量子ドットの偏光制御とSOAへの応用(半導体レーザ及び光パッシブコンポネント, 及び一般)
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概要
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In_xGa_<1-x>Asでキャップした自己形成InAs量子ドットの端面フォトルミネッセンス(PL)偏光特性を詳細に調べ、キャップ層のIn組成による偏光特性の変化を明らかにした。GaAsでキャップした量子ドットの端面発光はTE偏光成分が支配的であるが、キャップ層のIn組成xを増加させると、PLピーク波長が長波長側へシフトするとともに、x=0.13ではTM成分がTE成分より強くなることがわかった。また、量子ドット活性層中の光の伝播による偏光特性の変化を調べるため、励起波長を変えた端面PL測定を行うとともに、エレクトロルミネッセンス(EL)、PL偏光スペクトルの比較を行ったので結果を報告する。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2003-12-11
著者
-
和田 修
神戸大院工
-
荒川 泰彦
東京大学ナノ量子情報エレクトロニクス研究機構:東京大学生産技術研究所:東京大学先端技術研究所
-
喜多 隆
神戸大院工
-
江部 広治
東京大学NCRC IIS
-
荒川 泰彦
東京大学NCRC IIS
-
中田 義昭
(株)富士通研究所:(株)qdレーザ
-
中田 義昭
富士通研究所
-
菅原 充
(株)富士通研究所:富士通(株):(株)qdレーザ:(財)光産業技術振興協会
-
田中 宏和
神戸大学自然科学研究科
-
PACHAMUTHU Jayavel
神戸大学自然科学研究科
-
内上 昌裕
神戸大学自然科学研究科
-
喜多 隆
神戸大学自然科学研究科
-
和田 修
神戸大学自然科学研究科
-
菅原 充
東京大学NCRC IIS
-
秋山 知之
富士通研究所
-
秋山 知之
富士通(株):(財)光産業技術振興協会
-
荒川 泰彦
フォトニクス・エレクトニクス融合システム基盤技術開発研究機構:東京大学生産技術研究所
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