研究所

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  (株)富士通研究所

• 秋山 知之

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• 関口 茂昭

  富士通株式会社:技術研究組合光電子融合基盤技術研究所

• 田中 信介

  富士通研究所

• 森戸 健

  富士通研

• 倉橋 輝雄

  (株)富士通研究所

• 荒川 泰彦

  フォトニクス・エレクトロニクス融合システム基盤技術開発研究機構

• 田中 有

  (株)富士通研究所次世代ものづくり技術研究センター

• 倉橋 輝雄

  富士通研究所

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著作論文

• 波長1.3μm帯InAs/GaAs量子ドットレーザ : 単一モード化,高速化の検討(量子効果デバイス(光信号処理,LD,光増幅,変調等)と集積化技術,一般,材料デバイスサマーミーティング)
• C-4-30 1.3μm帯量子ドットDFBレーザの広温度範囲10.3Gb/s動作(C-4.レーザ・量子エレクトロニクス,一般セッション)
• 波長1.3μm帯InAs/GaAs量子ドットレーザ : 単一モード化,高速化の検討(量子効果デバイス(光信号処理,LD,光増幅,変調等)と集積化技術,一般,材料デバイスサマーミーティング)
• C-4-4 10G-EPONへ向けた波長1.27μm帯量子ドットDFBレーザ(C-4.レーザ・量子エレクトロニクス,一般セッション)
• 高密度化による波長1.3μm帯InAs/GaAs量子ドットレーザの特性向上(光部品・電子デバイス実装技術,一般)
• 高密度化による波長1.3μm帯InAs/GaAs量子ドットレーザの特性向上(光部品・電子デバイス実装技術,一般)
• 高密度化による波長1.3μm帯InAs/GaAs量子ドットレーザの特性向上(光部品・電子デバイス実装技術,一般)
• 高密度化による波長1.3μm帯InAs/GaAs量子ドットレーザの特性向上(光部品・電子デバイス実装技術,一般)
• 量子ドットを用いた半導体レーザーの低消費電力化
• 波長1.27μm帯高密度量子ドットDFBレーザの研究開発(光部品・電子デバイス実装技術,一般)
• 波長1.27μm帯高密度量子ドットDFBレーザの研究開発(光部品・電子デバイス実装技術,一般)
• 波長1.27μm帯高密度量子ドットDFBレーザの研究開発(光部品・電子デバイス実装技術,一般)
• 波長1.27μm帯高密度量子ドットDFBレーザの研究開発(光部品・電子デバイス実装技術,一般)
• 8.量子ドットレーザの最近の開発状況と実用化展開(ナノデバイス)
• 波長1.27μm帯高密度量子ドットDFBレーザの研究開発
• 高温(220℃)における1300nm帯量子ドットレーザの連続発振(半導体レーザ関連技術,及び一般)
• 高温(220℃)における1300nm帯量子ドットレーザの連続発振
• C-3-58 リング装荷遅延干渉計を用いたSi細線型波長合分波器(シリコンフォトニクス,C-3.光エレクトロニクス,一般セッション)
• C-3-65 リング共振器装荷型光変調器を集積したシリコンフォトニクス送信部の波長無調整10Gb/s動作(シリコンフォトニクス,C-3.光エレクトロニクス,一般セッション)

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