電流注入によるEr添加Si酸化膜からの1.5μm赤外発光(光パッシブコンポネント(フィルタ、コネクタ、MEMS),シリコンフォトニクス,光ファイバ,一般)
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概要
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シリコンフォトニクスにおいて,シリコン細線導波路に適用可能な波長1.1μm以上のシリコン(Si)系発光素子の開発が重要課題となっており,この実現を目指す手法のひとつとしてエルビウム(Er)をSi系材料に添加した発光素子の研究が活発になされている.我々はEr添加シリコン酸化膜(SiO_x)を発光層とし,それをp型(窒化ガリウム)およびn型(酸化スズ)のワイドギャップ半導体で挟んだヘテロ接合構造を形成し,電流注入を試みた.その結果,室温において1.5μm帯の赤外発光を確認した.そして,本構造を用いることで印可電圧-発光強度特性における閾値電圧が10〜20V程度と従来の報告に比べて低電圧化が図れることを示した.
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2009-12-11
著者
-
中 良弘
熊本大学大学院自然科学研究科
-
曽根田 真也
熊本大学大学院自然科学研究科
-
中野 誠一
熊本大学大学院自然科学研究科
-
疋田 創
熊本大学大学院自然科学研究科
-
住吉 猛
熊本大学大学院自然科学研究科
-
土屋 昌弘
情報通信研究機構
-
中村 有水
熊本大学大学院自然科学研究科
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