1.5μm高密度InAs量子ドットを利用する面型可飽和吸収体の検討(光機能有機材料・デバイス, 非線形現象, 一般)
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概要
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1.5μm帯のデバイス応用を目的に開発した高密度InAs量子ドットの可飽和吸収特性について検討したので報告する.約200fsの光パルスを用いたポンプ・プローブ法の測定により, 約1psの高速応答と, 吸収飽和の励起強度依存性の測定から, 1%以上の可飽和吸収特性が観測された.短光パルス発生で用いられるモードロッカへの応用の可能性について, 多重量子井戸型可飽和吸収体等と比較しながら議論する.
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2005-10-05
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