高効率・高出力GaN系半導体レーザ(特別セッションテーマ: GaN系LEDの内部量子効率を決めているものは?, 窒化物半導体光・電子デバイス・材料, 及び関連技術, 及び一般(窒化物半導体国際ワークショップ))
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概要
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GaN系半導体レーザにおいて, InGaNウエル層内におけるIn組成揺らぎが原因で大きな内部損失が発生していることを実験的に示した。ウエル層への光閉じ込め量Γ_<well>を低減することでウエル層における内部損失を減少させた結果, スロープ効率を従来値の1.5W/Aから1.85W/Aにまで改善できることがわかった。これによって, 80℃・CW動作にて300mWまでのキンクフリーの特性が得られた。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2005-10-07
著者
-
八木 哲哉
三菱電機(株)
-
八木 哲哉
三菱電機株式会社高周波光デバイス製作所
-
村田 博昭
三菱電線工業株式会社
-
蔵本 恭介
三菱電機株式会社高周波光デバイス製作所
-
大野 彰仁
三菱電機株式会社高周波光デバイス製作所
-
山田 智雄
三菱電線工業株式会社
-
岡川 広明
三菱電線工業株式会社
-
川津 善平
三菱電機株式会社高周波光デバイス製作所
-
川崎 和重
三菱電機株式会社高周波光デバイス製作所
-
冨田 信之
三菱電機株式会社先端技術総合研究所
-
塩沢 勝臣
三菱電機株式会社先端技術総合研究所
-
金本 恭三
三菱電機株式会社先端技術総合研究所
-
渡辺 寛
三菱電機株式会社先端技術総合研究所
-
竹見 政義
三菱電機株式会社高周波光デバイス製作所
-
島 顕洋
三菱電機株式会社高周波光デバイス製作所
-
塩沢 勝臣
三菱電機(株)先端技術総合研究所
-
川崎 和重
三菱電機株式会社
-
大野 彰仁
三菱電機(株)高周波光デバイス製作所
-
八木 哲哉
三菱電機
-
八木 哲哉
三菱電機 高周波光デバイス製作所
-
八木 哲哉
三菱電機株式会社
-
岡川 広明
三菱電線工業(株)
-
山田 智雄
三菱電線工業(株)
-
島 顕洋
三菱電機株式会社
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