平山 秀樹 | 理研

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概要

• 同名の論文著者
• 理研の論文著者

関連著者

• 平山 秀樹

  理研

• 平山 秀樹

  (独)理化学研究所

• 平山 秀樹

  (独)理化学研究所 基幹研究所 先端光科学研究領域 テラヘルツ光研究グループテラヘルツ量子素子研究チーム

• 平山 秀樹

  独立行政法人 理化学研究所

• 平山 秀樹

  独立行政法人理化学研究所

• 平山 秀樹

  BEANSプロジェクト

• 鎌田 憲彦

  埼玉大学工学部

• 藤川 紗千恵

  独立行政法人理化学研究所

• 鎌田 憲彦

  埼玉大 工

• 高野 隆好

  BEANSプロジェクト

• 藤川 紗千恵

  独立行政法人理化学研究所:埼玉大学理工学研究科:独立行政法人科学技術振興機構、crest

• 平山 秀樹

  理化学研究所・テラヘルツ量子素子研究チーム

• 藤川 紗千恵

  独立行政法人 理化学研究所

• 椿 健治

  BEANSプロジェクト

• 乗松 潤

  理研

• 鎌田 憲彦

  埼玉大学大学院理工学研究科物質科学部門物質機能領域

• 鎌田 憲彦

  埼玉大学理工学研究科

• 大橋 智昭

  埼玉大学

• 大橋 智昭

  理研

• 高野 隆好

  独立行政法人理化学研究所:パナソニック電工株式会社

• 野口 憲路

  独立行政法人理化学研究所:埼玉大学理工学研究科:独立行政法人科学技術振興機構、crest

• 平山 秀樹

  理化学研究所

• 青柳 克信

  理研

• 近藤 行廣

  松下電工株式会社ウェル・ラボ

• 美濃 卓哉

  BEANSプロジェクト

• 石橋 幸治

  独立行政穂人理化学研究所

• 石橋 幸治

  理化学研究所

• 平松 和政

  三重大 工

• 近藤 行廣

  松下電工株式会社

• 美濃 卓哉

  理化学研究所:パナソニック電工株式会社

• 藤田 浩平

  三重大学大学院工学研究科

• 三宅 秀人

  三重大学大学院工学研究科

• 平松 和政

  三重大学大学院工学研究科

• 三宅 秀人

  三重大学工学部電気電子工学科

• 鎌田 憲彦

  埼玉大学大学院理工学研究科

• 椿 健治

  独立行政法人理化学研究所:パナソニック電工株式会社

• 乗松 潤

  独立行政法人理化学研究所

• 野口 憲路

  独立行政法人理化学研究所

• Matsushima Hidetada

  Department Of Electronics School Of Engineering Nagoya University

• Kamata Norihiko

  Atr Optical And Radio Communications Research Laboratories

• Kamata Norihiko

  Department Of Functional Materials Science And Engineering Saitama University

• 高野 隆好

  理化学研究所

• 椿 健治

  理化学研究所

• 美濃 卓哉

  理化学研究所

• 平松 和政

  三重大学大学院 工学研究科

• 福井 一俊

  福井大fir

• 平山 秀樹

  独立行政穂人理化学研究所

• 大橋 智昭

  独立行政穂人理化学研究所

• 寺嶋 亘

  (独)理化学研究所 基幹研究所 先端光科学研究領域 テラヘルツ光研究グループテラヘルツ量子素子研究チーム

• 杉山 正和

  東京大学

• 田中 悟

  北大電子科学部

• 田中 悟

  理化学研究所半導体工学研究室

• 塚田 悠介

  埼玉大学大学院理工学研究科

• 寺嶋 亘

  独立行政法人理化学研究所

• 田中 悟

  北大電子科学研

• 本多 善太郎

  埼玉大院理工

• 本多 善太郎

  埼玉大学大学院

• 福井 一俊

  分子研

• 福田 武司

  埼玉大学大学院理工学研究科

• 田中 悟

  北海道大学 電子科学研究所

• 奥浦 一輝

  三重大学大学院工学研究科

• 五十嵐 航平

  埼玉大学大学院理工学研究科

• 福田 武司

  埼玉大学理工学研究科

• 直江 俊一

  金沢大工

• 本多 善太郎

  埼玉大学大学院理工学研究科

• 高野 隆好

  松下電工株式会社

• 鎌田 憲彦

  埼玉大工

• 大橋 智昭

  独立行政法人理化学研究所高効率LED研究チーム

• 近藤 行廣

  独立行政法人理化学研究所高効率LED研究チーム

• 五十嵐 航平

  埼玉大学理工学研究科

• 石岡 亮

  埼玉大学大学院理工学研究科

• 石岡 亮

  埼玉大学理工学研究科

