26aWB-4 GaAs薄膜における弱閉じ込め励起子の量子ビート(26aWB 超高速現象,領域5(光物性))

スポンサーリンク

概要

• 論文の詳細を見る
• 社団法人日本物理学会の論文
• 2006-08-18

著者

• 土屋 昌弘

  情報通信研究機構

• 井須 俊郎

  徳島大院

• 佐々木 雅英

  情報通信機構

• 佐々木 雅英

  情報通信研究機構

• 小島 磨

  神戸大院工

• 佐々木 雅英

  情通機構

• 早瀬(伊師) 潤子

  情報通信研究機構

• 小島 磨

  情報通信研究機構

• 井須 俊郎

  情報通信研究機構

• 土屋 昌弘

  情報通信研究機構:crest-jst

• 佐々木 雅英

  通信総合研究所基礎先端部門量子情報技術グループ

• 早瀬(伊師) 潤子

  情通機構:電通大先端領域教育研究センター:jstさきがけ

関連論文

• エルビウム添加シリコン酸化膜を用いた電流注入型赤外発光素子の低電圧化
• シリコン系発光材料の開発 : 真空蒸着法によるEr添加Si酸化膜の形成
• 電界カメラによるRF信号伝搬の実時間観察と直観解析
• 40Gbps多機能外部変調器の開発(超高速伝送・変復調技術, 超高速光・電子デバイス技術, 広帯域WDMデバイス技術, 一般)
• 外部変調器を用いた光ヘテロダイン電磁界プロービング(光・電波ワークショップ)
• 高消光比光強度変調器と遅延干渉計を用いた高品位160GHz光2トーン信号の発生(マイクロ波フォトニクス技術,一般)
• CS-4-3 ミリ波帯電界カメラによるWバンド波動伝搬の解析(CS-4.ここまできたミリ波・テラヘルツ波イメージング,シンポジウムセッション)
• 17pRE-14 GaAs薄膜構造における時間分解反射分光
• 25aXD-6 GaAs薄膜の四光波混号信号のサイズ依存性:理論
• 25aXD-5 GaAs薄膜の四光波混号信号のサイズ依存性:実験
• 内部電場のナノ空間構造による巨大非線形応答
• 27aPS-28 GaAs薄膜の励起子非線形光学応答制御における第一パルス光強度依存性(領域5ポスターセッション,領域5,光物性)
• 22aPS-43 GaAs薄膜における超高速励起子密度制御(22aPS 領域5ポスターセッション,領域5(光物性))
• 21pYH-2 GaAs薄膜における励起子ポラリトン伝播効果の膜厚依存性(21pYH 非線型光学,領域5(光物性))
• 26aPS-27 GaAs薄膜における複数準位励起下での閉じ込め励起子の過渡反射スペクトル(ポスターセッション,領域5,光物性)
• 光FSK変調器を用いた超高消光比光強度変調(次世代光ファイバ, 光計測, 光伝搬, 光信号処理, 一般)
• 23pPSA-91 弱閉じ込め励起子の配向緩和(領域5ポスターセッション,領域5,光物性)
• 19pPSB-15 弱閉じ込め励起子の非線形光学応答に対する励起子準位間干渉効果(ポスターセッション,領域5,光物性)
• 19pPSB-14 GaAs薄膜中弱閉じ込め励起子の発光ダイナミクス(ポスターセッション,領域5,光物性)
• 26aWB-4 GaAs薄膜における弱閉じ込め励起子の量子ビート(26aWB 超高速現象,領域5(光物性))
• 28pRE-7 GaAs薄膜弱閉じ込め励起子の非線形過渡応答(28pRE 超高速現象・非線形光学,領域5(光物性))
• 19aYD-6 GaAs薄膜弱閉じ込め励起子の超高速非線形光学応答(超高速現象,領域5(光物性))
• 1.55μm帯ファブリペロー半導体レーザのモードロック動作
• C-14-14 電界カメラ光LO信号源の最適化の試み(C-14.マイクロ波フォトニクス,一般セッション)
• C-6-3 波動伝搬LEI映像の分析による化合物半導体誘電正接の推定(C-6.電子部品・材料,一般セッション)
• 高消光比光強度変調器と遅延干渉計を用いた高品位160GHz光2トーン信号の発生
• 高消光比光強度変調器と遅延干渉計を用いた高品位160GHz光2トーン信号の発生(マイクロ波フォトニクス技術,一般)
• C-3-64 高消光比光強度変調器と遅延干渉計による4逓倍RF信号の発生(光変調器,C-3. 光エレクトロニクス,一般セッション)
• CS-6-2 高位相安定フォトニック・ミリメータ波発生とALMA電波干渉計への応用(CS-6.電波システムを支えるマイクロ波・ミリ波フォトニクス技術,シンポジウム)
• CS-6-4 ミリ波・テラヘルツ波発生のためのマハツェンダ変調器型光コム発生源(CS-6.電波システムを支えるマイクロ波・ミリ波フォトニクス技術,シンポジウム)
• 光コム発生器を用いたフェムト秒パルス発生(光エレクトロニクス関連技術,光・電波ワークショップ,マイクロ波フォトニクス技術,一般)
