Matsushima Hidetada | Department Of Electronics School Of Engineering Nagoya University

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概要

• 同名の論文著者
• Department Of Electronics School Of Engineering Nagoya Universityの論文著者

関連著者

• Matsushima Hidetada

  Department Of Electronics School Of Engineering Nagoya University

• 平松 和政

  三重大 工

• 平松 和政

  三重大学大学院工学研究科

• 三宅 秀人

  三重大学工学部電気電子工学科

• 三宅 秀人

  三重大学大学院工学研究科

• 平松 和政

  三重大学大学院 工学研究科

• 平松 和政

  三重大学工学部電子電気工学科

• 平松 和政

  三重大学工学部電気電子工学科

• 桑野 範之

  九州大学産学連携センター

• Kuwano Noriyuki

  Department Of Materials Science And Technology Kyushu University

• 武富 浩幸

  三重大学工学部電気電子工学科

• 宮川 鈴衣奈

  三重大学大学院工学研究科

• 吉田 治正

  浜松ホトニクス

• 劉 玉懐

  三重大学工学部電気電子工学科

• 吉田 治正

  浜松ホトニクス株式会社

• 藤田 浩平

  三重大学大学院工学研究科

• 奥浦 一輝

  三重大学大学院工学研究科

• 乗松 潤

  理研

• 平山 秀樹

  理研

• 吉田 治正

  浜松ホトニクス(株)

• 平山 秀樹

  (独)理化学研究所

• 高岡 秀嗣

  浜松ホトニクス(株)電子管第2事業部

• 高岡 秀嗣

  浜松ホトニクス株式会社

• 福世 文嗣

  浜松ホトニクス(株)

• 武富 浩幸

  三重大学工学部

• 岡田 知幸

  浜松ホトニクス株式会社

• 平山 秀樹

  理化学研究所・テラヘルツ量子素子研究チーム

• 福世 文嗣

  浜松ホトニクス株式会社

• 野村 拓也

  三重大学大学院工学研究科

• 岡田 知幸

  浜松ホトニクス(株)電子管事業部

• 楊 士波

  三重大学大学院工学研究科

• 平山 秀樹

  (独)理化学研究所 基幹研究所 先端光科学研究領域 テラヘルツ光研究グループテラヘルツ量子素子研究チーム

• 桑原 崇彰

  九州大学大学院総合理工学府

• 桑野 範之

  九州大学

• 田中 光浩

  日本ガイシ株式会社研究開発本部

• 中村 淳

  中部キレスト(株)

• 柴田 智彦

  日本ガイシ

• 南部 信義

  中部キレスト長岡技科大

• 田中 光浩

  日本ガイシ

• 小出 晋也

  三重大学工学部電気電子工学科

• 中村 和哉

  三重大学工学部電気電子工学科

• 柴田 智彦

  日本ガイシ株式会社

• 南部 信義

  中部キレスト(株)

• 石井 丈晴

  三重大学大学院工学研究科電気電子工学専攻

• 松岡 史晃

  三重大学大学院工学研究科電気電子工学専攻

• Hiramatsu Kazumasa

  Division Of Electrical And Electronic Engineering Graduate School Of Engineering Mie University

• Hiramatsu K

  Ntt Corp. Tsukuba‐shi Jpn

• 中村 淳

  中部キレスト (株)

• 平松 和政

  三重大学

• 橋詰 保

  北海道大学量子集積エレクトロニクス研究センター

• 播磨 弘

  京都工芸繊維大学工芸学部

• 長尾 哲

  三菱化学科学技術研究センター

• 小川原 悠哉

  三重大学工学部電気電子工学科

• 生川 満久

  三重大学工学部電気電子工学科

• 光原 昌寿

  九州大学大学院総合理工学研究院

• 菅原 克也

  北海道大学量子集積エレクトロニクス研究センター

• 桑野 範之

  九州大学大学院総理工学研究科

• 久保 俊晴

  北海道大学量子集積エレクトロニクス研究センター

• 島原 佑樹

  三重大学大学院工学研究科電気電子工学専攻

• 武富 浩幸

  三重大学大学院工学研究科電気電子工学専攻

• 馬 ベイ

  三重大学工学部電気電子工学科

• 宮川 鈴衣奈

  三重大学工学部電気電子工学科

• 胡 衛国

  三重大学工学部電気電子工学科

• 江龍 修

  名古屋工業大学

• 菅原 克也

  北海道大学

• 江崎 哲也

  九州大学総合理工学府

• Hashizume T

  Advanced Research Laboratory Hitachi Ltd.:department Of Physics Tokyo Institute Of Technology

