武内 道一 | 理化学研究所
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概要
関連著者
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武内 道一
理化学研究所
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武内 道一
理化学研究所・東京工業大学
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青柳 克信
理化学研究所・東京工業大学
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青柳 克信
理化学研究所
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青柳 克信
東京工業大学
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川崎 宏治
東京工業大学・総合理工学研究科
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川崎 宏治
東京工業大学院総理工
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田中 悟
北海道大学 電子科学研究所
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平山 秀樹
理化学研究所
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青柳 克信
理研
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青柳 克信
立命館大学coe推進機構
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南條 拓真
三菱電機株式会社先端技術総合研究所
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吹田 宗義
三菱電機株式会社先端技術総合研究所
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阿部 雄次
三菱電機株式会社先端技術総合研究所
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田中 悟
理化学研究所半導体工学研究室
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平山 秀樹
(独)理化学研究所
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大石 敏之
三菱電機株式会社
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吹田 宗義
三菱電機(株)先端技術総合研究所
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阿部 雄次
三菱電機(株)先端技術総合研究所
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大石 敏之
三菱電機(株)
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阿部 雄次
三菱電機先端総研
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徳田 安紀
三菱電機株式会社先端技術総合研究所:光産業技術振興協会
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桑野 範之
九州大学産学連携センター
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徳田 安紀
三菱電機 先端技術総合研
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井上 振一郎
理化学研究所
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肱黒 恵美
九州大学総合理工学府
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南條 拓真
三菱電機
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徳田 安紀
三菱電機
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吹田 宗義
三菱電機
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平山 秀樹
(独)理化学研究所 基幹研究所 先端光科学研究領域 テラヘルツ光研究グループテラヘルツ量子素子研究チーム
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大石 敏之
三菱電機
著作論文
- アンチサーファクタントによる GaN 層の低転位化
- AlGaNチャネルHEMTにおけるドレイン耐圧の向上
- CS-4-2 深紫外発光素子の開発(CS-4.窒化物/ワイドバンドギャップ光半導体とその応用の新展開,シンポジウム)
- 深紫外窒化物系発光デバイス
- アンチサーファクタント処理を施したGaN薄膜の貫通転位