• 光コム発生器を用いたフェムト秒パルス発生(光エレクトロニクス関連技術,光・電波ワークショップ,マイクロ波フォトニクス技術,一般)
• C-14-16 電界カメラに向けた差動検出イメージセンサの設計(C-14.マイクロ波フォトニクス,一般セッション)
• 40Gbps多機能外部変調器の開発(超高速伝送・変復調技術, 超高速光・電子デバイス技術, 広帯域WDMデバイス技術, 一般)
• 40Gbps多機能外部変調器の開発(超高速伝送・変復調技術, 超高速光・電子デバイス技術, 広帯域WDMデバイス技術, 一般)
• C-14-13 第2高調波発生によるW-band 2トーン光信号生成(C-14.マイクロ波フォトニクス,一般セッション)
• C-14-15 数値シミュレーションと電界カメラによる100GHz波動伝搬解析(C-14.マイクロ波フォトニクス,一般セッション)
• C-14-1 第2高調波発生による2トーン光信号生成(C-14.マイクロ波フォトニクス,一般セッション)
• C-2-90 ストリップ線路型素子・回路の動的電界映像観察(C-2.マイクロ波C(マイクロ波・ミリ波応用装置),一般セッション)
• 電界カメラによる多チャンネル複素誘電率計測
• 電界カメラによる多チャンネル複素誘電率計測(マイクロ波フォトニクス技術,一般)
• 電界カメラによる多チャンネル複素誘電率計測(マイクロ波フォトニクス技術,一般)
• CS-1-14 電解カメラ : 小型可搬化とdevice-on-the-top構成(C-1. 電磁波を用いた可視化技術の現状と今後の展開,シンポジウムセッション)
• C-14-17 電界カメラ : 準ミリ波イメージング(C-14. マイクロ波フォトニクス,一般セッション)
• C-2-140 電界カメラを用いる水性試料の非接触複素屈折率計測(C-2. マイクロ波C(マイクロ波・ミリ波応用装置),一般セッション)
• 電界カメラによる高周波回路のリアルタイム動作映像観察 (特集 不可視情報のイメージング最前線)
• CS-6-1 電界カメラ : マイクロ波回路のその場イメージ解析(CS-6.電波システムを支えるマイクロ波・ミリ波フォトニクス技術,シンポジウム)
• 電界カメラ:高速イメージセンサを利用する電界映像化技術 (情報センシング)
• CS-10-4 光超並列性を利用した近傍電磁界分布実時間モニタ技術(CS-10.ミリ波・サブミリ波信号検出技術の現状と展開,シンポジウム)
• キャリア抑圧による電気光学センサの高感度化
• キャリア抑圧による電気光学センサの高感度化(光エレクトロニクス技術,光・電波ワークショップ)
• キャリア抑圧による電気光学センサの高感度化(光エレクトロニクス技術,光・電波ワークショップ)
• 光コム発生器を用いたフェムト秒パルス発生
• C-6-4 電界カメラによる高速デジタル回路の内部動作実時間観察(C-6.電子部品・材料,一般セッション)
• 磁気光学/電気光学プローブによる微細回路上高周波電磁界の可視化(LSIシステムの実装・モジュール化・インタフェース技術, テスト技術)
• 磁気光学/電気光学プローブによる微細回路上高周波電磁界の可視化(LSIシステムの実装・モジュール化・インタフェース技術, テスト技術)
• 高空間分解・広帯域磁気光学プローブとその高密度実装技術への適用(光センサ, 一般)
• C-14-1 共振器構造光ファイバ端磁気光学プローブの性能評価とその波形計測への適用(C-14. マイクロ波フォトニクス, エレクトロニクス1)
• 電流注入によるEr添加Si酸化膜からの1.5μm赤外発光(光パッシブコンポネント(フィルタ、コネクタ、MEMS),シリコンフォトニクス,光ファイバ,一般)
• C-3-26 GaAsナノ細線光導波路の非線形光学応答(半導体導波路デバイス,C-3. 光エレクトロニクス,一般セッション)
• アンチモン添加半導体量子ドットの作製とその光通信波長半導体レーザ応用(光・電子デバイス実装,デバイス技術,及び一般)
• アンチモン添加半導体量子ドットの作製とその光通信波長半導体レーザ応用(光・電子デバイス実装,デバイス技術,及び一般)
• アンチモン添加半導体量子ドットの作製とその光通信波長半導体レーザ応用(光・電子デバイス実装,デバイス技術,及び一般)
• アンチモン添加半導体量子ドットの作製とその光通信波長半導体レーザ応用(光・電子デバイス実装,デバイス技術,及び一般)
• 歪緩和バリア層に埋め込んだInAs量子ドットをもつGaAs/AlAs多層膜光共振器による面型全光スイッチ
• 歪緩和バリア層に埋め込んだInAs量子ドットをもつGaAs/AlAs多層膜光共振器による面型全光スイッチ(フォトニックNW・デバイス,フォトニック結晶・ファイバとその応用,光集積回路,光導波路素子,光スイッチング,導波路解析,及び一般)
