石田 充 | 東京大学ナノ量子情報エレクトロニクス研究機構
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概要
関連著者
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荒川 泰彦
東京大学ナノ量子情報エレクトロニクス研究機構:東京大学生産技術研究所:東京大学先端技術研究所
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石田 充
東京大学ナノ量子情報エレクトロニクス研究機構
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菅原 充
(株)富士通研究所:富士通(株):(株)qdレーザ:(財)光産業技術振興協会
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荒川 泰彦
フォトニクス・エレクトニクス融合システム基盤技術開発研究機構:東京大学生産技術研究所
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山本 剛之
(株)富士通研究所
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中田 義昭
(株)富士通研究所:(株)qdレーザ
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菅原 充
(株)QDレーザ
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中田 義昭
(株)富士通研究所
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荒川 泰彦
東京大学ナノエレクトロニクス連携研究センター
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松本 武
(株)富士通研究所
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江川 満
(株)富士通研究所
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田中 有
(株)富士通研究所
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高田 幹
東京大学ナノ量子情報エレクトロニクス研究機構
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宋 海智
(株)富士通研究所
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山口 正臣
(株)QDレーザ
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西 研一
(株)QDレーザ
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高田 幹
株式会社富士通研究所
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高田 幹
東大ナノ量子情報エレクトロニクス研究機構
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山本 剛之
(株)富士通研究所:富士通(株):(財)光産業技術振興協会
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田中 有
(株)富士通研究所:(株)qdレーザ
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西 研一
株式会社qdレーザ
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山口 正臣
(株)富士通研究所
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山本 剛之
技術研究組合光電子融合基盤技術研究所:富士通(株):(株)富士通研究所
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江川 満
富士通(株):(財)光産業技術振興協会
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江川 満
技術研究組合光電子融合基盤技術研究所:富士通(株):(株)富士通研究所
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山本 剛之
(株)QDレーザ
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荒川 泰彦
東京大学生産技術研究所ナノエレクトロニクス連携研究センター
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菅原 充
(株)富士通研究所
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石田 充
東京大学生産技術研究所
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江部 広治
東京大学生産技術研究所
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荒川 泰彦
東京大学生産技術研究所
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羽鳥 伸明
東京大学生産技術研究所:東京大学ナノエレクトロニクス連携研究センター
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大坪 孝二
(株)富士通研究所:富士通(株):技術研究組合光電子融合基盤技術研究所
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大坪 孝二
富士通研:富士通:光産業技術振興協会
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羽鳥 伸明
フォトニクス・エレクトロニクス融合システム基盤技術開発研究機構
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羽鳥 伸明
富士通研究所
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羽鳥 伸明
Institute for Photonics-Electronics Convergence System Technology:Photonics Electronics Technology Research Association
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前多 泰成
(株)QDレーザ
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羽鳥 伸明
東京大学生産技術研究所
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大坪 孝二
(財)光産業技術振興協会
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山本 剛之
(財)光産業技術振興協会
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中田 義昭
東京大学生産技術研究所
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菅原 充
(財)光産業技術振興協会
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山本 剛之
フォトニクス・エレクトロニクス融合システム基盤技術開発研究機構
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前多 泰成
株式会社QDレーザ
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河合 正昭
富士通株式会社
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井出 聡
(株)富士通研究所
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荒川 泰彦
東京大学 ナノ量子情報エレクトロニクス研究機構
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山端 徹次
(株)富士通研究所
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森 和行
(株)富士通研究所
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河合 正昭
(株)富士通研究所
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石田 充
東京大学 生産技術研究所
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館林 潤
東京大学ナノエレクトロニクス連携研究センター
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羽鳥 伸明
東京大学ナノエレクトロニクス連携研究センター
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江部 広治
東京大学ナノエレクトロニクス連携研究センター
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須藤 久男
富士通研究所
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倉又 朗人
富士通研究所
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菅原 充
東京大学ナノエレクトロニクス連携研究センター
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羽島 伸明
東京大学生産研
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秋山 知之
富士通研
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大坪 孝二
富士通研
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中田 義昭
富士通研
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菅原 充
東京大学生産研
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河合 正昭
株式会社富士通研究所:富士通株式会社
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森 和行
富士通
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森 和行
富士通(株)
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中田 義昭
富士通研究所
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秋山 知之
富士通研究所
-
秋山 知之
富士通(株):(財)光産業技術振興協会
-
須藤 久男
(株)富士通研究所
-
館林 潤
東京大学生産技術研究所
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倉又 朗人
株式会社富士通研究所
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井出 聡
富士通(株):技術研究組合光電子融合基盤技術研究所
-
羽島 伸明
東京大学生産研:東京大学ナノエレ連携研センタ
-
羽鳥 伸明
技術研究組合光電子融合基盤技術研究所:フォトニクス・エレクトロニクス融合システム基盤技術開発研究機構
著作論文
- 波長1.3μm帯InAs/GaAs量子ドットレーザ : 単一モード化,高速化の検討(量子効果デバイス(光信号処理,LD,光増幅,変調等)と集積化技術,一般,材料デバイスサマーミーティング)
- 1.3ミクロン帯pドープ量子ドットレーザ : 20〜90℃での温度安定な低駆動電流10Gb/s直接変調動作(量子効果デバイス(光信号処理,LD,光増幅,変調等)と集積化技術,一般)
- B-12-11 量子ドットレーザを用いた温度無依存10Gbps 300m-MMF伝送(B-12.フォトニックネットワーク,一般講演)
- MOCVD法によるGaAs基板上InAs量子ドットレーザの1.3μm帯室温連続発振(半導体レーザ関連技術,及び一般)
- C-4-29 40Gb/s 直接変調動作実現をめざした自己形成量子ドットレーザの設計
- 波長1.3μm帯InAs/GaAs量子ドットレーザ : 単一モード化,高速化の検討(量子効果デバイス(光信号処理,LD,光増幅,変調等)と集積化技術,一般,材料デバイスサマーミーティング)
- 1.3ミクロン帯pドープ量子ドットレーザ : 20〜90℃での温度安定な低駆動電流10Gb/s直接変調動作(量子効果デバイス(光信号処理,LD,光増幅,変調等)と集積化技術,一般)
- 高密度化による波長1.3μm帯InAs/GaAs量子ドットレーザの特性向上(光部品・電子デバイス実装技術,一般)
- 高密度化による波長1.3μm帯InAs/GaAs量子ドットレーザの特性向上(光部品・電子デバイス実装技術,一般)
- 高密度化による波長1.3μm帯InAs/GaAs量子ドットレーザの特性向上(光部品・電子デバイス実装技術,一般)
- 高密度化による波長1.3μm帯InAs/GaAs量子ドットレーザの特性向上(光部品・電子デバイス実装技術,一般)