青柳 克信 | 理研

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概要

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関連著者

• 青柳 克信

  理研

• 青柳 克信

  立命館大学coe推進機構

• 石橋 幸治

  理研

• 塚越 一仁

  理研

• 菅野 卓雄

  千葉大工

• 青柳 克信

  東工大総合理工学:crest(jst)

• 青柳 克信

  理研フロンティア

• 石橋 幸治

  (独)理化学研究所 石橋極微デバイス工学研究室

• バード J.P.

  筑波大物質工

• 瀬川 勇三郎

  理研フォトダイナミクス研究センター

• 落合 勇一

  千葉大工

• 野村 晋太郎

  科技団:筑波大物理

• 野村 晋太郎

  理研

• フェリー D.

  Zrizona州立大ナノ研

• 平山 秀樹

  (独)理化学研究所

• 安藤 剛三

  理研

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  千葉大工

• 大塚 洋一

  筑波大物理:学際物質センター

• 平山 秀樹

  理化学研究所

• 青柳 克信

  理化学研究所

• 神田 晶申

  筑波大物理

• 田中 悟

  理化学研究所半導体工学研究室

• 田中 悟

  北海道大学 電子科学研究所

• 大塚 洋一

  筑波大物理

• 原 民夫

  理研

• 佐藤 崇

  筑波大数理物質

• 宮崎 久生

  独立行政法人物質・材料研究機構 国際ナノアーキテクトニクス研究拠点

• 平山 秀樹

  理研

• 蒲生 健次

  阪大基礎工

• 飯高 敏晃

  理研基幹研

• 飯高 敏晃

  理研

• 青柳 克信

  東京工業大学

• 布施 智子

  理化学研究所石橋極微デバイス工学研究室

• 木村 崇

  理研フロンティア

• 原 民夫

  Toyota Technological Institute

• 邑瀬 和生

  阪大理

• 田中 悟

  理研半導体工学研究室

• 神田 晶申

  筑波大学大学院数理物質科学研究科

• 神田 晶申

  筑波大学物理

• 岩佐 義宏

  東北大金研

• 森山 悟士

  物材機構

• 大谷 義近

  理研フロンティア

• 田中 悟

  北大電子科学部

• 河内 哲哉

  原研関西研

• 木村 崇

  九大稲盛フロンティア

• 片浦 弘道

  産総研ナノテク:crest-jst

• 後藤 秀徳

  筑波大数理物質

• 石橋 幸治

  理化学研究所半導体工学研究室

• 河内 哲哉

  理研

• 後藤 秀徳

  筑波大学大学院数理物質科学研究科

• 石橋 幸治

  理化学研究所

• 落合 勇一

  千葉大院融合

• フェリー D.K.

