Matsushima Hidetada | Department Of Electronics School Of Engineering Nagoya University
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概要
関連著者
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Matsushima Hidetada
Department Of Electronics School Of Engineering Nagoya University
-
平松 和政
三重大 工
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平松 和政
三重大学大学院工学研究科
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三宅 秀人
三重大学工学部電気電子工学科
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三宅 秀人
三重大学大学院工学研究科
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平松 和政
三重大学大学院 工学研究科
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平松 和政
三重大学工学部電子電気工学科
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平松 和政
三重大学工学部電気電子工学科
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桑野 範之
九州大学産学連携センター
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Kuwano Noriyuki
Department Of Materials Science And Technology Kyushu University
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武富 浩幸
三重大学工学部電気電子工学科
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宮川 鈴衣奈
三重大学大学院工学研究科
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吉田 治正
浜松ホトニクス
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劉 玉懐
三重大学工学部電気電子工学科
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吉田 治正
浜松ホトニクス株式会社
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藤田 浩平
三重大学大学院工学研究科
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奥浦 一輝
三重大学大学院工学研究科
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乗松 潤
理研
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平山 秀樹
理研
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吉田 治正
浜松ホトニクス(株)
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平山 秀樹
(独)理化学研究所
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高岡 秀嗣
浜松ホトニクス(株)電子管第2事業部
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高岡 秀嗣
浜松ホトニクス株式会社
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福世 文嗣
浜松ホトニクス(株)
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武富 浩幸
三重大学工学部
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岡田 知幸
浜松ホトニクス株式会社
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平山 秀樹
理化学研究所・テラヘルツ量子素子研究チーム
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福世 文嗣
浜松ホトニクス株式会社
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野村 拓也
三重大学大学院工学研究科
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岡田 知幸
浜松ホトニクス(株)電子管事業部
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楊 士波
三重大学大学院工学研究科
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平山 秀樹
(独)理化学研究所 基幹研究所 先端光科学研究領域 テラヘルツ光研究グループテラヘルツ量子素子研究チーム
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桑原 崇彰
九州大学大学院総合理工学府
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桑野 範之
九州大学
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田中 光浩
日本ガイシ株式会社研究開発本部
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中村 淳
中部キレスト(株)
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柴田 智彦
日本ガイシ
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南部 信義
中部キレスト長岡技科大
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田中 光浩
日本ガイシ
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小出 晋也
三重大学工学部電気電子工学科
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中村 和哉
三重大学工学部電気電子工学科
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柴田 智彦
日本ガイシ株式会社
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南部 信義
中部キレスト(株)
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石井 丈晴
三重大学大学院工学研究科電気電子工学専攻
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松岡 史晃
三重大学大学院工学研究科電気電子工学専攻
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Hiramatsu Kazumasa
Division Of Electrical And Electronic Engineering Graduate School Of Engineering Mie University
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Hiramatsu K
Ntt Corp. Tsukuba‐shi Jpn
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中村 淳
中部キレスト (株)
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平松 和政
三重大学
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橋詰 保
北海道大学量子集積エレクトロニクス研究センター
