西 研一 | 株式会社qdレーザ

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概要

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• 西 研一

  (株)QDレーザ

• 西 研一

  株式会社qdレーザ

• 菅原 充

  (株)富士通研究所:富士通(株):(株)qdレーザ:(財)光産業技術振興協会

• 菅原 充

  (株)QDレーザ

• 荒川 泰彦

  東京大学ナノ量子情報エレクトロニクス研究機構:東京大学生産技術研究所:東京大学先端技術研究所

• 荒川 泰彦

  フォトニクス・エレクトニクス融合システム基盤技術開発研究機構:東京大学生産技術研究所

• 山本 剛之

  (株)富士通研究所

• 田中 有

  (株)富士通研究所

• 山口 正臣

  (株)QDレーザ

• 山本 剛之

  (株)富士通研究所:富士通(株):(財)光産業技術振興協会

• 田中 有

  (株)富士通研究所:(株)qdレーザ

• 山口 正臣

  (株)富士通研究所

• 荒川 泰彦

  東京大学ナノエレクトロニクス連携研究センター

• 松本 武

  (株)富士通研究所

• 高田 幹

  東京大学ナノ量子情報エレクトロニクス研究機構

• 中田 義昭

  (株)富士通研究所

• 中田 義昭

  (株)富士通研究所:(株)qdレーザ

• 山本 剛之

  (株)QDレーザ

• 山本 剛之

  技術研究組合光電子融合基盤技術研究所:富士通(株):(株)富士通研究所

• 前多 泰成

  (株)QDレーザ

• 高田 幹

  株式会社富士通研究所

• 高田 幹

  東大ナノ量子情報エレクトロニクス研究機構

• 山本 剛之

  フォトニクス・エレクトロニクス融合システム基盤技術開発研究機構

• 前多 泰成

  株式会社QDレーザ

• 武政 敬三

  株式会社QDレーザ

• 江川 満

  (株)富士通研究所

• 宋 海智

  (株)富士通研究所

• 影山 健生

  株式会社qdレーザ

• 影山 健生

  (株)QDレーザ

• 石田 充

  東京大学ナノ量子情報エレクトロニクス研究機構

• 影山 健夫

  (株)QDレーザ

• 持田 励雄

  株式会社QDレーザ

• 武政 敬三

  (株)QDレーザ

• 江川 満

  富士通(株):(財)光産業技術振興協会

• 江川 満

  技術研究組合光電子融合基盤技術研究所:富士通(株):(株)富士通研究所

• 近藤 勇人

  株式会社QDレーザ

• 持田 励雄

  (株)QDレーザ

• 近藤 勇人

  (株)QDレーザ

• 菅原 充

  (株)富士通研究所

• 荒川 泰彦

  東大ナノ量子機構

• 荒川 泰彦

  東大ナノ量子情報エレクトロニクス研究機構:東大生産技術研究所

• 荒川 泰彦

  フォトニクス・エレクトロニクス融合システム基盤技術開発研究機構

• 横山 吉隆

  Nec光エレ研

• 横山 吉隆

  株式会社QDレーザ

• 西 研一

  東京大学ナノ量子情報エレクトロニクス研究機構

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著作論文

• 波長1.3μm帯InAs/GaAs量子ドットレーザ : 単一モード化,高速化の検討(量子効果デバイス(光信号処理,LD,光増幅,変調等)と集積化技術,一般,材料デバイスサマーミーティング)
• C-4-30 1.3μm帯量子ドットDFBレーザの広温度範囲10.3Gb/s動作(C-4.レーザ・量子エレクトロニクス,一般セッション)
• 波長1.3μm帯InAs/GaAs量子ドットレーザ : 単一モード化,高速化の検討(量子効果デバイス(光信号処理,LD,光増幅,変調等)と集積化技術,一般,材料デバイスサマーミーティング)
• C-4-4 10G-EPONへ向けた波長1.27μm帯量子ドットDFBレーザ(C-4.レーザ・量子エレクトロニクス,一般セッション)
• 高密度化による波長1.3μm帯InAs/GaAs量子ドットレーザの特性向上(光部品・電子デバイス実装技術,一般)
• 高密度化による波長1.3μm帯InAs/GaAs量子ドットレーザの特性向上(光部品・電子デバイス実装技術,一般)
• 高密度化による波長1.3μm帯InAs/GaAs量子ドットレーザの特性向上(光部品・電子デバイス実装技術,一般)
• 高密度化による波長1.3μm帯InAs/GaAs量子ドットレーザの特性向上(光部品・電子デバイス実装技術,一般)
• ファイバーレーザー種光源用1064nm DFBレーザー
• 波長1.27μm帯高密度量子ドットDFBレーザの研究開発(光部品・電子デバイス実装技術,一般)
• 波長1.27μm帯高密度量子ドットDFBレーザの研究開発(光部品・電子デバイス実装技術,一般)
• 波長1.27μm帯高密度量子ドットDFBレーザの研究開発(光部品・電子デバイス実装技術,一般)
• 波長1.27μm帯高密度量子ドットDFBレーザの研究開発(光部品・電子デバイス実装技術,一般)
• 高温(220℃)における1300nm帯量子ドットレーザの連続発振(半導体レーザ関連技術,及び一般)
• 光通信用量子ドットレーザーの進展 (特集 半導体レーザー誕生50年後の今)
• レーザー学会産業賞を受賞して : 通信用半導体量子ドットレーザー

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