• 平山 秀樹

  埼玉大学大学院理工学研究科

• 野口 憲路

  理化学研究所

• 前田 哲利

  独立行政法人理化学研究所

• 前田 哲利

  独立行政法人 理化学研究所

• 福田 武司

  埼玉大学大学院 理工学研究科

• 山本 嵩勇

  福井大工

• 岡田 国也

  福井大工

• 浜浦 聡志

  福井大工

• 福田 武司

  埼玉大学大学院理工学研究科物質科学部門物質機能領域

• 平山 秀樹

  埼玉大学大学院理工学研究科:理化学研究所

• 富田 優志

  埼玉大学工学部理工学研究科

• 水澤 克哉

  埼玉大学工学部理工学研究科

• 豊田 史朗

  埼玉大学工学部理工学研究科

• 飯高 敏晃

  理研基幹研

• 菅野 卓雄

  千葉大工

• 杉山 正和

  BEANSプロジェクト　3DBEANSセンター

• 郭 其新

  佐賀大理工

• 福井 一俊

  福井大学遠赤外領域開発センター

• 寺上 光司

  福井大工

• 三浦 宏司

  福井大工

• 飯高 敏晃

  理研

• 中村 孝夫

  住友電気工業株式会社半導体技術研究所

• 三宅 秀人

  三重大工

• 岡田 昌

  佐賀大理工

• 岡川 広明

  三菱電線工業株式会社

• 青柳 克信

  立命館大学coe推進機構

• 中村 孝夫

  山形大学大学院医学系研究科生命環境医科学専攻

• 中村 孝夫

  住友電工半導体研究所

• 石橋 幸治

  理化学研究所半導体工学研究室

• 木原 隆義

  福井大工

• 平井 亮介

  福井大工

• 田中 悟

  理研半導体工学研究室

• 野村 晋太郎

  理研

• 京野 孝史

  住友電工, 半導体研究所

• 秋田 勝史

  住友電工, 半導体研究所

• 中村 孝夫

  住友電工, 半導体研究所

• 中村 孝夫

  住友電気工業(株)半導体技術研究所

• 京野 孝史

  住友電気工業(株)半導体技術研究所

• 秋田 勝史

  住友電気工業(株)半導体技術研究所

• 谷田部 透

  独立行政法人理化学研究所

• 野口 憲道

  独立行政法人理化学研究所

• 平松 和政

  三重大工

• 柴田 智彦

  日本ガイシ

• 鎌田 憲彦

  埼玉大学 大学院理工学研究科

• 杉山 正和

  Beansプロジェクト

• 中村 孝夫

  住友電気工業(株)半導体研究所

• 菅野 卓雄

  理研

• 高野 隆好

  理研

• 藤川 紗千恵

  理研

• 谷田部 徹

  埼玉大学

• 近藤 行廣

  理研

• 福井 一俊

  福井大遠赤

• 岩井 荘八

  理研

• 宮下 啓二

  三菱電線工業

• 只友 一行

  三菱電線工業

• 木村 浩司

  福井大工

• 柴田 智彦

  三重大工

• 柴田 智彦

  日本ガイシ株式会社

• 趙 新為

  理研

• 菅野 卓雄

  東洋大学工学部

• 菅野 卓雄

  東洋大工

• 浜野 哲子

  理研

• 塚田 悠介

  独立行政法人理化学研究所

• 林 宗澤

  独立行政法人理化学研究所

• 中村 孝夫

  住友電気工業株式会社 半導体技術研究所

• 鎌田 憲彦

  埼玉大学

• 福井 一俊

  福井大遠赤セ

• 久々宮 洋平

  福井大工

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著作論文

• 周期溝加工AlN/サファイア上への減圧HVPE法によるAlN成長(窒化物及び混晶半導体デバイス)
• 23aK-13 AlGaN化合物半導体の真空紫外反射スペクトル
• 24pSB-6 III-V窒化物半導体の真空紫外反射・吸収スペクトル
• 25aC-6 III-V族化合物半導体のK内殻吸収
• 窒化物4元混晶を用いた高効率紫外LED
• Si基板上高品質AlNテンプレートの開発
• ELO-AlNテンプレート上に作製した270nm帯AlGaN紫外LED(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,及び関連技術,及び一般)
• 280nm帯InAlGaN高出力紫外LED(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,及び関連技術,及び一般)
• LED-8 サファイア基板上の高品質AINバッファー上に作製した227-261nm深紫外AlGaN系LED
• 230nm帯AlGaN紫外LEDの高出力化(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,及び関連技術,及び一般)
• 230-270nm深紫外AlGaN系LEDの進展
• 深紫外半導体発光素子およびTHz量子カスケードレーザの開発
