高消光比LiNbO_3光強度変調器の偏光クロストーク抑圧による特性改善(光エレクトロニクス関連技術,光・電波ワークショップ,マイクロ波フォトニクス技術,一般)
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概要
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高消光比LiNbO_3光強度変調器の出力に偏光子を挿入し,偏光クロストークを抑圧することで特性が改善することを示す.実験に使用した変調器では,DC消光比は25dB以上改善した.しかしながら,搬送波抑圧両側波帯変調時には,偏光クロストーク以外の要因が搬送波抑圧比を制限することを観測した.
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2007-07-26
著者
-
土屋 昌弘
情報通信研究機構
-
川西 哲也
情報通信研究機構新世代ネットワーク研究センター
-
川西 哲也
情報通信研究機構
-
千葉 明人
(独)情報通信研究機構
-
千葉 明人
情報通信研究機構
-
戸田 裕之
同志社大学理工学部
-
荒井 大輔
同志社大学工学部
-
井筒 雅之
情報通信研究機構
-
笹川 清隆
奈良先端科学技術大学院大学
-
戸田 裕之
同志社大学大学院工学研究科
-
戸田 裕之
Department Of Electronics Faculty Of Sciences And Engineering Doshisha University
-
戸田 裕之
同志社大学大学院 工学研究科
-
笹川 清隆
情報通信研究機構
-
福田 克也
同志社大学工学部
-
井筒 雅之
独立行政法人 通信総合研究所
-
笹川 清隆
奈良先端科学技術大学院大学, JST-CREST
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