中田 義昭 | (株)富士通研究所

スポンサーリンク

概要

• 同名の論文著者
• (株)富士通研究所の論文著者

関連著者

• 中田 義昭

  (株)富士通研究所

• 中田 義昭

  (株)富士通研究所:(株)qdレーザ

• 菅原 充

  (株)富士通研究所:富士通(株):(株)qdレーザ:(財)光産業技術振興協会

• 荒川 泰彦

  東京大学ナノ量子情報エレクトロニクス研究機構:東京大学生産技術研究所:東京大学先端技術研究所

• 荒川 泰彦

  フォトニクス・エレクトニクス融合システム基盤技術開発研究機構:東京大学生産技術研究所

• 横山 直樹

  (株)富士通研究所

• 山本 剛之

  (株)富士通研究所

• 菅原 充

  (株)QDレーザ

• 松本 武

  (株)富士通研究所

• 田中 有

  (株)富士通研究所

• 高田 幹

  東京大学ナノ量子情報エレクトロニクス研究機構

• 宋 海智

  (株)富士通研究所

• 山口 正臣

  (株)QDレーザ

• 西 研一

  (株)QDレーザ

• 横山 直樹

  ナノテクノロジー研究センター株式会社富士通研究所

• 荒川 泰彦

  東京大学ナノエレクトロニクス連携研究センター

• 山本 剛之

  (株)富士通研究所:富士通(株):(財)光産業技術振興協会

• 田中 有

  (株)富士通研究所:(株)qdレーザ

• 西 研一

  株式会社qdレーザ

• 山口 正臣

  (株)富士通研究所

• 中田 義昭

  富士通研究所

• 山本 剛之

  (株)QDレーザ

• 山本 剛之

  技術研究組合光電子融合基盤技術研究所:富士通(株):(株)富士通研究所

• 石田 充

  東京大学ナノ量子情報エレクトロニクス研究機構

• 高田 幹

  株式会社富士通研究所

• 高田 幹

  東大ナノ量子情報エレクトロニクス研究機構

• 江川 満

  (株)富士通研究所

• 前多 泰成

  (株)QDレーザ

• 菅原 充

  (株)富士通研究所

• 山本 剛之

  フォトニクス・エレクトロニクス融合システム基盤技術開発研究機構

• 粟野 祐二

  富士通研

• 粟野 祐二

  富士通株式会社

• 粟野 祐二

  (株)富士通研究所

• 影山 健夫

  (株)QDレーザ

• 前多 泰成

  株式会社QDレーザ

• 影山 健生

  (株)QDレーザ

• 武藤 俊一

  北海道大学大学院工学研究科

• 喜多 隆

  神戸大学大学院工学研究科電気電子工学専攻

• 和田 修

  神戸大学大学院工学研究科電気電子工学専攻

• 和田 修

  神戸大院工

• 堀口 直人

  (株)富士通研究所

• 杉山 芳弘

  富士通株式会社

• 横山 直樹

  富士通株式会社

• 喜多 隆

  神戸大院工

• 二木 俊郎

  株式会社富士通研究所

• 喜多 隆

  神戸大学大学院工学研究科

• 田村 暢啓

  神戸大学大学院 自然科学研究科

• ZHANG YUANCHANG

  神戸大学大学院 自然科学研究科

• 江部 広治

  東京大学NCRC IIS

• 中田 義昭

  東京大学NCRC IIS

• 荒川 泰彦

  東京大学NCRC IIS

• 菅原 充

  富士通研究所

• 宮澤 俊之

  (株)富士通研究所

• 大島 利雄

  (株)富士通研究所

• 武藤 俊一

  北海道大学工学部

• 二木 俊郎

  富士通株式会社

• 武藤 俊一

  北海道大学 大学院工学研究科 量子物理工学専攻

• 堀口 直人

  株式会社富士通研究所

• 田村 暢啓

  神戸大学大学院自然科学研究科

• Zhang Yuanchang

  神戸大学大学院自然科学研究科

• 和田 修

  神戸大学大学院 工学研究科 電気電子工学専攻

• 江川 満

  富士通(株):(財)光産業技術振興協会

• 江川 満

  技術研究組合光電子融合基盤技術研究所:富士通(株):(株)富士通研究所

• 影山 健生

  株式会社qdレーザ

• 武政 敬三

  株式会社QDレーザ

• 近藤 勇人

  (株)QDレーザ

• 持田 励雄

  (株)QDレーザ

• 武政 敬三

  (株)QDレーザ

• 佐藤 俊彦

  Erato

• 横山 直樹

  富士通研究所

• 黒田 剛正

  早稲田大学理工学部

• 向井 剛輝

  (株)富士通研究所

• 竹内 淳

  早稲田大 理工

• 羽鳥 伸明

  東京大学生産技術研究所:東京大学ナノエレクトロニクス連携研究センター

• 羽鳥 伸明

  フォトニクス・エレクトロニクス融合システム基盤技術開発研究機構

• 持田 励雄

  株式会社QDレーザ

• 近藤 勇人

  株式会社QDレーザ

• 羽鳥 伸明

  富士通研究所

• Yuanchang Zhang

  神戸大学大学院自然科学研究科

• Yuanchang Zhang

  神戸大学大学院 自然科学研究科

• 羽鳥 伸明

  Institute for Photonics-Electronics Convergence System Technology:Photonics Electronics Technology Research Association