  アリゾナ州立大

• 福井 一俊

  福井大fir

• 中村 孝夫

  住友電気工業株式会社半導体技術研究所

• 青山 誠

  日本原子力研究開発機構

• 青山 誠

  理研

• 瀬川 勇三郎

  理研CMRG

• 中村 孝夫

  住友電工半導体研究所

• 鈴木 正樹

  理化学研究所半導体工学研究室

• 直江 俊一

  金沢大工

• 馬場 哲也

  産業技術研 計測標準研究部門

• 松田 一成

  神奈川科学技術アカデミー

• 斎木 敏治

  神奈川科学技術アカデミー

• 中村 孝夫

  住友電気工業(株)半導体技術研究所

• 田中 翔

  筑波大学大学院数理物質科学研究科

• 森木 拓也

  筑波大数理物質

• 秋田 勝史

  住友電気工業(株)半導体技術研究所

• 石橋 幸治

  阪大基礎工

• 大塚 洋一

  筑波大数理物質

• 神田 晶申

  筑波大数理物質

• 竹延 大志

  東北大金研

• 福井 一俊

  分子研

• 河内 哲哉

  日本原子力研究開発機構

• 木山 誠

  住友電工アドバンストマテリアル研究所

• 秋田 勝史

  住友電工アドバンストマテリアル研究所

• 中村 孝夫

  住友電工アドバンストマテリアル研究所

• 渡辺 英一郎

  物材機構

• 渡辺 英一郎

  理研

• 大窪 清吾

  理研

• 青山 誠

  東理大理

• 岩佐 義宏

  東大 工

• 根岸 文子

  理研

• 八木 巌

  理研

• 後藤 秀徳

  筑波大物理

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• 井田 徹哉

  理化学研究所半導体工学研究室

• 榎本 亮介

  千葉大工

• 目黒 多加志

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• RAMVALL Peter

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• 竹谷 純一

  電中研

• 落合 勇一

  筑波大物質工

• 飯村 靖文

  東京農工大・工

• 阿知波 洋次

  首都大学東京

• 片浦 弘道

  産総研

• 中村 修二

  日亜化学工業

• 福井 一俊

  福井大工

• 塚越 幹郎

  東理大

• 阿知波 洋次

  首都大理工

• 鈴木 信三

  首都大理工

• 片浦 弘道

  都立大院理

• 鈴木 信三

  都立大院理

• 阿知波 洋次

  都立大院理

• 塚越 幹郎

  東理大理

• 山田 公一

  電中研

• 菅原 孝宜

  東北大金研

• 木戸 義勇

  金材技研

• 中村 孝夫

  山形大学大学院医学系研究科生命環境医科学専攻

• 平田 彰

  早稲田大学理工学部

• 吉田 貞史

  電総研

• 三沢 俊司

  電総研

• 宮本 康一郎

  千葉大工

• 鈴木 正樹

  東洋大工

• 平田 彰

  早稲田大学理工学部 応用化学科

• 鈴木 信二

  新潟大理

• 山本 嵩勇

  福井大工

• 岩井 荘八

  理化学研究所

• 鷹岡 貞夫

  阪大理

• バード J.P.

  バッファロー大

• 清野 篤郎

  千葉大院融合

• 清野 篤朗

  千葉大院融合

• 西川 浩之

  筑波大院数物

• 前田 康二

  東大工

• 菊地 耕一

  首都大院理工

• 成川 幸男

  日亜化学工業

• 郭 其新

  佐賀大理工

• 寺上 光司

  福井大工

• 三浦 宏司

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• 池畑 誠一郎

  東理大理

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• 木戸 義勇

  東北大 金研

• 木戸 義勇

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• 下谷 秀和

  東北大金研

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  理研:東大物性研

• 村上 浩一

  筑波大学物質工学系

• 菊地 耕一

  都立大理

• 池本 勲

  都立大理

• 兒玉 健

  首都大理工

• 兒玉 健

  都立大理

• 池本 勲

  都立大院理

• 八木 厳

  理研

• 片浦 弘道

  都立大理

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  都立大理

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• 藤田 茂夫

  京都大学大学院工学研究科電子工学

• 重藤 訓志

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• 山崎 展樹

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• 池本 勲

  東京都立大学

• 池畑 誠一郎

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• 浜垣 学

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• 大塚 洋一

  筑波大学物理学専攻・TIMS

• 津谷 大樹

  物材機構

• 渡部 道生

  理研基幹研

• 布下 正宏

  三菱電機

• 茂木 厳

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• 藤田 静雄

  京都大学国際融合創造センター

• 榊 裕之

  東大生研

• 井田 徹哉

  理研

• 井田 徹哉

  千葉大工

• 赤羽 浩一

  筑波大学 物理工学系

• 石井 真史

  物質・材料研究機構

• 田淵 浩一郎

  東電大

• 池畑 誠一郎

  東大 理

• 飛田 聡

  東大工

• 津谷 大樹

  理研:東工大総理工

• 武内 道一

  理化学研究所

• 木原 隆義

  福井大工

• 青柳 克信

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• 成川 幸男

  京大工

• 川上 養一

  京大工

• 藤田 静雄

  京大工

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  京大工

• 秋田 勝史

  住友電工半導体研究所

• 京野 孝史

  住友電工半導体研究所

• 布下 正宏

  三菱中研

• 布下 正宏

  三菱電機 中研

• 広瀬 全孝

  産業技術総合研究所

• Ferry D.K.

