平山 秀樹 | 理化学研究所
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概要
関連著者
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平山 秀樹
理化学研究所
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平山 秀樹
(独)理化学研究所
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平山 秀樹
(独)理化学研究所 基幹研究所 先端光科学研究領域 テラヘルツ光研究グループテラヘルツ量子素子研究チーム
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青柳 克信
理化学研究所
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高野 隆好
理化学研究所
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椿 健治
理化学研究所
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美濃 卓哉
理化学研究所
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青柳 克信
理研
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青柳 克信
立命館大学coe推進機構
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平山 秀樹
理研
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平山 秀樹
BEANSプロジェクト
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美濃 卓哉
理化学研究所:パナソニック電工株式会社
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杉山 正和
東京大学
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美濃 卓哉
BEANSプロジェクト
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高野 隆好
BEANSプロジェクト
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椿 健治
BEANSプロジェクト
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野口 憲路
理化学研究所
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中村 孝夫
住友電気工業株式会社半導体技術研究所
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中村 孝夫
住友電工半導体研究所
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中村 孝夫
住友電気工業(株)半導体技術研究所
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秋田 勝史
住友電気工業(株)半導体技術研究所
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中村 孝夫
住友電気工業(株)半導体研究所
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林 宗澤
理化学研究所
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田中 悟
北海道大学 電子科学研究所
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青柳 克信
東京工業大学
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田中 悟
理化学研究所半導体工学研究室
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佐々木 美穂
理化学研究所
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木山 誠
住友電工アドバンストマテリアル研究所
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秋田 勝史
住友電工アドバンストマテリアル研究所
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中村 孝夫
住友電工アドバンストマテリアル研究所
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中村 孝夫
山形大学大学院医学系研究科生命環境医科学専攻
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木下 敦寛
理化学研究所
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野口 憲路
独立行政法人理化学研究所:埼玉大学理工学研究科:独立行政法人科学技術振興機構、crest
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青柳 克信
理研フロンティア
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平田 彰
早稲田大学理工学部
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平田 彰
早稲田大学理工学部 応用化学科
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岩井 荘八
理化学研究所
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京野 孝史
住友電気工業(株)半導体技術研究所
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岩井 荘八
理研
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木下 敦寛
早稲田大学理工学部応用化学科
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相野谷 誠
早稲田大学理工学部応用化学科
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山火 貴義
早稲田大学理工学部応用化学科
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山中 卓也
早稲田大学理工学部応用化学科
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浜野 哲子
理研
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中村 孝夫
住友電気工業株式会社 半導体技術研究所
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飯高 敏晃
理化学研究所
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權田 俊一
福井工業大学宇宙通信工学科
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河村 裕一
大阪府立大学附属先端科学研究所
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石橋 幸治
理化学研究所半導体工学研究室
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武内 道一