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播磨 弘
京都工芸繊維大学工芸学部
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長尾 哲
三菱化学科学技術研究センター
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小川原 悠哉
三重大学工学部電気電子工学科
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生川 満久
三重大学工学部電気電子工学科
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光原 昌寿
九州大学大学院総合理工学研究院
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菅原 克也
北海道大学量子集積エレクトロニクス研究センター
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桑野 範之
九州大学大学院総理工学研究科
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久保 俊晴
北海道大学量子集積エレクトロニクス研究センター
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島原 佑樹
三重大学大学院工学研究科電気電子工学専攻
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武富 浩幸
三重大学大学院工学研究科電気電子工学専攻
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馬 ベイ
三重大学工学部電気電子工学科
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宮川 鈴衣奈
三重大学工学部電気電子工学科
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胡 衛国
三重大学工学部電気電子工学科
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江龍 修
名古屋工業大学
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菅原 克也
北海道大学
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江崎 哲也
九州大学総合理工学府
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Hashizume T
Advanced Research Laboratory Hitachi Ltd.:department Of Physics Tokyo Institute Of Technology
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Hashizume Tomihiro
Institute For Materials Research (imr) Tohoku University:(present Address)advanced Research Laborato
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奥村 建太
三重大学大学院工学研究科
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片桐 佑介
三重大学工学部電気電子工学科
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奥浦 一輝
三重大学工学部電気電子工学科
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呉 潔君
三重大学工学部電気電子工学科
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小林 祐二
浜松ホトニクス(株)中央研究所
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Hitosugi Taro
Department Of Superconductivity University Of Tokyo
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播磨 弘
京都工芸繊維大学
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播磨 弘
京都工芸繊維大学 工芸学部
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Hashizume Tamotsu
Research Center For Integrated Quantum Electronics And Graduate School Of Information Science &
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高木 雄太
三重大学大学院工学研究科
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大内 澄人
三重大学大学院工学研究科
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橋詰 保
北海道大学 情報科学研究科 量子集積エレクトロニクス研究センター
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龍 祐樹
九州大学大学院総合理工学府
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桑野 範之
九州大学大学院総合理工学府
-
光原 昌寿
九州大学大学院総合理工学府
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神野 大樹
三重大学
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岡田 俊祐
三重大学
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江夏 悠貴
三菱化学
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福世 文嗣
三重大学大学院工学研究科電気電子工学専攻:浜松ホトニクス株式会社
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落合 俊介
三重大学大学院工学研究科電気電子工学専攻
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高木 麻有奈
三重大学大学院工学研究科電気電子工学専攻
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三宅 秀人
三重大学
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大野 裕
東北大金研
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米永 一郎
東北大金研
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徳本 有紀
東北大金研
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三宅 秀人
三重大工
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大西 孝
三重大学工学部電気電子工学科
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Miyake Hideto
Department of Electrical and Electronic Engineering, Faculty of Engineering, Mie University
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Hiramatsu Kazumasa
Department of Electrical and Electronic Engineering, Faculty of Engineering, Mie University
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原口 雅也
九州大学総合理工学府
