近藤 行廣 | 松下電工株式会社ウェル・ラボ
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概要
関連著者
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近藤 行廣
松下電工株式会社ウェル・ラボ
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近藤 行廣
松下電工株式会社
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平山 秀樹
理研
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平山 秀樹
(独)理化学研究所
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高野 隆好
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独立行政法人理化学研究所
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平山 秀樹
(独)理化学研究所 基幹研究所 先端光科学研究領域 テラヘルツ光研究グループテラヘルツ量子素子研究チーム
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平山 秀樹
独立行政法人理化学研究所
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藤川 紗千恵
独立行政法人 理化学研究所
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平山 秀樹
独立行政法人 理化学研究所
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埼玉大学工学部
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埼玉大 工
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埼玉大学
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大橋 智昭
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独立行政法人理化学研究所:パナソニック電工株式会社
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高野 隆好
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大橋 智昭
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独立行政法人理化学研究所高効率LED研究チーム
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櫟原 勉
松下電工株式会社 ウェル・ラボ
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越田 信義
東京農工大学大学院 ナノ未来科学研究拠点
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菰田 卓哉
松下電工株式会社ウェル・ラボ
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松下電工株式会社ウェル・ラボ
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鎌田 憲彦
埼玉大学 大学院理工学研究科
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菰田 卓哉
松下電工株式会社先行技術開発研究所
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菰田 卓哉
松下電工株式会社 先行・融合技術研究所
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高野 隆好
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藤川 紗千恵
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谷田部 徹
埼玉大学
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近藤 行廣
理研
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越田 信義
東京農工大 大学院
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越田 信義
東京農工大大学院
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Koshida Nobuyoshi
Department Of Electrical And Electronic Engineering Faculty Of Technology Tokyo University Of Agricu
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Koshida Nobuyoshi
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Koshida Nobuyoshi
Division Of Electronic And Information Engineering Faculty Of Technology Tokyo University Of Agricul
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本多 由明
松下電工・情報機器開発部
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Koshida N
Tokyo Univ. Agriculture And Technol. Tokyo Jpn
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鎌田 憲彦
埼玉大学大学院理工学研究科物質科学部門物質機能領域
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鎌田 憲彦
埼玉大学
著作論文
- 弾道電子面放出型電子源の特性とフラットパネルへの応用
- p-InAlGaNと高品質AlNを用いた340nm帯高出力LED(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,及び関連技術,及び一般)
- p-InAlGaNと高品質AlNを用いた340nm帯高出力LED(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,及び関連技術,及び一般)
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- InAlGaN窒化物4元混晶を用いた高出力紫外LEDの開発
- 330nm帯紫外発光InAlGaN量子井戸からの高い内部量子効率の観測(特別セッションテーマ: GaN系LEDの内部量子効率を決めているものは?, 窒化物半導体光・電子デバイス・材料, 及び関連技術, 及び一般(窒化物半導体国際ワークショップ))
- 330nm帯紫外発光InAlGaN量子井戸からの高い内部量子効率の観測(特別セッションテーマ: GaN系LEDの内部量子効率を決めているものは?, 窒化物半導体光・電子デバイス・材料, 及び関連技術, 及び一般(窒化物半導体国際ワークショップ))
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