平山 秀樹 | 理化学研究所・テラヘルツ量子素子研究チーム

スポンサーリンク

概要

• 平山 秀樹の詳細を見る
• 同名の論文著者
• 理化学研究所・テラヘルツ量子素子研究チームの論文著者

関連著者

• 平山 秀樹

  (独)理化学研究所

• 平山 秀樹

  理化学研究所・テラヘルツ量子素子研究チーム

• 平山 秀樹

  理研

• 平山 秀樹

  (独)理化学研究所 基幹研究所 先端光科学研究領域 テラヘルツ光研究グループテラヘルツ量子素子研究チーム

• 乗松 潤

  理研

• 平山 秀樹

  独立行政法人理化学研究所

• 平山 秀樹

  独立行政法人 理化学研究所

• 高野 隆好

  BEANSプロジェクト

• 椿 健治

  BEANSプロジェクト

• 藤田 浩平

  三重大学大学院工学研究科

• 三宅 秀人

  三重大学大学院工学研究科

• 平松 和政

  三重大学大学院工学研究科

• 鎌田 憲彦

  埼玉大学工学部

• 三宅 秀人

  三重大学工学部電気電子工学科

• 鎌田 憲彦

  埼玉大学理工学研究科

• 高野 隆好

  独立行政法人理化学研究所:パナソニック電工株式会社

• 椿 健治

  独立行政法人理化学研究所:パナソニック電工株式会社

• 乗松 潤

  独立行政法人理化学研究所

• 藤川 紗千恵

  独立行政法人理化学研究所

• 野口 憲路

  独立行政法人理化学研究所

• 鎌田 憲彦

  埼玉大 工

• 平松 和政

  三重大 工

• Matsushima Hidetada

  Department Of Electronics School Of Engineering Nagoya University

• 藤川 紗千恵

  独立行政法人理化学研究所:埼玉大学理工学研究科:独立行政法人科学技術振興機構、crest

• 鎌田 憲彦

  埼玉大学大学院理工学研究科物質科学部門物質機能領域

• 野口 憲路

  独立行政法人理化学研究所:埼玉大学理工学研究科:独立行政法人科学技術振興機構、crest

• 藤川 紗千恵

  独立行政法人 理化学研究所

• 平松 和政

  三重大学大学院 工学研究科

• 奥浦 一輝

  三重大学大学院工学研究科

• 平山 秀樹

  BEANSプロジェクト

• 杉山 正和

  東京大学

• 杉山 正和

  BEANSプロジェクト　3DBEANSセンター

• 平山 秀樹

  理化学研究所

• 美濃 卓哉

  BEANSプロジェクト

• 杉山 正和

  Beansプロジェクト

• 美濃 卓哉

  理化学研究所:パナソニック電工株式会社

もっと見る 閉じる

著作論文

• 周期溝加工AlN/サファイア上への減圧HVPE法によるAlN成長(窒化物及び混晶半導体デバイス)
• Si基板上高品質AlNテンプレートの開発
• ELO-AlNテンプレート上に作製した270nm帯AlGaN紫外LED(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,及び関連技術,及び一般)
• 280nm帯InAlGaN高出力紫外LED(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,及び関連技術,及び一般)
• LED-8 サファイア基板上の高品質AINバッファー上に作製した227-261nm深紫外AlGaN系LED
• 230nm帯AlGaN紫外LEDの高出力化(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,及び関連技術,及び一般)
• 220-270nm AlGaN系深紫外LEDの進展(光に関わる材料の世界 その1 : 多彩な固体発光材料の世界)
• 周期溝加工AlN/サファイア上への減圧HVPE法によるAlN成長(窒化物及び混晶半導体デバイス)
• 周期溝加工AlN/サファイア上への減圧HVPE法によるAlN成長(窒化物及び混晶半導体デバイス)
• AlGaN系殺菌用途紫外LEDの進展と今後の展望
• 230nm帯AlGaN紫外LEDの高出力化(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,及び関連技術,及び一般)
• ELO-AlNテンプレート上に作製した270nm帯AlGaN紫外LED(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,及び関連技術,及び一般)
• 280nm帯InAlGaN高出力紫外LED(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,及び関連技術,及び一般)
• 230nm帯AlGaN紫外LEDの高出力化(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,及び関連技術,及び一般)
• ELO-AlNテンプレート上に作製した270nm帯AlGaN紫外LED(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,及び関連技術,及び一般)
• 280nm帯InAlGaN高出力紫外LED(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,及び関連技術,及び一般)
• 減圧HVPE法による周期溝加工AlN/サファイア上へのELO-AlN(窒化物及び混晶半導体デバイス)
• 減圧HVPE法による周期溝加工AlN/サファイア上へのELO-AlN(窒化物及び混晶半導体デバイス)
• 減圧HVPE法による周期溝加工AlN/サファイア上へのELO-AlN(窒化物及び混晶半導体デバイス)
• C-4-15 AlGaN系深紫外LEDの高効率化(C-4.レーザ・量子エレクトロニクス,一般セッション)

もっと見る 閉じる

スポンサーリンク