  アリゾナ州立大

• 中山 正敏

  九大教養

• 京野 孝史

  住友電気工業(株)半導体技術研究所

• 繁野 雅次

  セイコー電子工業(株)

• 興地 斐男

  和歌山高専

• 黒田 寿文

  電中研

• 加藤 潤

  電中研

• 河野 行雄

  理研

• 河野 行雄

  理化学研究所基幹研究所

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著作論文

• InAlGaN4元混晶を用いた紫外LEDの短波長化と高効率化(窒化物及び混晶半導体デバイス)
• InAlGaN 4元混晶を用いた紫外LEDの短波長化と高効率化(窒化物及び混晶半導体デバイス)
• 29pZB-6 ナノギャップ電極上 C_ クラスター薄膜の伝導特性
• 30p-YP-10 波形制御パルス列レーザー生成Alプラズマ中の軟X線の往復増幅
• 23aK-13 AlGaN化合物半導体の真空紫外反射スペクトル
• 14aYD-2 MWNT におけるキャリア注入による朝永・ラッティンジャー液体的振る舞いの消失(ナノチューブ伝導, 領域 7)
• 20aXF-13 多層カーボンナノチューブの層間電子輸送
• 28pPSA-20 電流注入効果による磁性細線内磁壁のドラッギング
• 24aWB-2 グラファイト超薄膜における超伝導近接効果II(グラフェン(電子物性・スピン),領域7,領域4合同講演,領域7,分子性固体・有機導体)
• 24aWB-9 グラファイト超薄膜-強磁性体接合の電気伝導特性II(グラフェン(電子物性・スピン),領域7,領域4合同講演,領域7,分子性固体・有機導体)
• 24aRA-7 グラファイト超薄膜 : 強磁性体接合の電気伝導特性(グラファイト・グラフェン,領域7,分子性固体・有機導体)
• 24aRA-8 グラファイト超薄膜における超伝導近接効果(グラファイト・グラフェン,領域7,分子性固体・有機導体)
• 24aRA-9 グラファイト超薄膜の電気伝導におけるAlトップゲートによる電界効果(グラファイト・グラフェン,領域7,分子性固体・有機導体)
• 波形制御パルス列レーザー生成A1プラズマ中の軟X線の往復増幅
• カーボンナノチューブ結合量子ドットの形成と量子相関デバイスへの応用
• 25pSA-11 単層カーボンナノチューブを用いた量子ドットの形成
• 27a-R-6 時間依存衝突輻射モデルによるリチウム様アルミニウム再結合レーザーの利得
• 30a-YB-5 パルス列レーザー生成プラズマによる軟X線レーザーの利得
• ナノテクノロジーと深紫外発光素子の開発
• アンチサーファクタントによる GaN 層の低転位化
• 24pSB-6 III-V窒化物半導体の真空紫外反射・吸収スペクトル
• 25aC-6 III-V族化合物半導体のK内殻吸収
• 26p-YR-8 非S-K GaN量子ドットの成長機構I : 不純物添加によるステップフロー阻害効果
• 31a-YJ-9 GaN量子ドットにおける励起子結合エネルギーの増大
• 5a-E-3 GaN量子ドットの発光スペクトルの温度依存性
• 5a-E-2 GaN量子ドットの多励起子効果
• InAlGaN 4元混晶を用いた紫外LEDの短波長化と高出力化
• 28pRC-10 ホール効果でみる有機単結晶への電界効果キャリア注入(28pRC 分子素子,領域7(分子性固体・有機導体))
• 18pRG-9 グラファイト超薄膜-金属接合の電気伝導特性(グラファイト,領域7,分子性固体・有機導体)
• 18pRG-7 グラファイト超薄膜における近接効果による超伝導電流の観測(グラファイト,領域7,分子性固体・有機導体)
• 26aZB-11 グラファイト超薄膜/金属電極接合の電極依存性(26aZB グラファイト,領域7(分子性固体・有機導体))
