SC-8-2 自己形成量子ドットの制御とレーザ試作

スポンサーリンク

概要

• 論文の詳細を見る
• 社団法人電子情報通信学会の論文
• 1999-08-16

著者

• 中田 義昭

  (株)富士通研究所

• 中田 義昭

  富士通研究所

• 向井 剛輝

  富士通研究所

• 向井 剛輝

  (株)富士通研究所

関連論文

• 波長1.3μm帯InAs/GaAs量子ドットレーザ : 単一モード化,高速化の検討(量子効果デバイス(光信号処理,LD,光増幅,変調等)と集積化技術,一般,材料デバイスサマーミーティング)
• 1.3ミクロン帯pドープ量子ドットレーザ : 20〜90℃での温度安定な低駆動電流10Gb/s直接変調動作(量子効果デバイス(光信号処理,LD,光増幅,変調等)と集積化技術,一般)
• C-4-29 40Gb/s 直接変調動作実現をめざした自己形成量子ドットレーザの設計
• InAs/GaAsコラムナ量子ドットの光学利得偏波特性 : 半導体光増幅器の実現に向けて
• InAs/GaAsコラムナ量子ドットの光学利得偏波特性 : 半導体光増幅器の実現に向けて(フォトニックNW・デバイス, フォトニック結晶・ファイバとその応用, 光集積回路, 光導波路素子, 光スイッチング, 導波路解析, 及び一般)
• 30aYA-2 単独自己形成InAs量子ドットのトンネルスペクトロスコピー(量子ドット(開放型・結合型・その他))(領域4)
• 29aYH-11 一組の自己形成 InAs 二重結合量子ドットにおける殻構造の観測
• 29aYH-10 単独の自己形成 InAs 量子ドットによる単電子トンネルスペクトル測定
• 自己形成InAs量子ドットのホールバーニングメモリ応用
• 自己形成InAsも量子ドットの光電流ホールバーニングの観測
• 自己形成InAs量子ドットの光電流ホールバーニングの観測
• 化合物半導体ナノテクノロジーの現状と将来展望
• C-4-30 1.3μm帯量子ドットDFBレーザの広温度範囲10.3Gb/s動作(C-4.レーザ・量子エレクトロニクス,一般セッション)
• 量子ドット光増幅器と光スイッチ
• 量子ドットの偏光制御とSOAへの応用(半導体レーザ及び光パッシブコンポネント, 及び一般)
• 量子ドットの偏光制御とSOAへの応用(半導体レーザ及び光パッシブコンポネント, 及び一般)
• 半導体量子ドット間の反強磁性結合による電子スピンの反転(最近の研究から)
• 18aYG-5 半導体量子ドット間の交換相互作用による反強磁性秩序の観測
• 27aYS-4 InAs量子ドット内およびドット間トンネルでの電子スピン緩和
• LQE2000-19 結合量子ドット間のトンネル時間の直接測定
• SC-8-2 自己形成量子ドットの制御とレーザ試作
• 24pYT-4 自己形成強結合InAsドットにおける電子g因子の測定とフント則の観測(量子ドット・量子細線・局在,領域4(半導体, メゾスコピック系・局在))
• 波長1.3μm帯InAs/GaAs量子ドットレーザ : 単一モード化,高速化の検討(量子効果デバイス(光信号処理,LD,光増幅,変調等)と集積化技術,一般,材料デバイスサマーミーティング)
• 1.3ミクロン帯pドープ量子ドットレーザ : 20〜90℃での温度安定な低駆動電流10Gb/s直接変調動作(量子効果デバイス(光信号処理,LD,光増幅,変調等)と集積化技術,一般)
• InAs/GaAsコラムナ量子ドットの光学利得偏波特性 : 半導体光増幅器の実現に向けて(フォトニックNW・デバイス, フォトニック結晶・ファイバとその応用, 光集積回路, 光導波路素子, 光スイッチング, 導波路解析, 及び一般)
• InAs/GaAsコラムナ量子ドットの光学利得偏波特性 : 半導体光増幅器の実現に向けて(フォトニックNW・デバイス, フォトニック結晶・ファイバとその応用, 光集積回路, 光導波路素子, 光スイッチング, 導波路解析, 及び一般)
• InAs/GaAsコラムナ量子ドットの光学利得偏波特性 : 半導体光増幅器の実現に向けて(フォトニックNW・デバイス, フォトニック結晶・ファイバとその応用, 光集積回路, 光導波路素子, 光スイッチング, 導波路解析, 及び一般)
• 自己形成InAs量子ドットのホールバーニングメモリ応用
• 自己形成InAs量子ドットのホールバーニングメモリ応用
• C-4-4 10G-EPONへ向けた波長1.27μm帯量子ドットDFBレーザ(C-4.レーザ・量子エレクトロニクス,一般セッション)
• 高密度化による波長1.3μm帯InAs/GaAs量子ドットレーザの特性向上(光部品・電子デバイス実装技術,一般)
• 高密度化による波長1.3μm帯InAs/GaAs量子ドットレーザの特性向上(光部品・電子デバイス実装技術,一般)
• 高密度化による波長1.3μm帯InAs/GaAs量子ドットレーザの特性向上(光部品・電子デバイス実装技術,一般)
• 高密度化による波長1.3μm帯InAs/GaAs量子ドットレーザの特性向上(光部品・電子デバイス実装技術,一般)
• 22pTH-3 一組の自己形成 InAs 強結合量子ドットの電子輸送特性
• 多層化自己形成InGaAs量子ドットレーザの室温連続発振
• 自己形成InGaAs量子ドットにおけるフォノンボトルネック現象の観察
• 自己組織化In_Ga_As量子ドットレーザの電流注入によるレーザ発振
• CLEO/QELS 2000報告
• CV測定によるInAs自己形成ドットの量子準位の評価
• CV測定によるInAs自己形成ドットの量子準位の評価
• LQE2000-15 InGaAs/GaAs 自己形成量子ドットレーザーの利得測定
• 半導体量子構造における束縛励起子の自然放射と誘導放射
• 半導体量子ドットレーザーの進展
• 量子ドットルーザの開発の現状と今後の展望
• Conference on Lasers and Electro-Optics/Quantum Electronics and Laser Science Conference (CLEO/QELS 2000)
• 波長1.27μm帯高密度量子ドットDFBレーザの研究開発(光部品・電子デバイス実装技術,一般)
• 波長1.27μm帯高密度量子ドットDFBレーザの研究開発(光部品・電子デバイス実装技術,一般)
• 波長1.27μm帯高密度量子ドットDFBレーザの研究開発(光部品・電子デバイス実装技術,一般)
• 波長1.27μm帯高密度量子ドットDFBレーザの研究開発(光部品・電子デバイス実装技術,一般)
• 波長1.27μm帯高密度量子ドットDFBレーザの研究開発
• 7pSA-12 単独の自己形成InAs量子ドットによる単電子輸送(量子ドット,領域4)

もっと見る 閉じる

スポンサーリンク