• Hashizume Tomihiro

  Institute For Materials Research (imr) Tohoku University:(present Address)advanced Research Laborato

• 奥村 建太

  三重大学大学院工学研究科

• 片桐 佑介

  三重大学工学部電気電子工学科

• 奥浦 一輝

  三重大学工学部電気電子工学科

• 呉 潔君

  三重大学工学部電気電子工学科

• 小林 祐二

  浜松ホトニクス(株)中央研究所

• Hitosugi Taro

  Department Of Superconductivity University Of Tokyo

• 播磨 弘

  京都工芸繊維大学

• 播磨 弘

  京都工芸繊維大学 工芸学部

• Hashizume Tamotsu

  Research Center For Integrated Quantum Electronics And Graduate School Of Information Science &

• 高木 雄太

  三重大学大学院工学研究科

• 大内 澄人

  三重大学大学院工学研究科

• 橋詰 保

  北海道大学 情報科学研究科 量子集積エレクトロニクス研究センター

• 龍 祐樹

  九州大学大学院総合理工学府

• 桑野 範之

  九州大学大学院総合理工学府

• 光原 昌寿

  九州大学大学院総合理工学府

• 神野 大樹

  三重大学

• 岡田 俊祐

  三重大学

• 江夏 悠貴

  三菱化学

• 福世 文嗣

  三重大学大学院工学研究科電気電子工学専攻:浜松ホトニクス株式会社

• 落合 俊介

  三重大学大学院工学研究科電気電子工学専攻

• 高木 麻有奈

  三重大学大学院工学研究科電気電子工学専攻

• 三宅 秀人

  三重大学

• 大野 裕

  東北大金研

• 米永 一郎

  東北大金研

• 徳本 有紀

  東北大金研

• 三宅 秀人

  三重大工

• 大西 孝

  三重大学工学部電気電子工学科

• Miyake Hideto

  Department of Electrical and Electronic Engineering, Faculty of Engineering, Mie University

• Hiramatsu Kazumasa

  Department of Electrical and Electronic Engineering, Faculty of Engineering, Mie University

• 原口 雅也

  九州大学総合理工学府

• 勝野 琢弥

  三重大学工学部電気電子工学科

• 黎 大兵

  三重大学SVBL

• 増田 規宏

  三重大学工学部電気電子工学科

• 石賀 章

  三重大学工学部電気電子工学科

• KAWAGUCHI Yasutoshi

  Department of Electronics, School of Engineering, Nagoya University, Chikusa-ku, Nagoya

• YAMAGUCHI Masahito

  Department of Electronics, School of Engineering, Nagoya University, Chikusa-ku, Nagoya

• SAWAKI Nobuhiko

  Department of Electronics, School of Engineering, Nagoya University, Chikusa-ku, Nagoya

• MATSUSHIMA Hidetada

  Department of Electronics, School of Engineering, Nagoya University

• 元垣内 敦司

  Graduate School Of Electronic Science And Technology Shizuoka University

• Yamaguchi M

  Toyota Technological Inst. Nagoya Jpn

• Sawaki N

  Nagoya Univ. Nagoya Jpn

• Miyake Hideto

  Department Of Electrical And Electronic Engineering Faculty Of Engineering Mie University

• Sawaki Nobuhiko

  Department Of Electronics Faculty Of Engineering Nagoya University

• Yamaguchi Masahito

  Department Of Electronic Engineering Faculty Of Engineering Osaka University

• Hiramatsu Kazumasa

  Department Of Electrical And Electronic Engineering Faculty Of Engineering Mie University

• Motogaito Atsushi

  Division Of Electrical And Electronic Engineering Graduate School Of Engineering Mie University

• MACHIDA Narito

  Division of Electrical and Electronic Engineering, Graduate School of Engineering, Mie University

• MANABE Katsuhide

  Division of Electrical and Electronic Engineering, Graduate School of Engineering, Mie University

• Machida Narito

  Division Of Electrical And Electronic Engineering Graduate School Of Engineering Mie University

• Manabe Katsuhide

  Division Of Electrical And Electronic Engineering Graduate School Of Engineering Mie University

• Sawaki Nobuhiko

  Department of Electrical and Electronic Engineering, Aichi Institute of Technology, Toyota, Aichi 470-0392, Japan

