平山 秀樹 | BEANSプロジェクト
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概要
関連著者
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平山 秀樹
BEANSプロジェクト
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平山 秀樹
理研
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平山 秀樹
(独)理化学研究所
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平山 秀樹
(独)理化学研究所 基幹研究所 先端光科学研究領域 テラヘルツ光研究グループテラヘルツ量子素子研究チーム
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高野 隆好
BEANSプロジェクト
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平山 秀樹
独立行政法人理化学研究所
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平山 秀樹
独立行政法人 理化学研究所
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平山 秀樹
理化学研究所
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美濃 卓哉
BEANSプロジェクト
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椿 健治
BEANSプロジェクト
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藤川 紗千恵
独立行政法人理化学研究所
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美濃 卓哉
理化学研究所:パナソニック電工株式会社
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高野 隆好
理化学研究所
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椿 健治
理化学研究所
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美濃 卓哉
理化学研究所
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藤川 紗千恵
独立行政法人理化学研究所:埼玉大学理工学研究科:独立行政法人科学技術振興機構、crest
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寺嶋 亘
(独)理化学研究所 基幹研究所 先端光科学研究領域 テラヘルツ光研究グループテラヘルツ量子素子研究チーム
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杉山 正和
東京大学
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鎌田 憲彦
埼玉大学工学部
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鎌田 憲彦
埼玉大学大学院理工学研究科
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鎌田 憲彦
埼玉大学理工学研究科
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鎌田 憲彦
埼玉大 工
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Kamata Norihiko
Atr Optical And Radio Communications Research Laboratories
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Kamata Norihiko
Department Of Functional Materials Science And Engineering Saitama University
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鎌田 憲彦
埼玉大学大学院理工学研究科物質科学部門物質機能領域
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塚田 悠介
埼玉大学大学院理工学研究科
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寺嶋 亘
独立行政法人理化学研究所
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藤川 紗千恵
独立行政法人 理化学研究所
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本多 善太郎
埼玉大院理工
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本多 善太郎
埼玉大学大学院
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福田 武司
埼玉大学大学院理工学研究科
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五十嵐 航平
埼玉大学大学院理工学研究科
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福田 武司
埼玉大学理工学研究科
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本多 善太郎
埼玉大学大学院理工学研究科
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五十嵐 航平
埼玉大学理工学研究科
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石岡 亮
埼玉大学大学院理工学研究科
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石岡 亮
埼玉大学理工学研究科
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平山 秀樹
埼玉大学大学院理工学研究科
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野口 憲路
独立行政法人理化学研究所:埼玉大学理工学研究科:独立行政法人科学技術振興機構、crest
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野口 憲路
理化学研究所
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前田 哲利
独立行政法人理化学研究所
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前田 哲利
独立行政法人 理化学研究所
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福田 武司
埼玉大学大学院 理工学研究科
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平山 秀樹
理化学研究所・テラヘルツ量子素子研究チーム
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福田 武司
埼玉大学大学院理工学研究科物質科学部門物質機能領域
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平山 秀樹
埼玉大学大学院理工学研究科:理化学研究所
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杉山 正和
BEANSプロジェクト 3DBEANSセンター
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藤田 浩平
三重大学大学院工学研究科
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三宅 秀人
三重大学大学院工学研究科
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平松 和政
三重大学大学院工学研究科
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乗松 潤
理研
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三宅 秀人
三重大学工学部電気電子工学科
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杉山 正和
Beansプロジェクト
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鎌田 憲彦
埼玉大工
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平松 和政
三重大 工
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Matsushima Hidetada
Department Of Electronics School Of Engineering Nagoya University
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塚田 悠介
独立行政法人理化学研究所
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林 宗澤
独立行政法人理化学研究所
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平松 和政
三重大学大学院 工学研究科
著作論文
- Si基板上高品質AlNテンプレートの開発
- 250-350nm帯AlGaN系紫外高輝度LEDの開発 (特集 LED照明の最近の動向)
- 減圧HVPE法による周期溝加工AlN/サファイア上へのELO-AlN(窒化物及び混晶半導体デバイス)
- 深紫外領域AlGaN系結晶のフォトルミネッセンス評価(発光型/非発光型ディスプレイ合同研究会)
- 深紫外領域AlGaN系結晶のフォトルミネッセンス評価
- AlGaN系深紫外LEDの進展と展望
- 深紫外領域AlGaN系結晶のフォトルミネッセンス評価(発光型/非発光型ディスプレイ,テーマ:ディスプレイに関する技術全般:LCD(バックライトを含む),PDP,有機/無機EL,CRT,FED,VFD,LEDなどのディスプレイに関するデバイス,部品,材料及び応用技術)
- AlGaN系深紫外LED
- 窒化物材料系テラヘルツ帯量子カスケードレーザーの開発
- 2インチ×3枚対応MOCVDを用いた260nm帯AlGaN系UV-LEDの開発 (レーザ・量子エレクトロニクス)
- ELO-AlNテンプレートを用いたSi基板上AlGaN系UV-LEDの256nm発光(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,関連技術,及び一般)
- m軸およびa軸オフ角C面サファイア基板上のAlN結晶成長の特徴と高出力AlGaN深紫外LEDの作製(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,関連技術,及び一般)
- 2インチ×3枚対応MOCVDを用いた260nm帯AlGaN系UV-LEDの開発(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,関連技術,及び一般)
- ELO-AlNテンプレートを用いたSi基板上AlGaN系UV-LEDの256nm発光(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,関連技術,及び一般)
- m軸およびa軸オフ角C面サファイア基板上のAlN結晶成長の特徴と高出力AlGaN深紫外LEDの作製(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,関連技術,及び一般)
- 2インチ×3枚対応MOCVDを用いた260nm帯AlGaN系UV-LEDの開発(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,関連技術,及び一般)
- ELO-AlNテンプレートを用いたSi基板上AlGaN系UV-LEDの256nm発光(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,関連技術,及び一般)
- m軸およびa軸オフ角C面サファイア基板上のAlN結晶成長の特徴と高出力AlGaN深紫外LEDの作製(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,関連技術,及び一般)
- 2インチ×3枚対応MOCVDを用いた260nm帯AlGaN系UV-LEDの開発(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,関連技術,及び一般)
- テラヘルツ量子カスケードレーザの進展と今後の展望(ミリ波・テラヘルツ波デバイス・システム)
- GaN系THz帯量子カスケードレーザ構造の作製と自然放出光の観察(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,関連技術,及び一般)
- GaN系THz帯量子カスケードレーザ構造の作製と自然放出光の観察(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,関連技術,及び一般)
- GaN系THz帯量子カスケードレーザ構造の作製と自然放出光の観察(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,関連技術,及び一般)
- AlGaN系深紫外LEDの高効率化への取り組み (レーザ・量子エレクトロニクス)
- AlGaN系深紫外LEDの高効率化への取り組み (電子デバイス)