• 太田 剛

  NTT物性基礎研

• 大坪 孝二

  (株)富士通研究所:富士通(株):技術研究組合光電子融合基盤技術研究所

• 大坪 孝二

  富士通研:富士通:光産業技術振興協会

• 樽茶 清悟

  ERATO

• 羽田野 剛司

  ICORP-JST

• 荒川 泰彦

  東大ナノ量子機構

• 荒川 泰彦

  東京大学生産技術研究所ナノエレクトロニクス連携研究センター

• 石田 充

  東京大学生産技術研究所

• 羽鳥 伸明

  東京大学生産技術研究所

• 大坪 孝二

  (財)光産業技術振興協会

• 山本 剛之

  (財)光産業技術振興協会

• 中田 義昭

  東京大学生産技術研究所

• 江部 広治

  東京大学生産技術研究所

• 菅原 充

  (財)光産業技術振興協会

• 中田 義昭

  富士通研

• 羽田野 剛司

  科技団創造

• 樽茶 清悟

  科技団創造

• 樽茶 清悟

  JST

• 臼杵 達哉

  (株)富士通研究所

• 太田 剛

  科技団創造

• 大野 圭司

  Icorp-jst:理研

• 竹内 淳

  早稲田大学理工学部

• 荒川 泰彦

  東京大学生産技術研究所

• 荒川 泰彦

  東大ナノ量子情報エレクトロニクス研究機構:東大生産技術研究所

• 竹内 淳

  早大理工

• 黒田 剛正

  早大理工

• 笹生 竜次郎

  早大理工

• 間瀬 和夫

  早大理工

• 大野 圭司

  理研

• 樽茶 清悟

  ERATO SORST

• 石川 浩

  フェムト秒テクノロジー研究機構

• 太田 剛

  SORST-JST

• 羽鳥 伸明

  東京大学ナノエレクトロニクス連携研究センター

• 江部 広治

  東京大学ナノエレクトロニクス連携研究センター

• 菅原 充

  東京大学ナノエレクトロニクス連携研究センター

• 大野 圭司

  東大理

• 太田 剛

  ERATO

• 宋 海智

  ERATO

• 中田 義昭

  JST

• 佐藤 俊彦

  科技団創造

• 高津 求

  (株)富士通研究所

• 秋山 知之

  富士通株式会社

• 中田 義昭

  富士通株式会社

• 大坪 孝二

  富士通株式会社

• 秋山 知之

  富士通(株):(財)光産業技術振興協会

• 間瀬 和夫

  早稲田大学理工学部

• 向井 剛輝

  富士通研究所

• 石川 浩

  RWCP光インターコネクション富士通研究室

• 五十嵐 悠一

  東大物理,東大物工

• 大野 圭司

  東大物理,東大物工

• 樽茶 清悟

  東大物理,東大物工

• 臼杵 達哉

  株式会社富士通研究所

• 粟野 祐二

  (株)富士通研究所ナノテクノロジー研究センター

• 五十嵐 悠一

  東大理

• 石川 浩

  (株)富士通研究所

• 羽鳥 伸明

  (株)富士通研究所

• 石川 浩

  産業技術総合研 ネットワークフォトニクス研究セ

• 羽田野 剛司

  ERATO/JST

• 羽田野 剛司

  ERATO

• 樽茶 清悟

  ERATO/JST

• 樽茶 清悟

  ERATO/JST:東大理物

もっと見る 閉じる

著作論文

• 波長1.3μm帯InAs/GaAs量子ドットレーザ : 単一モード化,高速化の検討(量子効果デバイス(光信号処理,LD,光増幅,変調等)と集積化技術,一般,材料デバイスサマーミーティング)
• 1.3ミクロン帯pドープ量子ドットレーザ : 20〜90℃での温度安定な低駆動電流10Gb/s直接変調動作(量子効果デバイス(光信号処理,LD,光増幅,変調等)と集積化技術,一般)
• InAs/GaAsコラムナ量子ドットの光学利得偏波特性 : 半導体光増幅器の実現に向けて
• InAs/GaAsコラムナ量子ドットの光学利得偏波特性 : 半導体光増幅器の実現に向けて(フォトニックNW・デバイス, フォトニック結晶・ファイバとその応用, 光集積回路, 光導波路素子, 光スイッチング, 導波路解析, 及び一般)
• 30aYA-2 単独自己形成InAs量子ドットのトンネルスペクトロスコピー(量子ドット(開放型・結合型・その他))(領域4)