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勝野 琢弥
三重大学工学部電気電子工学科
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黎 大兵
三重大学SVBL
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増田 規宏
三重大学工学部電気電子工学科
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石賀 章
三重大学工学部電気電子工学科
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KAWAGUCHI Yasutoshi
Department of Electronics, School of Engineering, Nagoya University, Chikusa-ku, Nagoya
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YAMAGUCHI Masahito
Department of Electronics, School of Engineering, Nagoya University, Chikusa-ku, Nagoya
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SAWAKI Nobuhiko
Department of Electronics, School of Engineering, Nagoya University, Chikusa-ku, Nagoya
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MATSUSHIMA Hidetada
Department of Electronics, School of Engineering, Nagoya University
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元垣内 敦司
Graduate School Of Electronic Science And Technology Shizuoka University
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Yamaguchi M
Toyota Technological Inst. Nagoya Jpn
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Sawaki N
Nagoya Univ. Nagoya Jpn
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Miyake Hideto
Department Of Electrical And Electronic Engineering Faculty Of Engineering Mie University
-
Sawaki Nobuhiko
Department Of Electronics Faculty Of Engineering Nagoya University
-
Yamaguchi Masahito
Department Of Electronic Engineering Faculty Of Engineering Osaka University
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Hiramatsu Kazumasa
Department Of Electrical And Electronic Engineering Faculty Of Engineering Mie University
-
Motogaito Atsushi
Division Of Electrical And Electronic Engineering Graduate School Of Engineering Mie University
-
MACHIDA Narito
Division of Electrical and Electronic Engineering, Graduate School of Engineering, Mie University
-
MANABE Katsuhide
Division of Electrical and Electronic Engineering, Graduate School of Engineering, Mie University
-
Machida Narito
Division Of Electrical And Electronic Engineering Graduate School Of Engineering Mie University
-
Manabe Katsuhide
Division Of Electrical And Electronic Engineering Graduate School Of Engineering Mie University
-
Sawaki Nobuhiko
Department of Electrical and Electronic Engineering, Aichi Institute of Technology, Toyota, Aichi 470-0392, Japan
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沓掛 健太朗
東北大金研
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YAMAGUCHI Masahito
Department of Electrical Engineering and Computer Science, Graduate School of Engineering, Nagoya University
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種市 寛人
東北大金研
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SAWAKI Nobuhiko
Department of Electronics, Nagoya University
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若木 守明
東海大学工学部
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佐藤 英樹
三重大学大学院工学研究科
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平山 秀樹
BEANSプロジェクト
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平松 和政
三重大学大学院工学研究科電気電子工学専攻
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三宅 秀人
三重大学 工学部
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Honda Yoshio
Department Of Electronics School Of Engineering Nagoya University Chikusa-ku Nagoya
-
Sugiyama Koichi
Department of Cardiovascular Medicine, Graduate School of Medical Sciences, Kumamoto University
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SONE HIROKI
Department of Geophysics, School of Earth Sciences, Stanford University
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Sone Hiroki
Department Of Electronics School Of Engineering Nagoya University
-
Sone Hiroki
Department Of Chemistry Faculty Of Science Nagoya University
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若木 守明
東海大学工学
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Honda Yoshio
