21pYH-2 GaAs薄膜における励起子ポラリトン伝播効果の膜厚依存性(21pYH 非線型光学,領域5(光物性))
スポンサーリンク
概要
- 論文の詳細を見る
- 社団法人日本物理学会の論文
- 2008-08-25
著者
-
井須 俊郎
徳島大院
-
小島 磨
神戸大院工
-
和田 修
神戸大院工
-
喜多 隆
神戸大院工
-
渡部 真吾
神戸大学院工
-
小島 磨
神戸大学院工
-
喜多 隆
神戸大学院工
-
和田 修
神戸大学院工
-
井須 俊郎
徳島大学院工
関連論文
- 21aHW-8 高密度多層積層量子ドットにおける励起子緩和ダイナミクス(21aHW 量子井戸・超格子・光応答,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 23aPS-40 GaAs/AlAs超格子における励起子非線形応答の励起光強度依存性(23aPS 領域5ポスターセッション(光電子分光・光誘起相転移等),領域5(光物性))
- 22pPSB-8 窒素をデルタドープしたGaAsにおける発光スペクトルの反磁性シフト(22pPSB 領域5ポスターセッション(微粒子・ナノ結晶等),領域5(光物性))
- 低温成長したAlGdN蛍光体薄膜における深紫外発光効率の向上
- 17pRE-14 GaAs薄膜構造における時間分解反射分光
- 25aXD-6 GaAs薄膜の四光波混号信号のサイズ依存性:理論
- 25aXD-5 GaAs薄膜の四光波混号信号のサイズ依存性:実験
- 内部電場のナノ空間構造による巨大非線形応答
- 27aPS-54 GaAs中の窒素等電子束縛励起子微細構造におけるポピュレーション(領域5ポスターセッション,領域5,光物性)
- 27aPS-28 GaAs薄膜の励起子非線形光学応答制御における第一パルス光強度依存性(領域5ポスターセッション,領域5,光物性)
- 26aXD-13 GaAs/AlAs多重量子井戸における励起子非線形光学応答制御(量子井戸・超格子・光応答,領域4,半導体,メゾスコピック系・局在)
- 22aPS-43 GaAs薄膜における超高速励起子密度制御(22aPS 領域5ポスターセッション,領域5(光物性))
- 21pYH-2 GaAs薄膜における励起子ポラリトン伝播効果の膜厚依存性(21pYH 非線型光学,領域5(光物性))
- 21aYK-11 CdTe/CdMnTe分数層超格子における異方的な磁気光学特性のMn組成分布依存性(21aYK 磁性半導体,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 25pWJ-6 CdTe/CdMnTe分数層超格子における発光線幅の磁場依存性(量子井戸・超格子ほか,領域4,半導体,メゾスコピック系・局在)
- 26aPS-27 GaAs薄膜における複数準位励起下での閉じ込め励起子の過渡反射スペクトル(ポスターセッション,領域5,光物性)
- 22aTG-7 CdTe/CdMnTe分数層超格子における異方的なZeemanシフト(磁性半導体,領域4,半導体,メゾスコピック系・局在)
- 19pTA-6 CdTe/CdMnTe分数層超格子における磁気光学特性の面内異方性(磁性半導体,領域4,半導体,メゾスコピック系・局在)
- 18pTA-11 II-VI族分数層超格子の近接場分光(量子井戸・超格子,領域4,半導体,メゾスコピック系・局在)
- 25aXJ-12 CdTe/CdMnTe量子細線における電子状態の磁場依存性(25aXJ 磁性半導体,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 23pXJ-4 CdTe/CdMnTe量子細線の近接場光学スペクトル(23pXJ 量子細線,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 28pPSB-1 CdTe/CdMnTe量子細線における交換相互作用と電子状態の制御(28pPSB 領域4ポスターセッション,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- InAs/GaAsコラムナ量子ドットの光学利得偏波特性 : 半導体光増幅器の実現に向けて
- InAs/GaAsコラムナ量子ドットの光学利得偏波特性 : 半導体光増幅器の実現に向けて(フォトニックNW・デバイス, フォトニック結晶・ファイバとその応用, 光集積回路, 光導波路素子, 光スイッチング, 導波路解析, 及び一般)
- 23pPSA-91 弱閉じ込め励起子の配向緩和(領域5ポスターセッション,領域5,光物性)
- 19pPSB-15 弱閉じ込め励起子の非線形光学応答に対する励起子準位間干渉効果(ポスターセッション,領域5,光物性)
- 19pPSB-14 GaAs薄膜中弱閉じ込め励起子の発光ダイナミクス(ポスターセッション,領域5,光物性)
- 26aWB-4 GaAs薄膜における弱閉じ込め励起子の量子ビート(26aWB 超高速現象,領域5(光物性))
- 28pRE-7 GaAs薄膜弱閉じ込め励起子の非線形過渡応答(28pRE 超高速現象・非線形光学,領域5(光物性))
