1.55μm帯ファブリペロー半導体レーザのモードロック動作
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概要
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1.55μm帯ファブリーペロ半導体レーザのモードロック動作を観測した. モードロックパルスの消光比ならびにパルス幅は注入電流に依存する. 実験的に得られた最も高い消光比は10dB, 最も短いパルス幅は0.3psであった. このモードロックの発生条件は, 二準位媒質での多モード発振理論を半導体レーザの場合に拡張することによって得られ, 実験結果を定性的に説明できた.
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1999-05-21
著者
-
井須 俊郎
徳島大院
-
冨田 信之
三菱電機株式会社先端技術総合研究所
-
秋山 浩一
三菱電機先端総研
-
野村 良徳
三菱電機先端総研
-
秋山 浩一
三菱電機(株)先端技術総合研究所
-
瀧口 透
三菱電機株式会社高周波光デバイス製作所
-
瀧口 透
三菱電機(株)高周波光素子事業統括部
-
樋口 英世
三菱電機(株)高周波光素子事業統括部
-
野村 良徳
三菱電機(株)先端技術総合研究所
-
越智 誠司
三菱電機(株)先端技術総合研究所
-
冨田 信之
三菱電機(株)先端技術総合研究所
-
井須 俊郎
三菱電機(株)先端技術総合研究所
-
秋山 浩一
三菱電機株式会社
-
越智 誠司
現 : 三菱電機株式会社先端技術総合研究所
-
瀧口 透
三菱電機
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