Department Of Electronics Nagoya University
-
Honda Y
Hitachi Ltd. Kokubunji‐shi Jpn
-
Morikawa Tadanori
Division Of Electrical And Electronic Engineering Graduate School Of Engineering Mie University
-
神崎 陽介
東海大学工学研究科光工学専攻
-
Miyake H
Mie Univ. Mie Jpn
-
NAMBU Shingo
Department of Electronics, School of Engineering, Nagoya University
-
SHIBATA Takumi
Department of Electronics, School of Engineering, Nagoya University
-
HAGINOYA Tetsuo
Department of Electrical and Electronic Engineering, Mie University
-
Nambu Shingo
Department Of Electronics School Of Engineering Nagoya University
-
Sugiura T
Department Of Electrical Engineering Toyota College Of Technology
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Haginoya Tetsuo
Department Of Electrical And Electronic Engineering Mie University
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Miyake H
Toshiba Corp. Kawasaki‐shi Jpn
-
MIYAKE Hideto
Division of Electrical and Electronic Engineering, Graduate School of Engineering, Mie University
-
MOTOGAITO Atsushi
Mie University, Department of Electrical and Electronic Engineering, Graduate School of Engineering
-
MANABE Katsuhide
Mie University, Department of Electrical and Electronic Engineering, Graduate School of Engineering
-
YAMANAKA Yuuki
Mie University, Department of Electrical and Electronic Engineering, Graduate School of Engineering
-
MACHIDA Narito
Mie University, Department of Electrical and Electronic Engineering, Graduate School of Engineering
-
MIYAKE Hideto
Mie University, Department of Electrical and Electronic Engineering, Graduate School of Engineering
-
HIRAMATSU Kazumasa
Mie University, Department of Electrical and Electronic Engineering, Graduate School of Engineering
-
Sugiyama Koichi
Department Of Electrical And Electronic Engineering Mie University
-
Yamanaka Yuuki
Mie University Department Of Electrical And Electronic Engineering Graduate School Of Engineering
-
Hiramatsu Kazumasa
Mie University Department Of Electrical And Electronic Engineering Graduate School Of Engineering
-
Matsushima Hidetaka
Department of Electronics, School of Engineering, Nagoya University
-
HONDA Yoshio
Department of Electrical Engineering and Computer Science, Graduate School of Engineering, Nagoya University
-
Honda Yoshio
Department of Chemistry, Faculty of Science, Kanazawa University
-
前坂 考哉
三重大学大学院工学研究科
著作論文
- 周期溝加工AlN/サファイア上への減圧HVPE法によるAlN成長(窒化物及び混晶半導体デバイス)
- 高Al組成AlGaNの表面特性と深い電子準位(窒化物及び混晶半導体デバイス)
- 次世代固体照明の開発と医療・環境応用に関する研究
- AlN/sapphire上のAlGaNのMOVPE成長と発光特性(窒化物及び混晶半導体デバイス)
- AlN/sapphire上のAlGaNのMOVPE成長と電子線励起による深紫外発光(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
- AlGaNのMOVPE成長における基板の反り制御(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,及び関連技術,及び一般)
- 周期溝加工AlN/サファイア上への減圧HVPE法によるAlN成長(窒化物及び混晶半導体デバイス)
- 周期溝加工AlN/サファイア上への減圧HVPE法によるAlN成長(窒化物及び混晶半導体デバイス)
- 高Al組成AlGaNの表面特性と深い電子準位(窒化物及び混晶半導体デバイス)
- AlN/sapphire上のAlGaNのMOVPE成長と発光特性(窒化物及び混晶半導体デバイス)
- 高Al組成AlGaNの表面特性と深い電子準位(窒化物及び混晶半導体デバイス)
- AlN/sapphire上のAlGaNのMOVPE成長と発光特性(窒化物及び混晶半導体デバイス)
- MOVPE法によるr面サファイア上へのa面GaN成長(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
- AlN/sapphire上のAlGaNのMOVPE成長と電子線励起による深紫外発光(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
- MOVPE法によるr面サファイア上へのa面GaN成長(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
- AlN/sapphire上のAlGaNのMOVPE成長と電子線励起による深紫外発光(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
- MOVPE法によるr面サファイア上へのa面GaN成長(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
- 次世代固体照明の開発と医療・環境応用に関する研究
- 高Alモル分率AlGaNへのSiドーピングによる影響(結晶成長・特性評価, 窒化物半導体光・電子デバイス・材料, 及び関連技術, 及び一般(窒化物半導体国際ワークショップ))
- 研磨AlN基板を用いたAlGaNの成長と評価(結晶成長・特性評価, 窒化物半導体光・電子デバイス・材料, 及び関連技術, 及び一般(窒化物半導体国際ワークショップ))
- 高Alモル分率AlGaNへのSiドーピングによる影響(結晶成長・特性評価, 窒化物半導体光・電子デバイス・材料, 及び関連技術, 及び一般(窒化物半導体国際ワークショップ))
- 研磨AlN基板を用いたAlGaNの成長と評価(結晶成長・特性評価, 窒化物半導体光・電子デバイス・材料, 及び関連技術, 及び一般(窒化物半導体国際ワークショップ))
- Selective Area Growth of GaN on Si Substrate Using SiO_2 Mask by Metalorganic Vapor Phase Epitaxy
