エルビウム添加シリコン酸化膜を用いた電流注入型赤外発光素子の低電圧化
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概要
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シリコンフォトニクス実現に向けた赤外発光素子の開発を目指し,エルビウム添加シリコン酸化膜を発光層とする素子を試作した.本研究では素子の動作電圧の低減を目的として,狭バンドギャップの発光層を用いるとともに,それをn型及びp型のワイドギャップ半導体で挟むp-i-n構造を提案し,作製・評価を行った.その結果,従来の報告と比較して約半分のしきい値電圧(10〜15V)において1.5μm帯の赤外発光を室温で確認した.
- 2010-08-01
著者
-
中 良弘
熊本大学大学院自然科学研究科
-
曽根田 真也
熊本大学大学院自然科学研究科
-
中野 誠一
熊本大学大学院自然科学研究科
-
疋田 創
熊本大学大学院自然科学研究科
-
住吉 猛
熊本大学大学院自然科学研究科
-
土屋 昌弘
情報通信研究機構
-
中村 有水
熊本大学大学院自然科学研究科
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