光FSK変調器を用いた超高消光比光強度変調(次世代光ファイバ, 光計測, 光伝搬, 光信号処理, 一般)
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概要
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LiNbO_3光FSK変調器を用いた超高消光比光強度変調を提案する。光FSK変調器はマッハツェンダー(MZ)構造の2つのアームにそれぞれサブMZ構造をもつもので、サブMZ構造にサイドバンド発生のための正弦波信号を供給し、メインMZに印加する電圧でいずれかのサイドバンドを選択的に出力し、光FSK信号を得る。一方、本報告で提案する超高消光比光強度変調ではサブMZ構造をメインMZ構造のアンバランス補正に利用する。MZ構造を用いた強度変調器の消光比低下の大きな要因の一つであるMZ構造のアーム間での強度アンバランスを解消することにより消光比の向上を図る。原理確認実験では50dBの消光比を得た。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2005-08-19
著者
-
土屋 昌弘
情報通信研究機構
-
川西 哲也
情報通信研究機構新世代ネットワーク研究センター
-
川西 哲也
情報通信研究機構
-
坂本 高秀
(独)情報通信研究機構
-
坂本 高秀
情報通信研究機構
-
和田 尚也
情報通信研究機構
-
井筒 雅之
情報通信研究機構
-
和田 尚也
NICT
-
和田 尚也
(独)情報通信研究機構光ネットワーク研究所フォトニックネットワークシステム研究室
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