• 沓掛 健太朗

  東北大金研

• YAMAGUCHI Masahito

  Department of Electrical Engineering and Computer Science, Graduate School of Engineering, Nagoya University

• 種市 寛人

  東北大金研

• SAWAKI Nobuhiko

  Department of Electronics, Nagoya University

• 若木 守明

  東海大学工学部

• 佐藤 英樹

  三重大学大学院工学研究科

• 平山 秀樹

  BEANSプロジェクト

• 平松 和政

  三重大学大学院工学研究科電気電子工学専攻

• 三宅 秀人

  三重大学 工学部

• Honda Yoshio

  Department Of Electronics School Of Engineering Nagoya University Chikusa-ku Nagoya

• Sugiyama Koichi

  Department of Cardiovascular Medicine, Graduate School of Medical Sciences, Kumamoto University

• SONE HIROKI

  Department of Geophysics, School of Earth Sciences, Stanford University

• Sone Hiroki

  Department Of Electronics School Of Engineering Nagoya University

• Sone Hiroki

  Department Of Chemistry Faculty Of Science Nagoya University

• 若木 守明

  東海大学工学

• Honda Yoshio

  Department Of Electronics Nagoya University

• Honda Y

  Hitachi Ltd. Kokubunji‐shi Jpn

• Morikawa Tadanori

  Division Of Electrical And Electronic Engineering Graduate School Of Engineering Mie University

• 神崎 陽介

  東海大学工学研究科光工学専攻

• Miyake H

  Mie Univ. Mie Jpn

• NAMBU Shingo

  Department of Electronics, School of Engineering, Nagoya University

• SHIBATA Takumi

  Department of Electronics, School of Engineering, Nagoya University

• HAGINOYA Tetsuo

  Department of Electrical and Electronic Engineering, Mie University

• Nambu Shingo

  Department Of Electronics School Of Engineering Nagoya University

• Sugiura T

  Department Of Electrical Engineering Toyota College Of Technology

• Haginoya Tetsuo

  Department Of Electrical And Electronic Engineering Mie University

• Miyake H

  Toshiba Corp. Kawasaki‐shi Jpn

• MIYAKE Hideto

  Division of Electrical and Electronic Engineering, Graduate School of Engineering, Mie University

• MOTOGAITO Atsushi

  Mie University, Department of Electrical and Electronic Engineering, Graduate School of Engineering

• MANABE Katsuhide

  Mie University, Department of Electrical and Electronic Engineering, Graduate School of Engineering

• YAMANAKA Yuuki

  Mie University, Department of Electrical and Electronic Engineering, Graduate School of Engineering

• MACHIDA Narito

  Mie University, Department of Electrical and Electronic Engineering, Graduate School of Engineering

• MIYAKE Hideto

  Mie University, Department of Electrical and Electronic Engineering, Graduate School of Engineering

• HIRAMATSU Kazumasa

  Mie University, Department of Electrical and Electronic Engineering, Graduate School of Engineering

• Sugiyama Koichi

  Department Of Electrical And Electronic Engineering Mie University

• Yamanaka Yuuki

  Mie University Department Of Electrical And Electronic Engineering Graduate School Of Engineering

• Hiramatsu Kazumasa

  Mie University Department Of Electrical And Electronic Engineering Graduate School Of Engineering

• Matsushima Hidetaka

  Department of Electronics, School of Engineering, Nagoya University

• HONDA Yoshio

  Department of Electrical Engineering and Computer Science, Graduate School of Engineering, Nagoya University

