藤川 紗千恵 | 独立行政法人理化学研究所:埼玉大学理工学研究科:独立行政法人科学技術振興機構、crest
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概要
関連著者
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平山 秀樹
理研
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平山 秀樹
(独)理化学研究所
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藤川 紗千恵
独立行政法人理化学研究所
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藤川 紗千恵
独立行政法人理化学研究所:埼玉大学理工学研究科:独立行政法人科学技術振興機構、crest
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平山 秀樹
(独)理化学研究所 基幹研究所 先端光科学研究領域 テラヘルツ光研究グループテラヘルツ量子素子研究チーム
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藤川 紗千恵
独立行政法人 理化学研究所
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平山 秀樹
独立行政法人 理化学研究所
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平山 秀樹
独立行政法人理化学研究所
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高野 隆好
BEANSプロジェクト
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鎌田 憲彦
埼玉大学工学部
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鎌田 憲彦
埼玉大 工
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高野 隆好
独立行政法人理化学研究所:パナソニック電工株式会社
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近藤 行廣
松下電工株式会社ウェル・ラボ
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近藤 行廣
松下電工株式会社
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椿 健治
BEANSプロジェクト
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椿 健治
独立行政法人理化学研究所:パナソニック電工株式会社
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平山 秀樹
理化学研究所・テラヘルツ量子素子研究チーム
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平山 秀樹
BEANSプロジェクト
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鎌田 憲彦
埼玉大学大学院理工学研究科物質科学部門物質機能領域
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鎌田 憲彦
埼玉大学理工学研究科
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大橋 智昭
埼玉大学
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大橋 智昭
理研
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乗松 潤
理研
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鎌田 憲彦
埼玉大学大学院理工学研究科
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乗松 潤
独立行政法人理化学研究所
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野口 憲路
独立行政法人理化学研究所
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高野 隆好
松下電工株式会社
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鎌田 憲彦
埼玉大工
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Kamata Norihiko
Atr Optical And Radio Communications Research Laboratories
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Kamata Norihiko
Department Of Functional Materials Science And Engineering Saitama University
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大橋 智昭
独立行政法人理化学研究所高効率LED研究チーム
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近藤 行廣
独立行政法人理化学研究所高効率LED研究チーム
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野口 憲路
独立行政法人理化学研究所:埼玉大学理工学研究科:独立行政法人科学技術振興機構、crest
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前田 哲利
独立行政法人理化学研究所
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前田 哲利
独立行政法人 理化学研究所
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富田 優志
埼玉大学工学部理工学研究科
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水澤 克哉
埼玉大学工学部理工学研究科
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豊田 史朗
埼玉大学工学部理工学研究科
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鎌田 憲彦
埼玉大学 大学院理工学研究科
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高野 隆好
理研
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藤川 紗千恵
理研
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谷田部 徹
埼玉大学
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近藤 行廣
理研
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塚田 悠介
埼玉大学大学院理工学研究科
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塚田 悠介
独立行政法人理化学研究所
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鎌田 憲彦
埼玉大学
著作論文
- ELO-AlNテンプレート上に作製した270nm帯AlGaN紫外LED(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,及び関連技術,及び一般)
- 280nm帯InAlGaN高出力紫外LED(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,及び関連技術,及び一般)
- p-InAlGaNと高品質AlNを用いた340nm帯高出力LED(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,及び関連技術,及び一般)
- 250-350nm帯AlGaN系紫外高輝度LEDの開発 (特集 LED照明の最近の動向)
- ELO-AlNテンプレート上に作製した270nm帯AlGaN紫外LED(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,及び関連技術,及び一般)
- 280nm帯InAlGaN高出力紫外LED(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,及び関連技術,及び一般)
- ELO-AlNテンプレート上に作製した270nm帯AlGaN紫外LED(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,及び関連技術,及び一般)
- 280nm帯InAlGaN高出力紫外LED(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,及び関連技術,及び一般)
- p-InAlGaNと高品質AlNを用いた340nm帯高出力LED(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,及び関連技術,及び一般)
- p-InAlGaNと高品質AlNを用いた340nm帯高出力LED(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,及び関連技術,及び一般)
- InAlGaN窒化物4元混晶を用いた高出力紫外LEDの開発
- 330nm帯紫外発光InAlGaN量子井戸からの高い内部量子効率の観測(特別セッションテーマ: GaN系LEDの内部量子効率を決めているものは?, 窒化物半導体光・電子デバイス・材料, 及び関連技術, 及び一般(窒化物半導体国際ワークショップ))
- 330nm帯紫外発光InAlGaN量子井戸からの高い内部量子効率の観測(特別セッションテーマ: GaN系LEDの内部量子効率を決めているものは?, 窒化物半導体光・電子デバイス・材料, 及び関連技術, 及び一般(窒化物半導体国際ワークショップ))
- 330nm帯紫外発光InAlGaN量子井戸からの高い内部量子効率の観測(特別セッションテーマ: GaN系LEDの内部量子効率を決めているものは?, 窒化物半導体光・電子デバイス・材料, 及び関連技術, 及び一般(窒化物半導体国際ワークショップ))
- AlGaN系深紫外LEDの進展と展望
- m軸およびa軸オフ角C面サファイア基板上のAlN結晶成長の特徴と高出力AlGaN深紫外LEDの作製(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,関連技術,及び一般)
- m軸およびa軸オフ角C面サファイア基板上のAlN結晶成長の特徴と高出力AlGaN深紫外LEDの作製(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,関連技術,及び一般)
- m軸およびa軸オフ角C面サファイア基板上のAlN結晶成長の特徴と高出力AlGaN深紫外LEDの作製(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,関連技術,及び一般)
- AlGaN系深紫外LEDの高効率化への取り組み(窒化物及び混晶半導体デバイス,及び一般)
- AlGaN系深紫外LEDの高効率化への取り組み(窒化物及び混晶半導体デバイス,及び一般)