岡川 広明 | 三菱電線工業株式会社
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概要
関連著者
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岡川 広明
三菱電線工業株式会社
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岡川 広明
三菱電線工業(株)
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只友 一行
三菱電線工業
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山田 智雄
三菱電線工業株式会社
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大野 彰仁
三菱電機(株)高周波光デバイス製作所
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山田 智雄
三菱電線工業(株)
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八木 哲哉
三菱電機(株)
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八木 哲哉
三菱電機株式会社高周波光デバイス製作所
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村田 博昭
三菱電線工業株式会社
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蔵本 恭介
三菱電機株式会社高周波光デバイス製作所
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大野 彰仁
三菱電機株式会社高周波光デバイス製作所
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川津 善平
三菱電機株式会社高周波光デバイス製作所
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川崎 和重
三菱電機株式会社高周波光デバイス製作所
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冨田 信之
三菱電機株式会社先端技術総合研究所
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塩沢 勝臣
三菱電機株式会社先端技術総合研究所
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金本 恭三
三菱電機株式会社先端技術総合研究所
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渡辺 寛
三菱電機株式会社先端技術総合研究所
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竹見 政義
三菱電機株式会社高周波光デバイス製作所
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島 顕洋
三菱電機株式会社高周波光デバイス製作所
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塩沢 勝臣
三菱電機(株)先端技術総合研究所
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川崎 和重
三菱電機株式会社
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八木 哲哉
三菱電機
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八木 哲哉
三菱電機 高周波光デバイス製作所
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八木 哲哉
三菱電機株式会社
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大内 洋一郎
三菱電線工業株式会社フォトニクス研究所
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常川 高志
三菱電線工業株式会社 情報通信フォトニクス研究所
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島 顕洋
三菱電機株式会社
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宮下 啓二
三菱電線工業
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城市 隆秀
三菱電線工業(株)
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山田 陽一
山口大・工
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田口 常正
山口大・工
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田中 悟
北海道大学 電子科学研究所
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平山 秀樹
理研
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青柳 克信
理研
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蔵本 恭介
三菱電機(株)高周波光デバイス製作所
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平松 和政
三重大学工学部電気電子工学科
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李 定植
北海道大学 電子科学研究所
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RAMVALL Peter
(株)日本イーエムシー開発センター
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田中 悟
理研半導体工学研究室
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田中 悟
理化学研究所半導体工学研究室
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川崎 和重
三菱電機(株)高周波光素子事業統括部
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田口 常正
山口大学工学部
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田口 常正
山口大学工学部電気電子工学科
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伊藤 弘孝
三菱電線工業(株)中央研究所基礎技術研究部
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岩井 荘八
理研
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佐々木 千治
山口大・工
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吉田 洋平
山口大・工
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坂下 孝史
山口大・工
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渡辺 英史
山口大・工
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加藤 宗弘
スタンレー電気 技研
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岡川 広明
三菱電線工業(株)情報通信事業本部
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原田 光範
スタンレー電器株式会社
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加藤 宗弘
スタンレー電器株式会社
著作論文
- 高効率・高出力GaN系半導体レーザ(特別セッションテーマ: GaN系LEDの内部量子効率を決めているものは?, 窒化物半導体光・電子デバイス・材料, 及び関連技術, 及び一般(窒化物半導体国際ワークショップ))
- GaN量子ドット紫外LEDの作製と光学特性
- 高効率・高出力GaN系405nmレーザー
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- AlN基板を用いた紫外LED(進展する窒化物半導体光・電子デバイスの現状,及び一般)
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- S-3. 紫外LEDを用いた白色LEDの開発
- 29a-N-7 GaN薄膜における光学特性の電子濃度依存性
- 28a-ZS-9 GaNの選択成長における成長雰囲気の影響
- 31p-K-5 GaN量子ドットレーザーの試作(2) : Mgドーピングp-AlGaNのC-V評価