自己組織化In_<0.5>Ga_<0.5>As量子ドットレーザの電流注入によるレーザ発振

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概要

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原子層エピタキシーにおける自己組織化メカニズムにより、室温で1.3μm近傍で発光する高均一かつ高発光効率のInGaAs量子ドットを形成できることを見いだし、量子ドットレーザを作製した。共振器長900μmの素子において、電流注入による80K、パルスでのレーザ発振に成功し、しきい値電流1.1 A、発振波長911 nmの特性を得た。エレクトロルミネッセンスの観測においては、離散的な発光ピークを初めて観測し、量子ドットの準位に対応することを示した。さらに、強磁場実験により、3次元量子閉じ込めをともなう量子ドットの高次レベルからのレーザ発振であることを明瞭に示した。
社団法人電子情報通信学会の論文
1996-01-18

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