• p-InAlGaNと高品質AlNを用いた340nm帯高出力LED(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,及び関連技術,及び一般)
• 250-350nm帯AlGaN系紫外高輝度LEDの開発 (特集 LED照明の最近の動向)
• 230-350nm帯AlGaN系紫外高輝度LEDの進展と応用 (特集 こんなところにLED)
• 周期溝加工AlN/サファイア上への減圧HVPE法によるAlN成長(窒化物及び混晶半導体デバイス)
• 周期溝加工AlN/サファイア上への減圧HVPE法によるAlN成長(窒化物及び混晶半導体デバイス)
• AlGaN系殺菌用途紫外LEDの進展と今後の展望
• 230nm帯AlGaN紫外LEDの高出力化(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,及び関連技術,及び一般)
• ELO-AlNテンプレート上に作製した270nm帯AlGaN紫外LED(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,及び関連技術,及び一般)
• 280nm帯InAlGaN高出力紫外LED(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,及び関連技術,及び一般)
• 230nm帯AlGaN紫外LEDの高出力化(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,及び関連技術,及び一般)
• ELO-AlNテンプレート上に作製した270nm帯AlGaN紫外LED(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,及び関連技術,及び一般)
• 280nm帯InAlGaN高出力紫外LED(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,及び関連技術,及び一般)
• p-InAlGaNと高品質AlNを用いた340nm帯高出力LED(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,及び関連技術,及び一般)
• p-InAlGaNと高品質AlNを用いた340nm帯高出力LED(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,及び関連技術,及び一般)
• InAlGaN窒化物4元混晶を用いた高出力紫外LEDの開発
• InAlGaN窒化物4元混晶を用いた紫外高輝度LEDの進展と課題
• 31p-K-5 GaN量子ドットレーザーの試作(2) : Mgドーピングp-AlGaNのC-V評価
• 28pXQ-10 AlGaNおよびInAlGaN系における紫外発光(励起子ポラリトン・緩和励起子)(領域5)
• 23aTA-8 InAlGaN 混晶系における内殻励起による可視・紫外発光
• 減圧HVPE法による周期溝加工AlN/サファイア上へのELO-AlN(窒化物及び混晶半導体デバイス)
• 減圧HVPE法による周期溝加工AlN/サファイア上へのELO-AlN(窒化物及び混晶半導体デバイス)
• 減圧HVPE法による周期溝加工AlN/サファイア上へのELO-AlN(窒化物及び混晶半導体デバイス)
• C-4-15 AlGaN系深紫外LEDの高効率化(C-4.レーザ・量子エレクトロニクス,一般セッション)
• InAlGaN窒化物4元混晶を用いた紫外高輝度LEDの進展と課題
• InAlGaN窒化物4元混晶を用いた紫外高輝度LEDの進展と課題(光記録及び磁気記録一般)
• 330nm帯紫外発光InAlGaN量子井戸からの高い内部量子効率の観測(特別セッションテーマ: GaN系LEDの内部量子効率を決めているものは?, 窒化物半導体光・電子デバイス・材料, 及び関連技術, 及び一般(窒化物半導体国際ワークショップ))
• 330nm帯紫外発光InAlGaN量子井戸からの高い内部量子効率の観測(特別セッションテーマ: GaN系LEDの内部量子効率を決めているものは?, 窒化物半導体光・電子デバイス・材料, 及び関連技術, 及び一般(窒化物半導体国際ワークショップ))
• 330nm帯紫外発光InAlGaN量子井戸からの高い内部量子効率の観測(特別セッションテーマ: GaN系LEDの内部量子効率を決めているものは?, 窒化物半導体光・電子デバイス・材料, 及び関連技術, 及び一般(窒化物半導体国際ワークショップ))
• InAlGaN4元混晶紫外LEDの高効率化の検討(結晶成長, 評価技術及びデバイス(化合物, Si, SiGe, その他電子材料))
• InAlGaN4元混晶紫外LEDの高効率化の検討(結晶成長, 評価技術及びデバイス(化合物, Si, SiGe, その他電子材料))