• 26aZB-12 グラファイト超薄膜の電気伝導の磁場・ゲート電圧依存性(26aZB グラファイト,領域7(分子性固体・有機導体))
• 29a-B-6 ピコ秒トランジェントグレーティングによるCdS, CuCl素励起の拡散の測定 (II)
• 2a-Z-11 ピコ秒波長可変レーザーを用いたポラリトンの分散の測定 II : Cds について
• 2a-Z-2 ピコ秒円偏光励起による CuCl の k=0 の励起子分子の発光とその時間分解測定
• 5a-B-6 カルコゲナイドガラスにおける Photodarkening 初期過程の動的特性
• 28pRC-16 銅フタロシアニン単結晶の電界効果とキャリヤ輸送特性(28pRC 分子素子,領域7(分子性固体・有機導体))
• InAlGaN 4元混晶を用いた紫外LEDの短波長化と高効率化(窒化物及び混晶半導体デバイス)
• 28a-Q-7 選択ドープGaAs-AlGaAs細線の電気伝導
• 29a-A-4 極微GaAs細線の電気伝導
• 17pTD-9 多価イオン照射により誘起されるグラファイト結晶の状態変化
• 27p-X-1 Weak Localisation in Ballistic Quantum Dots: Non Ensemble Averaged Effects
• 新たなブレークスルーには何が必要か
• 31p-K-5 GaN量子ドットレーザーの試作(2) : Mgドーピングp-AlGaNのC-V評価
• 1a-N-7 GaAs/AlAs多重量子井戸内の2次元励起子の強磁場依存性
• 28a-ZH-13 GaAs/AlAs多重量子井戸内の2次元励起子の磁場依存性
• 30p-Z-15 InGaAs-GaAs異種接合におけるバンドオフセット値の精密測定 II
• 4a-C3-19 CuCl薄膜内の励起子と励起子分子
• 28p-B-5 CuCl単結晶薄膜の発光と時間分解スペクトル
• 25pK-3 ドットアレイにおける強磁場共鳴ピーク
• 23aTA-8 InAlGaN 混晶系における内殻励起による可視・紫外発光
• 29p-ZQ-12 AlGaN混晶における軟X線吸収の入射角依存性
• 29p-ZQ-11 III-V 族窒化物半導体における軟X線吸収の入射角依存性
• 19pTJ-6 多層カーボンナノチューブの1次元伝導III
• 29a-PS-55 Ni細線における磁化緩和
• 3p-ZE-9 GaAs/AlGaAs量子細線の磁気抵抗振動
• 28a-A-12 強磁場中でのGaAs/AlGaAs 量子井戸二次元励起子のダイナミクス
• 28a-A-7 GaAs 量子井戸におけるエネルギー緩和
• 27a-P-3 少数不純物、スリットを含む量子細線における電気伝導
• 21pXA-6 単層カーボンナノチューブの電気化学トランジスタ(フラーレン・ナノチューブ伝導,領域7(分子性固体・有機導体))
• 1a-KG-11 GaAs/GaAlAs単一量子井戸における担体のピコ秒ダイナミクス
• 20pTH-11 ホール局在した n 型量子ドットアレーの近接場発光分光
• 31aYE-4 高分解能近接場光学顕微鏡による GaAs 量子ドットの励起子波動関数イメージング II
• 30pYH-12 ホールの局在した n 型量子ドットアレーの円偏向発光分光 II
• 28pTB-12 量子ドット正方格子の空間分解発光スペクトル
• 25pSB-13 量子ドット正方格子の最低励起状態付近発光スペクトル II
• 24pL-9 量子ドット正方格子の最低励起状態付近発光スペクトル
• 25pD-5 量子ドット正方格子のフェルミ面近傍発光スペクトルIII
• 31a-ZH-13 実時間実空間高次差分法を用いた非線形応答関数の計算II
• 30p-ZE-7 量子ドット正方格子のフェルミ面近傍発光スペクトルII
• 28p-YP-2 アモルファス中ナノ微結晶シリコンの紫外反射スペクトル