• Honda Yoshio

  Department of Chemistry, Faculty of Science, Kanazawa University

• 前坂 考哉

  三重大学大学院工学研究科

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著作論文

• 周期溝加工AlN/サファイア上への減圧HVPE法によるAlN成長(窒化物及び混晶半導体デバイス)
• 高Al組成AlGaNの表面特性と深い電子準位(窒化物及び混晶半導体デバイス)
• 次世代固体照明の開発と医療・環境応用に関する研究
• AlN/sapphire上のAlGaNのMOVPE成長と発光特性(窒化物及び混晶半導体デバイス)
• AlN/sapphire上のAlGaNのMOVPE成長と電子線励起による深紫外発光(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
• AlGaNのMOVPE成長における基板の反り制御(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,及び関連技術,及び一般)
• 周期溝加工AlN/サファイア上への減圧HVPE法によるAlN成長(窒化物及び混晶半導体デバイス)
• 周期溝加工AlN/サファイア上への減圧HVPE法によるAlN成長(窒化物及び混晶半導体デバイス)
• 高Al組成AlGaNの表面特性と深い電子準位(窒化物及び混晶半導体デバイス)
• AlN/sapphire上のAlGaNのMOVPE成長と発光特性(窒化物及び混晶半導体デバイス)
• 高Al組成AlGaNの表面特性と深い電子準位(窒化物及び混晶半導体デバイス)
• AlN/sapphire上のAlGaNのMOVPE成長と発光特性(窒化物及び混晶半導体デバイス)
• MOVPE法によるr面サファイア上へのa面GaN成長(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
• AlN/sapphire上のAlGaNのMOVPE成長と電子線励起による深紫外発光(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
• MOVPE法によるr面サファイア上へのa面GaN成長(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
• AlN/sapphire上のAlGaNのMOVPE成長と電子線励起による深紫外発光(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
• MOVPE法によるr面サファイア上へのa面GaN成長(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
• 次世代固体照明の開発と医療・環境応用に関する研究
• 高Alモル分率AlGaNへのSiドーピングによる影響(結晶成長・特性評価, 窒化物半導体光・電子デバイス・材料, 及び関連技術, 及び一般(窒化物半導体国際ワークショップ))
• 研磨AlN基板を用いたAlGaNの成長と評価(結晶成長・特性評価, 窒化物半導体光・電子デバイス・材料, 及び関連技術, 及び一般(窒化物半導体国際ワークショップ))
• 高Alモル分率AlGaNへのSiドーピングによる影響(結晶成長・特性評価, 窒化物半導体光・電子デバイス・材料, 及び関連技術, 及び一般(窒化物半導体国際ワークショップ))
• 研磨AlN基板を用いたAlGaNの成長と評価(結晶成長・特性評価, 窒化物半導体光・電子デバイス・材料, 及び関連技術, 及び一般(窒化物半導体国際ワークショップ))
• Selective Area Growth of GaN on Si Substrate Using SiO_2 Mask by Metalorganic Vapor Phase Epitaxy
• 金属EDTA錯体を用いたGaN系青色発光材料の合成(結晶成長評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,その他の電子材料))
• 金属EDTA錯体を用いたGaN系青色発光材料の合成(結晶成長評価及びデバイス(化合物,Si, SiGe,その他の電子材料))
• 金属EDTA錯体を用いたGaN系青色発光材料の合成(結晶成長評価及びデバイス(化合物,Si, SiGe,その他の電子材料))
• 金属EDTA錯体を用いたGaN系青色発光材料の合成
• 減圧HVPE法による周期溝加工AlN/サファイア上へのELO-AlN(窒化物及び混晶半導体デバイス)
• SiCを基板に用いた減圧HVPE法によるAlN成長(窒化物及び混晶半導体デバイス)
• 減圧HVPE法による周期溝加工AlN/サファイア上へのELO-AlN(窒化物及び混晶半導体デバイス)
• SiCを基板に用いた減圧HVPE法によるAlN成長(窒化物及び混晶半導体デバイス)
• 減圧HVPE法による周期溝加工AlN/サファイア上へのELO-AlN(窒化物及び混晶半導体デバイス)
• SiCを基板に用いた減圧HVPE法によるAlN成長(窒化物及び混晶半導体デバイス)
• 周期溝加工基板上への減圧HVPE法によるAlN成長と評価(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,及び関連技術,及び一般)
• 周期溝加工基板上への減圧HVPE法によるAlN成長と評価(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,及び関連技術,及び一般)
• 周期溝加工基板上への減圧HVPE法によるAlN成長と評価(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,及び関連技術,及び一般)
• AlGaNのMOVPE成長における基板の反り制御(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,及び関連技術,及び一般)
• AlGaNのMOVPE成長における基板の反り制御(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,及び関連技術,及び一般)
• Si基板の微細加工による赤外域フォトニック構造の作製と評価(結晶成長評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,その他の電子材料))
• Si基板の微細加工による赤外域フォトニック構造の作製と評価(結晶成長評価及びデバイス(化合物,Si, SiGe,その他の電子材料))
• Si基板の微細加工による赤外域フォトニック構造の作製と評価(結晶成長評価及びデバイス(化合物,Si, SiGe,その他の電子材料))