• InAlGaN4元混晶紫外LEDの高効率化の検討(結晶成長, 評価技術及びデバイス(化合物, Si, SiGe, その他電子材料))
• InAlGaN4元混晶紫外LEDの高効率化の検討
• InAlGaN4元混晶紫外LEDの高効率化の検討
• InAlGaN4元混晶紫外LEDの高効率化の検討
• 29a-WD-5 実時間実空間差分法シュレーディンガー方程式による線形応答関数の数値計算
• 深紫外領域AlGaN系結晶のフォトルミネッセンス評価(発光型/非発光型ディスプレイ合同研究会)
• 深紫外領域AlGaN系結晶のフォトルミネッセンス評価
• AlGaN系深紫外LEDの進展と展望
• 深紫外領域AlGaN系結晶のフォトルミネッセンス評価(発光型/非発光型ディスプレイ,テーマ:ディスプレイに関する技術全般:LCD(バックライトを含む),PDP,有機/無機EL,CRT,FED,VFD,LEDなどのディスプレイに関するデバイス,部品,材料及び応用技術)
• AlGaN系深紫外LED
• 窒化物材料系テラヘルツ帯量子カスケードレーザーの開発
• ELO-AlNテンプレートを用いたSi基板上AlGaN系UV-LEDの256nm発光(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,関連技術,及び一般)
• m軸およびa軸オフ角C面サファイア基板上のAlN結晶成長の特徴と高出力AlGaN深紫外LEDの作製(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,関連技術,及び一般)
• 2インチ×3枚対応MOCVDを用いた260nm帯AlGaN系UV-LEDの開発(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,関連技術,及び一般)
• ELO-AlNテンプレートを用いたSi基板上AlGaN系UV-LEDの256nm発光(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,関連技術,及び一般)
• m軸およびa軸オフ角C面サファイア基板上のAlN結晶成長の特徴と高出力AlGaN深紫外LEDの作製(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,関連技術,及び一般)
• 2インチ×3枚対応MOCVDを用いた260nm帯AlGaN系UV-LEDの開発(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,関連技術,及び一般)
• ELO-AlNテンプレートを用いたSi基板上AlGaN系UV-LEDの256nm発光(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,関連技術,及び一般)
• m軸およびa軸オフ角C面サファイア基板上のAlN結晶成長の特徴と高出力AlGaN深紫外LEDの作製(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,関連技術,及び一般)
• 2インチ×3枚対応MOCVDを用いた260nm帯AlGaN系UV-LEDの開発(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,関連技術,及び一般)
• テラヘルツ量子カスケードレーザの進展と今後の展望(ミリ波・テラヘルツ波デバイス・システム)
• GaN系THz帯量子カスケードレーザ構造の作製と自然放出光の観察(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,関連技術,及び一般)
• GaN系THz帯量子カスケードレーザ構造の作製と自然放出光の観察(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,関連技術,及び一般)
• GaN系THz帯量子カスケードレーザ構造の作製と自然放出光の観察(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,関連技術,及び一般)
• AlGaN系深紫外LEDの高効率化への取り組み (レーザ・量子エレクトロニクス)
• AlGaN系深紫外LEDの高効率化への取り組み (電子デバイス)
• AlGaN系深紫外LEDの高効率化への取り組み(窒化物及び混晶半導体デバイス,及び一般)
• AlGaN系深紫外LEDの高効率化への取り組み(窒化物及び混晶半導体デバイス,及び一般)
• 26pPSB-4 AlGaN三元化合物半導体混晶の赤外反射(26pPSB,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在分野))

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