• 27p-YN-8 GaAs(3,1,1)B基板上InGaAs整列量子ドットの電場下PL測定
• 27p-YN-6 量子ドット正方格子のフェルミ面近傍発光スペクトル
• 31a-YG-3 実時間実空間高次差分法によるシリコンナノ結晶の電子状態計算III
• 31a-YG-2 オーダーN・量子ダイナミクス法による微結晶の誘電関数の計算
• 波長可変レーザーと塩素を用いたGaAsの原子層エッチング
• InAlGaN4元混晶を用いた330nm帯高効率紫外LED(紫外発光材料の現状と将来)
• InAlGaN4元混晶を用いた330mm帯高効率紫外LED : 紫外線発光の現状と将来シンポジウム
• レーザー材料として見た半導体 : (In)AlGaN窒化物混晶の結晶成長と300nm帯紫外高輝度LEDへの応用
• InAIGaN四元混晶を用いた300nm帯紫外高輝度LEDの開発
• InAlGaN4元混晶を用いた330-350nm帯高効率紫外LED
• InAlGaN4元混晶を用いた330-350nm帯高効率紫外LED
• 29a-WD-5 実時間実空間差分法シュレーディンガー方程式による線形応答関数の数値計算
• カーボンナノチューブを用いた量子ナノデバイス : 量子相関デバイスの実現に向けて
• 23pPSB-34 光アンテナを用いたナノスケール局所電場変調分光(領域5ポスターセッション,領域5,光物性)
• カーボンナノチューブ量子ドットのテラヘルツ光応答(ミリ波・テラヘルツ波デバイス・システム)
• 異種基板上へのカーボンナノチューブ量子ドットの作製と評価
• 14pYB-8 単層カーボンナノチューブ量子ドットの励起スペクトル(量子ドット・量子閉じ込め : 実験, 領域 4)
• 30aYA-12 単層カーボンナノチューブ量子ドットにおけるShell Fillingとゼーマン分裂の観測(量子ドット(開放型・結合型・その他))(領域4)
• カーボンナノチューブ量子ドットにおける単一電子スピンの発生 : スピンの量子操作を目指して(量子効果デバイス及び関連技術)
• カーボンナノチューブ量子ドットにおける単一電子スピンの発生 : スピンの量子操作を目指して(量子効果デバイス及び関連技術)
• 28aYH-5 単電子トランジスタの電磁場環境問題
• 20aYH-6 量子ドットやドット列におけるフラクタル的な磁気抵抗
• 18pYJ-4 マルチ結合量子ドットにおける伝導度ゆらぎ
• 単一量子ドット中の伝導度ゆらぎ
• 単一量子ドット中の伝導度ゆらぎ
• 31a GE-10 パルス・レーザ照射による非晶質 : 結晶遷移の動的挙動
• 7p-J-11 オーダーN・時間依存密度汎関数法による微結晶の誘電関数の計算
• 7p-J-10 実時間実空間高次差分法によるシリコンナノ結晶の電子状態計算II
• 28a-YE-1 実時間実空間高次差分法によるシリコンナノ結晶の電子状態計算
• 27pYN-1 カーボンナノチューブFETの四端子伝導度測定(ナノチューブ物性3(伝導 (含むFET)),領域7(分子性固体・有機導体))
• 1a-K-11 CuClのピコ秒誘導吸収による附加境界条件の検討(II)
• 4p-NE-4 CuClのピコ秒誘導吸収による附加境界条件の検討
• 24pSA-1 ドットアレイにおけるキャリアー濃度のゲート依存性
• 23pL-4 ドットアレイにおける古典・量子伝導現象の競合
• 27aD-6 微小超伝導リングにおけるLittle-Parks振動の振幅減少
• 25aD-11 ドットアレイにおける金属-絶縁体移転
• 29a-ZB-1 コルゲーション型量子細線における磁気フォーカシング
• 29a-ZB-1 コルゲーション型量子細線における磁気フォーカシング
• 25p-YG-3 量子ドットや細線の電気伝導におけるフラクタル性II
• 27p-YG-4 超伝導SETを流れる超伝導電流のトンネル抵抗依存性