• 29aYH-11 一組の自己形成 InAs 二重結合量子ドットにおける殻構造の観測
• 29aYH-10 単独の自己形成 InAs 量子ドットによる単電子トンネルスペクトル測定
• 自己形成InAs量子ドットのホールバーニングメモリ応用
• 自己形成InAsも量子ドットの光電流ホールバーニングの観測
• 自己形成InAs量子ドットの光電流ホールバーニングの観測
• 化合物半導体ナノテクノロジーの現状と将来展望
• C-4-30 1.3μm帯量子ドットDFBレーザの広温度範囲10.3Gb/s動作(C-4.レーザ・量子エレクトロニクス,一般セッション)
• 量子ドット光増幅器と光スイッチ
• 半導体量子ドット間の反強磁性結合による電子スピンの反転(最近の研究から)
• 18aYG-5 半導体量子ドット間の交換相互作用による反強磁性秩序の観測
• 27aYS-4 InAs量子ドット内およびドット間トンネルでの電子スピン緩和
• LQE2000-19 結合量子ドット間のトンネル時間の直接測定
• SC-8-2 自己形成量子ドットの制御とレーザ試作
• 24pYT-4 自己形成強結合InAsドットにおける電子g因子の測定とフント則の観測(量子ドット・量子細線・局在,領域4(半導体, メゾスコピック系・局在))
• 波長1.3μm帯InAs/GaAs量子ドットレーザ : 単一モード化,高速化の検討(量子効果デバイス(光信号処理,LD,光増幅,変調等)と集積化技術,一般,材料デバイスサマーミーティング)
• 1.3ミクロン帯pドープ量子ドットレーザ : 20〜90℃での温度安定な低駆動電流10Gb/s直接変調動作(量子効果デバイス(光信号処理,LD,光増幅,変調等)と集積化技術,一般)
• InAs/GaAsコラムナ量子ドットの光学利得偏波特性 : 半導体光増幅器の実現に向けて(フォトニックNW・デバイス, フォトニック結晶・ファイバとその応用, 光集積回路, 光導波路素子, 光スイッチング, 導波路解析, 及び一般)
• InAs/GaAsコラムナ量子ドットの光学利得偏波特性 : 半導体光増幅器の実現に向けて(フォトニックNW・デバイス, フォトニック結晶・ファイバとその応用, 光集積回路, 光導波路素子, 光スイッチング, 導波路解析, 及び一般)
• InAs/GaAsコラムナ量子ドットの光学利得偏波特性 : 半導体光増幅器の実現に向けて(フォトニックNW・デバイス, フォトニック結晶・ファイバとその応用, 光集積回路, 光導波路素子, 光スイッチング, 導波路解析, 及び一般)
• 自己形成InAs量子ドットのホールバーニングメモリ応用
• 自己形成InAs量子ドットのホールバーニングメモリ応用
• C-4-4 10G-EPONへ向けた波長1.27μm帯量子ドットDFBレーザ(C-4.レーザ・量子エレクトロニクス,一般セッション)
• 高密度化による波長1.3μm帯InAs/GaAs量子ドットレーザの特性向上(光部品・電子デバイス実装技術,一般)
• 高密度化による波長1.3μm帯InAs/GaAs量子ドットレーザの特性向上(光部品・電子デバイス実装技術,一般)
• 高密度化による波長1.3μm帯InAs/GaAs量子ドットレーザの特性向上(光部品・電子デバイス実装技術,一般)
• 高密度化による波長1.3μm帯InAs/GaAs量子ドットレーザの特性向上(光部品・電子デバイス実装技術,一般)
• 22pTH-3 一組の自己形成 InAs 強結合量子ドットの電子輸送特性
• LQE2000-15 InGaAs/GaAs 自己形成量子ドットレーザーの利得測定
• 半導体量子ドットレーザーの進展
• 量子ドットルーザの開発の現状と今後の展望
• 波長1.27μm帯高密度量子ドットDFBレーザの研究開発(光部品・電子デバイス実装技術,一般)
• 波長1.27μm帯高密度量子ドットDFBレーザの研究開発(光部品・電子デバイス実装技術,一般)
• 波長1.27μm帯高密度量子ドットDFBレーザの研究開発(光部品・電子デバイス実装技術,一般)
• 波長1.27μm帯高密度量子ドットDFBレーザの研究開発(光部品・電子デバイス実装技術,一般)
• 波長1.27μm帯高密度量子ドットDFBレーザの研究開発
• 7pSA-12 単独の自己形成InAs量子ドットによる単電子輸送(量子ドット,領域4)

もっと見る 閉じる

スポンサーリンク