- 半導体多重量子井戸構造における励起子量子ビートとコヒーレント光学フォノンとの相互作用
- 19aYD-6 GaAs薄膜弱閉じ込め励起子の超高速非線形光学応答(超高速現象,領域5(光物性))
- 25aXP-8 GaAs/AlAs多重量子井戸におけるコヒーレントLOフォノンからのTHz電磁波発生(超高速現象,領域5(光物性))
- 25aXP-5 銅ハライド薄膜におけるコヒーレントLOフォノン生成の励起エネルギー依存性(超高速現象,領域5(光物性))
- 13pPSA-39 ダブルパルス励起による GaAs/AlAs 多重量子井戸におけるコヒーレント LO フォノンと励起子量子ビートの結合モード(領域 5)
- 12pXC-9 真空蒸着 CuI 薄膜における励起子共鳴励起によるコヒーレント LO フォノンの増強(非線形光学・超高速現象, 領域 5)
- 1.55μm帯ファブリペロー半導体レーザのモードロック動作
- 量子ドットの偏光制御とSOAへの応用(半導体レーザ及び光パッシブコンポネント, 及び一般)
- 量子ドットの偏光制御とSOAへの応用(半導体レーザ及び光パッシブコンポネント, 及び一般)
- InAs/GaAsコラムナ量子ドットの光学利得偏波特性 : 半導体光増幅器の実現に向けて(フォトニックNW・デバイス, フォトニック結晶・ファイバとその応用, 光集積回路, 光導波路素子, 光スイッチング, 導波路解析, 及び一般)
- InAs/GaAsコラムナ量子ドットの光学利得偏波特性 : 半導体光増幅器の実現に向けて(フォトニックNW・デバイス, フォトニック結晶・ファイバとその応用, 光集積回路, 光導波路素子, 光スイッチング, 導波路解析, 及び一般)
- InAs/GaAsコラムナ量子ドットの光学利得偏波特性 : 半導体光増幅器の実現に向けて(フォトニックNW・デバイス, フォトニック結晶・ファイバとその応用, 光集積回路, 光導波路素子, 光スイッチング, 導波路解析, 及び一般)
- 26aWQ-2 強磁性薄膜GdNの強磁性共鳴による研究(26aWQ 磁性半導体・半導体スピン物性,領域4(半導体メゾスコピック系・局在))
- 25aWQ-1 高密度多層積層量子ドットにおけるキャリア移動(25aWQ 量子井戸・超格子,領域4(半導体メゾスコピック系・局在))
- 歪緩和バリア層に埋め込んだInAs量子ドットをもつGaAs/AlAs多層膜光共振器による面型全光スイッチ
- 歪緩和バリア層に埋め込んだInAs量子ドットをもつGaAs/AlAs多層膜光共振器による面型全光スイッチ(フォトニックNW・デバイス,フォトニック結晶・ファイバとその応用,光集積回路,光導波路素子,光スイッチング,導波路解析,及び一般)
- 歪緩和バリア層に埋め込んだInAs量子ドットをもつGaAs/AlAs多層膜光共振器による面型全光スイッチ(フォトニック NW・デバイス,フォトニック結晶・ファイバとその応用,光集積回路,光導波路素子,光スイッチング,導波路解析,及び一般)
- 歪緩和バリア層に埋め込んだInAs量子ドットをもつGaAs/AlAs多層膜光共振器による面型全光スイッチ(フォトニック NW・デバイス,フォトニック結晶・ファイバとその応用,光集積回路,光導波路素子,光スイッチング,導波路解析,及び一般)
- 29a-ZD-4 レーザパルスによる結合二重トラップ中ボーズ・アインシュタイン凝縮原子のトンネル振動制御
- 25a-YQ-10 結合二重トラップ中のボーズ・アインシュタイン凝縮原子の光介在トンネル
- 次世代光デバイス技術--波長可変レーザとモードロック半導体レーザー (特集 光通信技術)
- 24pRC-8 変調ドープGaAsにおける長寿命コヒーレントプラズモン(24pRC 超高速現象,領域5(光物性))
- 24aZC-4 磁場下CdTe/Cd_Mn_Te細線構造における価電子帯バンドミキシング(磁性半導体,領域4(半導体, メゾスコピック系・局在))
- 磁性イオンを希薄ドープした半導体量子ナノワイヤ中のスピン制御(半導体エレクトロニクス)
- 14aYC-3 CdTe/(Cd, Mn)Te 量子細線における励起子磁気ポーラロンの異方的なエネルギー緩和特性(磁性半導体, 領域 4)
- 29pYF-12 CdTe/CdMnTeナノワイヤにおける磁気ポーラロン形成(半導体スピン物性)(領域4)
- 29pYF-11 CdTe/(Cd,Mn)Teナノワイヤにおけるホールスピン配向の面内磁場異方性(半導体スピン物性)(領域4)
- 21aTH-3 微傾斜基板上の CdTe/CdMnTe 分数層超格子における交換相互作用の異方性と量子細線特性
- CdMgTe/CdTe量子細線における励起子状態
- CdMgTe/CdTe量子細線における励起子状態
- 25aWQ-4 GaAs/AlAs超格子における励起子非線形光学特性に対する励起子分子の寄与(25aWQ 量子井戸・超格子,領域4(半導体メゾスコピック系・局在))
- 量子計算の実現に向けて
- 30p-ZH-12 真空蒸着CuI薄膜結晶における重い正孔励起子と軽い正孔励起子の発光特性
- 超高速光スイッチに向けた高非線形半導体材料 (特集 化合物半導体)