• 25p-YG-3 量子ドットや細線の電気伝導におけるフラクタル性II
• 31aZB-7 多層カーボンナノチューブにおける朝永・ラッティンジャー液体的振る舞い II
• 19pTJ-5 多層カーボンナノチューブ単一電子トランジスタにおけるクーロン振動の特異な磁場依存性
• 19pTJ-4 金属/多層ナノチューブ/金属構造におけるクーロン・ブロッケード
• 31a-Q-13 量子ドットや細線の電気伝導におけるフラクタル性
• 31a-Q-13 量子ドットや細線の電気伝導におけるフラクタル性
• パルス列レーザーを用いた小型軟X線源の開発
• 1p-K-1 パルス列レーザー生成プラズマにおける軟X線の利得
• 27p-ZK-9 パルス列レーザーにより生成された高密度プラズマの特性 : 電子密度、電子温度の評価
• 30p-R-6 パルス列レーザーを用いた軟X線レーザーの基礎実験(1)
• 24pYF-11 多層カーボンナノチューブの1次元伝導
• 3a-F-13 強磁場中でのGaAs/AlGaAs MQW二次元励起子のダイナミクス
• 27a-Z-1 中速イオン散乱分光を用いた3C-SiC(001)表面の元素固定
• 24pSA-2 量子ドットにおける分子的挙動
• 22aXF-4 アルコール CVD で作製したカーボンナノチューブの精製と直径制御
• 28aZB-12 アルコール CVD で作製したカーボンナノチューブのラマン散乱
• 26pYK-10 ルブレン単結晶電界効果トランジスターの精密な輸送特性測定(FET,領域7(分子性固体・有機導体))
• CuClの励起子ポラリトンと付加境界条件
• 4p-NE-5 CuClにおける励起子ポラリトンの拡散
• 2p-M-11 GaSeにおける励起子吸収の時間変化
• 2p-M-6 銅ハライド励起子のボトルネックの測定
• スピン偏極電流による磁性細線内ピン止め磁壁の離脱
• 28a-ZH-5 電子ビーム励起プラズマ(EBEP)における粒子エネルギー分布の制御
• 28p-Y-8 UHV-STMによる3C-SiC(001)-(3X2)表面の原子像観察
• 23aTD-8カーボンナノチューブとスピン伝導
• AFMリソグラフィ
• 再結合レーザープラズマ中イオンの励起状態ポピュレーション
• パルス列レーザー生成プラズマによる軟X線レーザー利得の不純物の影響II
• 31a-S-4 パルス列レーザー生成プラズマによる軟X線レーザー利得の不純物の影響
• 25aXN-4 面内スピンバルブ素子におけるスピン信号の増大(微小領域磁性,領域3(磁性,磁気共鳴))
• 13pWB-1 面内スピンバルブ素子におけるスピン蓄積とスピンフリップ抵抗(微小領域磁性, 領域 3)
• 22pWA-4 強磁性/非磁性微細接合におけるスピンホール効果
• 多層カーボンナノチューブの伝導特性の基礎
• 29pXH-7 強磁性/非磁性微細接合におけるノンローカルホール効果
• 23aTD-8 カーボンナノチューブとスピン伝導
• Phase Breaking in Ballistie Quantum Dots:A Correlation Field Analysis
• Weak Locallisation in Ballistle Quantum Dots(Non Ensemble Averaged Effects)
• 5a-E-4 量子ドット正方格子の発光分光
• 3p-BG-6 共鳴二光子励起下のCuCl励起子系のピコ秒領域動的挙動の測定
• 3p-BG-5 ピコ秒レーザーを用いたCuBrの発光寿命の測定
• レーザープラズマX線を用いた結像型X線顕微鏡の開発
• 4a-DR-7 共鳴二光子励起下のCuCl励起子分子ポラリトン系のピコ秒領域動的挙動の測定II
• 27p-X-2 Phase Breaking in Ballistic Quantum Dots: A Correlation Field Analysis