• 偏波安定化構成MOプローブを用いた携帯電話筺体上電流分布推定
• B-1-280 偏波安定化構成MOプローブによる電流分布推定(B-1. アンテナ・伝播C(アンテナシステム), 通信1)
• 偏波安定化構成MOプローブによるアンテナ電流分布の高精度測定(アンテナ測定・電磁環境,無線応用システムの進展と多様化を支えるアンテナ・伝搬の設計・解析・測定技術論文)
• B-1-170 偏波安定化構成MOプローブによる電流分布位相評価検討(B-1.アンテナ・伝播B(アンテナ一般),通信1)
• 偏波安定化構成MOプローブによる電流分布位相推定(衛星通信・放送技術及び一般)
• 高安定光変調器の電波干渉計用光ローカル発振器への応用
• 高安定光変調器の電波干渉計用光ローカル発振器への応用(光エレクトロニクス関連技術,光・電波ワークショップ,マイクロ波フォトニクス技術,一般)
• 高安定光変調器の電波干渉計用光ローカル発振器への応用(光エレクトロニクス関連技術,光・電波ワークショップ,マイクロ波フォトニクス技術,一般)
• C-2-84 電界カメラによる100GHz空間伝搬波の観測 : 映像化過程の分析(C-2.マイクロ波C(マイクロ波・ミリ波応用装置),一般セッション)
• C-3-61 高消光比LiNbO_3光強度変調器の偏光クロストーク抑圧による特性改善 : DSB-SC変調特性(光スイッチ・変調器,C-3.光エレクトロニクス,一般講演)
• 高消光比LiNbO_3光強度変調器の偏光クロストーク抑圧による特性改善
• 高消光比LiNbO_3光強度変調器の偏光クロストーク抑圧による特性改善(光エレクトロニクス関連技術,光・電波ワークショップ,マイクロ波フォトニクス技術,一般)
• 高消光比LiNbO_3光強度変調器の偏光クロストーク抑圧による特性改善(光エレクトロニクス関連技術,光・電波ワークショップ,マイクロ波フォトニクス技術,一般)
• C-3-68 高消光比LiNbO_3光強度変調器の偏光クロストーク抑圧による特性改善(光変調器,C-3.光エレクトロニクス,一般講演)
• 1.5μm高密度InAs量子ドットを利用する面型可飽和吸収体の検討(光機能有機材料・デバイス, 非線形現象, 一般)
• 1.5μm高密度InAs量子ドットを利用する面型可飽和吸収体の検討(光機能有機材料・デバイス, 非線形現象, 一般)
• C-4-34 高密度InAs量子ドットを用いる面型モードロッカの検討(C-4. レーザ・量子エレクトロニクス(光増幅・注入同期), エレクトロニクス1)
• 光ファイバ端磁気光学プローブの高性能化とその微細領域磁界/電流分布計測への適用(EMCと磁気応用II)
• B-4-5 高解像近傍電界カメラによる透過マイクロ波位相イメージング(B-4.環境電磁工学,一般講演)
• 高消光比LN変調器の電波干渉計への応用
• 高消光比LN変調器の電波干渉計への応用(光エレクトロニクス技術,光・電波ワークショップ)
• 高消光比LN変調器の電波干渉計への応用(光エレクトロニクス技術,光・電波ワークショップ)
• ディスク型LiNbO_3光共振器を用いた光電界センサの安定化(超高速伝送・変復調技術, 超高速光・電子デバイス技術, 広帯域WDMデバイス技術, 一般)
• ディスク型LiNbO_3光共振器を用いた光電界センサの安定化(超高速伝送・変復調技術, 超高速光・電子デバイス技術, 広帯域WDMデバイス技術, 一般)
• ディスク型LiNbO_3光共振器を用いた光電界センサの安定化(超高速伝送・変復調技術, 超高速光・電子デバイス技術, 広帯域WDMデバイス技術, 一般)
• C-14-3 高消光比光変調による160GHz RoF信号の発生(C-14.マイクロ波フォトニクス,一般講演)
• C-3-16 シリコン細線導波路による超高速多波長スイッチング(光スイッチ,C-3.光エレクトロニクス,一般講演)
• シリコン光導波路における超高速光デバイス
• Si細線導波路を用いた超高速光スイッチとSi基板上への化合物半導体発光材料形成
• 並列電気光学信号処理による回路近傍電界実時間モニタシステム(光波センシング,光波制御・検出,光計測,ニューロ,一般)
• 外部変調器を用いた光ヘテロダイン電磁界プロービング(光・電波ワークショップ)
• C-4-19 マハツェンダ型平坦光コム発生器を用いたピコ秒パルス列生成(C-4.レーザ・量子エレクトロニクス,一般講演)
• CS-7-6 光FSK変調器を用いた高消光比RoF信号の発生(CS-7. ホームネットワークを支えるマイクロ波・ミリ波・フォトニクス技術, エレクトロニクス1)
• BI-2-7 電界カメラによるメタマテリアル伝搬波動の映像観察と特性解析(BI-2.通信環境の制御に関わるメタマテリアルの要素技術,依頼シンポジウム,ソサイエティ企画)

もっと見る 閉じる

スポンサーリンク