理化学研究所
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ランバル ピーター
理化学研究所半導体工学研究室
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野村 晋太郎
理化学研究所半導体工学研究室
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京野 孝史
住友電工, 半導体研究所
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秋田 勝史
住友電工, 半導体研究所
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中村 孝夫
住友電工, 半導体研究所
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秋田 勝史
住友電工半導体研究所
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京野 孝史
住友電工半導体研究所
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石橋 幸治
独立行政穂人理化学研究所
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石橋 幸治
理化学研究所
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新谷 紀雄
金属材料技術研究所
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宮崎 英樹
物質・材料研究機構
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宮崎 英樹
金属材料技術研究所:科学技術振興事業団
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權田 俊一
福井工業大学
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平田 彰
早稲田大学理工学部応用化学科
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平山 秀樹
理化学研究所・テラヘルツ量子素子研究チーム
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河村 裕一
大阪府立大学先端科学研究所
-
河村 裕一
大阪府立大先端研
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宮崎 英樹
科学技術振興事業団さきがけ研究21
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武内 道一
理化学研究所・東京工業大学
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浜野 哲子
通信総合研究所
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浜野 哲子
理化学研究所
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青木 画奈
理化学研究所
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林 宗澤
独立行政法人理化学研究所
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林 宗澤
理化学研究所テラヘルツ量子素子研究チーム
著作論文
- InAlGaN4元混晶を用いた紫外LEDの短波長化と高効率化(窒化物及び混晶半導体デバイス)
- InAlGaN 4元混晶を用いた紫外LEDの短波長化と高効率化(窒化物及び混晶半導体デバイス)
- アンチサーファクタントによる GaN 層の低転位化
- GaN量子ドットの成長機構とその光学特性 (ワイドギャップ半導体とそのデバイス応用論文小特集)
- GaN量子ドットの作製とレーザーへの応用
- 窒化物4元混晶を用いた高効率紫外LED
- InAlGaN 4元混晶を用いた紫外LEDの短波長化と高出力化
- 220-270nm AlGaN系深紫外LEDの進展(光に関わる材料の世界 その1 : 多彩な固体発光材料の世界)
- InAlGaN 4元混晶を用いた紫外LEDの短波長化と高効率化(窒化物及び混晶半導体デバイス)
- パワー半導体レーザと応用の動向
- InAlGaN4元混晶を用いた330nm帯高効率紫外LED(紫外発光材料の現状と将来)
- InAlGaN4元混晶を用いた330mm帯高効率紫外LED : 紫外線発光の現状と将来シンポジウム
- レーザー材料として見た半導体 : (In)AlGaN窒化物混晶の結晶成長と300nm帯紫外高輝度LEDへの応用
- InAIGaN四元混晶を用いた300nm帯紫外高輝度LEDの開発
- InAlGaN4元混晶を用いた330-350nm帯高効率紫外LED
- InAlGaN4元混晶を用いた330-350nm帯高効率紫外LED
- SC-4-9 2次元プレート積層による3次元フォトニック結晶の作製
- フォトニック結晶を用いた半導体レーザの将来展望
- 31P-YB-3 実時間実空間差分法を用いたフォトニック結晶共振器の共振特性の解析
- フォトニック結晶共振器を用いた集積用面発光レーザの提案
- GaN量子ドットの作製とレーザーへの応用
- AlGaN系深紫外LED
- ELO-AlNテンプレートを用いたSi基板上AlGaN系UV-LEDの256nm発光(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,関連技術,及び一般)
- 2インチ×3枚対応MOCVDを用いた260nm帯AlGaN系UV-LEDの開発(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,関連技術,及び一般)
- ELO-AlNテンプレートを用いたSi基板上AlGaN系UV-LEDの256nm発光(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,関連技術,及び一般)
- 2インチ×3枚対応MOCVDを用いた260nm帯AlGaN系UV-LEDの開発(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,関連技術,及び一般)
- ELO-AlNテンプレートを用いたSi基板上AlGaN系UV-LEDの256nm発光(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,関連技術,及び一般)
- 2インチ×3枚対応MOCVDを用いた260nm帯AlGaN系UV-LEDの開発(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,関連技術,及び一般)
- ELO-AlNテンプレートを用いたSi基板上AlGaN系UV-LEDの256nm発光
- 2インチ×3枚対応MOCVDを用いた260nm帯AlGaN系UV-LEDの開発
- ELO-AlNテンプレートを用いたSi基板上AlGaN系UV-LEDの256nm発光
- 2インチ×3枚対応MOCVDを用いた260nm帯AlGaN系UV-LEDの開発
- ELO-AlNテンプレートを用いたSi基板上AlGaN系UV-LEDの256nm発光
- 2インチ×3枚対応MOCVDを用いた260nm帯AlGaN系UV-LEDの開発
- ED2012-103 高Al組成AlGaAsを用いたTHz-QCLsの高温動作特性改善(ミリ波・テラヘルツ波デバイス・システム)
- 選択注入機構1.9THz量子カスケードレーザの高温動作(光部品・電子デバイス実装技術・信頼性,及び一般)
- 選択注入機構1.9THz量子カスケードレーザの高温動作(光部品・電子デバイス実装技術・信頼性,及び一般)
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