• 31p-N-2 The Spectral Characteristics of Conductance Fluctuations in Ballistic Quantum Dots
• 31p GF-5 ピコ秒トランジェントグレーティング法によるCuCl, CdS素励起の拡散の測定 (I)
• 31p GF-4 ピコ秒可変波長レーザーを用いたポラリトンの分散の測定
• 30a-R-8 小型レーザー励起再結合プラズマにおける軟X線の増幅
• 6a-ZF-12 小型レーザー励起Alプラズマにおける軟X線の増幅
• 27p-B-12 Geometrical Scattering Effects in Small Split Gate Structures
• 29p-X-8 スプリットゲート細線における低温電気伝導
• 28p-L-9 Magnetotransport Studies of Electron-interaction & Geometry Related Effects in Semiconductor Quantum Dots
• 2p-L1-5 選択ドープGaAs-AIGaAs細線の電気伝導II(半導体,(表面・界面・超格子))
• 6pSA-11 高分解能近接場光学顕微鏡によるGaAs量子ドットの励起子波動関数イメージング(量子井戸・超格子,領域4,領域5合同,領域4)
• 30a-LB-10 n^+-GaAs細線における伝導度のゆらぎの試料サイズ依存性(低温)
• 7aSA-11 超伝導単電子トランジスタにおけるe周期性と2e周期性(量子ドット・微小ジョセフソン接合・微小SN接合,領域4)
• 6pSA-10 ホールの局在したn型量子ドットアレーの円偏向発光分光(量子井戸・超格子,領域4,領域5合同,領域4)
• 3a-C-2 CuC1薄膜内の励起子と励起子分子(イオン結晶・光物性)
• 26pPSB-4 AlGaN三元化合物半導体混晶の赤外反射(26pPSB,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在分野))
• 26pXN-13 多層カーボンナノチューブにおける3端子伝導特性(26pXN ナノチューブ,領域7(分子性固体・有機導体分野))
• 27aWE-7 量子ドット系におけるフラクタル的磁気伝導現象(27aWE 局在,量子カオス,バリスティック伝導,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在分野))
• 26pXP-9 量子ドットアレイにおける高磁場輸送現象の数値シミュレーション(26pXP 量子ホール効果,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在分野))
• 24pXP-3 結合量子ドットにおける伝導度ゆらぎの解析(24pXP 量子ドット,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在分野))
• 31a-SC-13 GaAs/GaAlAsリングの量子伝導(31a SC 低温(アンダーソン局在,他))
• 29p-Q-7 レート方程式によるGaAs,AlAs結晶成長の解析(29pQ 結晶成長)
• 26pXN-12 多層カーボンナノチューブにおける朝永ラッティンジャー流体的振る舞いの起源(26pXN ナノチューブ,領域7(分子性固体・有機導体分野))
• 3a-D5-10 GaAs/GaAlAs多重量子井戸からの発光の時間変化(3a D5 イオン結晶・光物性(励起子・ポラリトン・ピコ秒分光),イオン結晶・光物性)
• 30a-LN-12 半導体超格子内キャリアーのダイナミクス(イオン結晶・光物性)

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