• Si基板の微細加工による赤外域フォトニック構造の作製と評価
• ファセット制御技術による高品質窒化物半導体の作製
• 有効媒質近似を用いたGaNナノ針状構造の光学モデルの構築
• MOVPE法GaN成長におけるボイド形成による基板の反り制御 (シリコン材料・デバイス)
• MOVPE法GaN成長におけるボイド形成による基板の反り制御 (電子部品・材料)
• MOVPE法GaN成長におけるボイド形成による基板の反り制御 (電子デバイス)
• a面Sapphire上周期構加工c面AlNを基板に用いた減圧HVPE法による厚膜AlN成長 (シリコン材料・デバイス)
• a面Sapphire上周期構加工c面AlNを基板に用いた減圧HVPE法による厚膜AlN成長 (電子部品・材料)
• a面Sapphire上周期構加工c面AlNを基板に用いた減圧HVPE法による厚膜AlN成長 (電子デバイス)
• Selective Area Growth of GaN Using Tungsten Mask by Metalorganic Vapor Phase Epitaxy
• Phase Relations in the CuGa_xIn_Se_2-In Pseudobinary System
• Fabrication of a Binary Diffractive Lens for Controlling the Luminous Intensity Distribution of LED Light
• Optical Characterization of Japanese Papers for Application in the LED Lighting System with Human Sensitivity
• エピタキシャルAlN膜のラマン散乱分光による評価(HVPE,その他の薄膜成長と評価,結晶成長,評価技術及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
• エピタキシャルAlN膜のラマン散乱分光による評価(HVPE,その他の薄膜成長と評価,結晶成長,評価技術及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
• エピタキシャルAIN膜のラマン散乱分光による評価(HVPE,その他の薄膜成長と評価,結晶成長,評価技術及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
• MOVPE法GaN成長におけるボイド形成による基板の反り制御(MOVPE,結晶成長,評価技術及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
• a面Sapphire上周期溝加工c面AlNを基板に用いた減圧HVPE法による厚膜AlN成長(HVPE,その他の薄膜成長と評価,結晶成長,評価技術及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
• MOVPE法GaN成長におけるボイド形成による基板の反り制御(MOVPE,結晶成長,評価技術及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
• a面Sapphire上周期溝加工c面AlNを基板に用いた減圧HVPE法による厚膜AlN成長(HVPE,その他の薄膜成長と評価,結晶成長,評価技術及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
• MOVPE法GaN成長におけるボイド形成による基板の反り制御(MOVPE,結晶成長,評価技術及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
• a面Sapphire上周期溝加工c面AINを基板に用いた減圧HVPE法による厚膜AIN成長(HVPE,その他の薄膜成長と評価,結晶成長,評価技術及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
• エッチピット法によるAlNエピタキシャル膜中の貫通転位の評価(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,関連技術,及び一般)
• エッチピット法によるAlNエピタキシャル膜中の貫通転位の評価(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,関連技術,及び一般)
• エッチピット法によるAlNエピタキシャル膜中の貫通転位の評価(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,関連技術,及び一般)
• サファイア基板上へのAlNのMOVPE成長における中間層制御(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,関連技術,及び一般)
• サファイア基板上へのAlNのMOVPE成長における中間層制御(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,関連技術,及び一般)
• サファイア基板上へのAlNのMOVPE成長における中間層制御(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,関連技術,及び一般)
• 27aXS-8 ナノインデンテーション法によるAl_xGa_N薄膜の硬度測定(27aXS 格子欠陥・ナノ構造(転位・界面・半導体),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン))
• 非極性GaN基板上への選択MOVPE成長(窒化物及び混晶半導体デバイス,及び一般)
• 減圧MOVPE法によるSi-doped AlGaN多重量子井戸の作製とその深紫外光源応用(窒化物及び混晶半導体デバイス,及び一般)
• 非極性GaN基板上への選択MOVPE成長(窒化物及び混晶半導体デバイス,及び一般)
• 減圧MOVPE法によるSi-doped AlGaN多重量子井戸の作製とその深紫外光源応用(窒化物及び混晶半導体デバイス,及び一般)
• 減圧MOVPE法によるSi-doped AlGaN多重量子井戸の作製とその深紫外光源応用(窒化物及び混晶半導体デバイス,及び一般)
• 非極性GaN基板上への選択MOVPE成長(窒化物及び混晶半導体デバイス,及び一般)
• 減圧CVD法によるグラフェン成長制御(有機材料,一般)
• 26pKA-7 Al_xGa_N薄膜の混晶硬化と秩序構造との相関(格子欠陥・ナノ構造(半導体),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン))

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