- 25pRA-8 GaAs薄膜構造における励起子ポラリトンの非線形応答のダイナミクス
- 26pYC-17 縮退四光波混合によるGaAs薄膜中励起子ポラリトンからの量子ビートの観測
- 28p-YP-7 エピタキシー効果によるCuI薄膜の結晶構造転移
- 1.5μm高密度InAs量子ドットを利用する面型可飽和吸収体の検討(光機能有機材料・デバイス, 非線形現象, 一般)
- 1.5μm高密度InAs量子ドットを利用する面型可飽和吸収体の検討(光機能有機材料・デバイス, 非線形現象, 一般)
- C-4-34 高密度InAs量子ドットを用いる面型モードロッカの検討(C-4. レーザ・量子エレクトロニクス(光増幅・注入同期), エレクトロニクス1)
- 29pXQ-4 GaAs/AlAs多重量子井戸におけるコヒーレントLOフォノンと励起子量子ビートの結合モード(超高速現象)(領域5)
- 21aTA-3 GaAs/AlAs 多重量子井戸における励起子量子ビートとコヒーレント LO フォノンの結合 III
- 25pPSB-31 GaAs薄膜における閉じ込め励起子状態の制御性(25pPSB 領域5ポスターセッション(光誘起相転移・励起子・非線形等),領域5(光物性))
- 27p-YQ-7 レーザパルス列による結合量子構造のコヒーレント・トンネル振動の制御
- 14pYC-3 GaAs/ALAS 多重量子井戸構造における電場下でのサブバンド間エネルギーチューニングによるコヒーレント LO フォノンの増強 II(量子井戸・超格子 : 輸送現象・光学応答, 領域 4)
- 28pYF-4 GaAs/AlAs多重量子井戸構造における電場下でのサブバンド間エネルギーチューニングによるコヒーレントLOフォノンの増強(量子井戸・超格子)(領域4)
- 29aYE-8 GaAs/AlAs 多重量子井戸における励起子量子ビートとコヒーレント LO フォノンの結合 II
- 25pHD-3 強磁性薄膜GdNの強磁性共鳴による研究II(25pHD 磁性半導体・量子井戸・超格子,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 25pHD-7 多層積層量子ドット励起子とスペーサー層キャリアとの相関(25pHD 磁性半導体・量子井戸・超格子,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 25pPSA-20 GaAs薄膜における励起子状態制御に対する空間電場コヒーレンスの効果(25pPSA 領域5ポスターセッション,領域5(光物性))
- 25pPSA-19 GaAs/AlAs超格子における励起子非線形光学特性に対するミニバンド形成の効果(25pPSA 領域5ポスターセッション,領域5(光物性))
- 21pPSB-46 歪み補償多層積層量子ドットにおける非共鳴励起緩和過程(21pPSB 領域5ポスターセッション,領域5(光物性))
- 21aRB-9 GaAs薄膜における励起子状態の光制御に対する入射光エネルギー依存性(21aRB 超高速現象,領域5(光物性))
- 21pPSA-48 GaAs nipi超格子におけるコヒーレントプラズモン振動のドーピング濃度依存性(21pPSA 領域5ポスターセッション,領域5(光物性))
- 21pPSA-37 GaAs中の窒素ペアに束縛された励起子分子の磁気光学特性(21pPSA 領域5ポスターセッション,領域5(光物性))
- 21pTL-7 強磁性薄膜GdNの強磁性共鳴による研究II(21pTL 若手奨励賞・磁性半導体,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- GaSb/InAs Type-II超格子赤外線センサの開発(第9回赤外放射の応用関連学会年会)
- 半導体多層膜結合共振器によるテラヘルツ光発生 (電子デバイス)
- 歪緩和バリア層に埋め込んだEr添加したInAs量子ドットをもつ多層膜光共振器による超高速全光スイッチ(光波センシング,光波制御・検出,光計測,ニューロ,一般)
- 歪緩和バリア層に埋め込んだEr添加したInAs量子ドットをもつ多層膜光共振器による超高速全光スイッチ(光波センシング,光波制御・検出,光計測,ニューロ,一般)
- 18aFB-6 光共振器構造中のInAs/GaAs量子ドットにおけるサブバンド間遷移ダイナミクス(18aFB 量子井戸・超格子・光応答,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 26aXQ-4 GaAs/AlAs多重量子井戸における励起子量子ビートによる光パルス強度変調(26aXQ 量子井戸・超格子・光応答,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 26pPSA-41 積層方向を制御したInAs/GaAs量子ドットの発光偏光特性(領域5ポスターセッション(励起子,微粒子・ナノ結晶,その他),領域5(光物性))
- 25pDD-2 量子ビートによる超高速応答に対するフォノンの効果(量子井戸・光応答,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))