高野 隆好 | 独立行政法人理化学研究所:パナソニック電工株式会社
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概要
関連著者
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平山 秀樹
理研
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平山 秀樹
(独)理化学研究所
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高野 隆好
BEANSプロジェクト
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高野 隆好
独立行政法人理化学研究所:パナソニック電工株式会社
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平山 秀樹
独立行政法人理化学研究所
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藤川 紗千恵
独立行政法人理化学研究所
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藤川 紗千恵
独立行政法人理化学研究所:埼玉大学理工学研究科:独立行政法人科学技術振興機構、crest
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平山 秀樹
(独)理化学研究所 基幹研究所 先端光科学研究領域 テラヘルツ光研究グループテラヘルツ量子素子研究チーム
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藤川 紗千恵
独立行政法人 理化学研究所
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平山 秀樹
独立行政法人 理化学研究所
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鎌田 憲彦
埼玉大学工学部
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椿 健治
BEANSプロジェクト
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椿 健治
独立行政法人理化学研究所:パナソニック電工株式会社
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鎌田 憲彦
埼玉大 工
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平山 秀樹
理化学研究所・テラヘルツ量子素子研究チーム
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乗松 潤
理研
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鎌田 憲彦
埼玉大学理工学研究科
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近藤 行廣
松下電工株式会社ウェル・ラボ
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乗松 潤
独立行政法人理化学研究所
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野口 憲路
独立行政法人理化学研究所
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大橋 智昭
埼玉大学
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近藤 行廣
松下電工株式会社
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大橋 智昭
理研
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大橋 智昭
独立行政法人理化学研究所高効率LED研究チーム
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近藤 行廣
独立行政法人理化学研究所高効率LED研究チーム
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鎌田 憲彦
埼玉大学大学院理工学研究科物質科学部門物質機能領域
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野口 憲路
独立行政法人理化学研究所:埼玉大学理工学研究科:独立行政法人科学技術振興機構、crest
著作論文
- ELO-AlNテンプレート上に作製した270nm帯AlGaN紫外LED(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,及び関連技術,及び一般)
- 280nm帯InAlGaN高出力紫外LED(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,及び関連技術,及び一般)
- ELO-AlNテンプレート上に作製した270nm帯AlGaN紫外LED(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,及び関連技術,及び一般)
- 280nm帯InAlGaN高出力紫外LED(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,及び関連技術,及び一般)
- ELO-AlNテンプレート上に作製した270nm帯AlGaN紫外LED(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,及び関連技術,及び一般)
- 280nm帯InAlGaN高出力紫外LED(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,及び関連技術,及び一般)
- 330nm帯紫外発光InAlGaN量子井戸からの高い内部量子効率の観測(特別セッションテーマ: GaN系LEDの内部量子効率を決めているものは?, 窒化物半導体光・電子デバイス・材料, 及び関連技術, 及び一般(窒化物半導体国際ワークショップ))
- 330nm帯紫外発光InAlGaN量子井戸からの高い内部量子効率の観測(特別セッションテーマ: GaN系LEDの内部量子効率を決めているものは?, 窒化物半導体光・電子デバイス・材料, 及び関連技術, 及び一般(窒化物半導体国際ワークショップ))
- 330nm帯紫外発光InAlGaN量子井戸からの高い内部量子効率の観測(特別セッションテーマ: GaN系LEDの内部量子効率を決めているものは?, 窒化物半導体光・電子デバイス・材料, 及び関連技術, 及び一般(窒化物半導体国際ワークショップ))