- 金属EDTA錯体を用いたGaN系青色発光材料の合成(結晶成長評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,その他の電子材料))
- 金属EDTA錯体を用いたGaN系青色発光材料の合成(結晶成長評価及びデバイス(化合物,Si, SiGe,その他の電子材料))
- 金属EDTA錯体を用いたGaN系青色発光材料の合成(結晶成長評価及びデバイス(化合物,Si, SiGe,その他の電子材料))
- 金属EDTA錯体を用いたGaN系青色発光材料の合成
- 減圧HVPE法による周期溝加工AlN/サファイア上へのELO-AlN(窒化物及び混晶半導体デバイス)
- SiCを基板に用いた減圧HVPE法によるAlN成長(窒化物及び混晶半導体デバイス)
- 減圧HVPE法による周期溝加工AlN/サファイア上へのELO-AlN(窒化物及び混晶半導体デバイス)
- SiCを基板に用いた減圧HVPE法によるAlN成長(窒化物及び混晶半導体デバイス)
- 減圧HVPE法による周期溝加工AlN/サファイア上へのELO-AlN(窒化物及び混晶半導体デバイス)
- SiCを基板に用いた減圧HVPE法によるAlN成長(窒化物及び混晶半導体デバイス)
- 周期溝加工基板上への減圧HVPE法によるAlN成長と評価(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,及び関連技術,及び一般)
- 周期溝加工基板上への減圧HVPE法によるAlN成長と評価(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,及び関連技術,及び一般)
- 周期溝加工基板上への減圧HVPE法によるAlN成長と評価(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,及び関連技術,及び一般)
- AlGaNのMOVPE成長における基板の反り制御(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,及び関連技術,及び一般)
- AlGaNのMOVPE成長における基板の反り制御(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,及び関連技術,及び一般)
- Si基板の微細加工による赤外域フォトニック構造の作製と評価(結晶成長評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,その他の電子材料))
- Si基板の微細加工による赤外域フォトニック構造の作製と評価(結晶成長評価及びデバイス(化合物,Si, SiGe,その他の電子材料))
- Si基板の微細加工による赤外域フォトニック構造の作製と評価(結晶成長評価及びデバイス(化合物,Si, SiGe,その他の電子材料))
- Si基板の微細加工による赤外域フォトニック構造の作製と評価
- ファセット制御技術による高品質窒化物半導体の作製
- 有効媒質近似を用いたGaNナノ針状構造の光学モデルの構築
- MOVPE法GaN成長におけるボイド形成による基板の反り制御 (シリコン材料・デバイス)
- MOVPE法GaN成長におけるボイド形成による基板の反り制御 (電子部品・材料)
- MOVPE法GaN成長におけるボイド形成による基板の反り制御 (電子デバイス)
- a面Sapphire上周期構加工c面AlNを基板に用いた減圧HVPE法による厚膜AlN成長 (シリコン材料・デバイス)
- a面Sapphire上周期構加工c面AlNを基板に用いた減圧HVPE法による厚膜AlN成長 (電子部品・材料)
- a面Sapphire上周期構加工c面AlNを基板に用いた減圧HVPE法による厚膜AlN成長 (電子デバイス)
- Selective Area Growth of GaN Using Tungsten Mask by Metalorganic Vapor Phase Epitaxy
- Phase Relations in the CuGa_xIn_Se_2-In Pseudobinary System
- Fabrication of a Binary Diffractive Lens for Controlling the Luminous Intensity Distribution of LED Light
- Optical Characterization of Japanese Papers for Application in the LED Lighting System with Human Sensitivity
- エピタキシャルAlN膜のラマン散乱分光による評価(HVPE,その他の薄膜成長と評価,結晶成長,評価技術及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
- エピタキシャルAlN膜のラマン散乱分光による評価(HVPE,その他の薄膜成長と評価,結晶成長,評価技術及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
- エピタキシャルAIN膜のラマン散乱分光による評価(HVPE,その他の薄膜成長と評価,結晶成長,評価技術及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
- MOVPE法GaN成長におけるボイド形成による基板の反り制御(MOVPE,結晶成長,評価技術及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
- a面Sapphire上周期溝加工c面AlNを基板に用いた減圧HVPE法による厚膜AlN成長(HVPE,その他の薄膜成長と評価,結晶成長,評価技術及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
- MOVPE法GaN成長におけるボイド形成による基板の反り制御(MOVPE,結晶成長,評価技術及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
- a面Sapphire上周期溝加工c面AlNを基板に用いた減圧HVPE法による厚膜AlN成長(HVPE,その他の薄膜成長と評価,結晶成長,評価技術及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
- MOVPE法GaN成長におけるボイド形成による基板の反り制御(MOVPE,結晶成長,評価技術及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
- a面Sapphire上周期溝加工c面AINを基板に用いた減圧HVPE法による厚膜AIN成長(HVPE,その他の薄膜成長と評価,結晶成長,評価技術及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
- エッチピット法によるAlNエピタキシャル膜中の貫通転位の評価(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,関連技術,及び一般)
- エッチピット法によるAlNエピタキシャル膜中の貫通転位の評価(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,関連技術,及び一般)
- エッチピット法によるAlNエピタキシャル膜中の貫通転位の評価(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,関連技術,及び一般)
- サファイア基板上へのAlNのMOVPE成長における中間層制御(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,関連技術,及び一般)
- サファイア基板上へのAlNのMOVPE成長における中間層制御(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,関連技術,及び一般)
- サファイア基板上へのAlNのMOVPE成長における中間層制御(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,関連技術,及び一般)
- 27aXS-8 ナノインデンテーション法によるAl_xGa_N薄膜の硬度測定(27aXS 格子欠陥・ナノ構造(転位・界面・半導体),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン))
- 非極性GaN基板上への選択MOVPE成長(窒化物及び混晶半導体デバイス,及び一般)
- 減圧MOVPE法によるSi-doped AlGaN多重量子井戸の作製とその深紫外光源応用(窒化物及び混晶半導体デバイス,及び一般)
- 非極性GaN基板上への選択MOVPE成長(窒化物及び混晶半導体デバイス,及び一般)
- 減圧MOVPE法によるSi-doped AlGaN多重量子井戸の作製とその深紫外光源応用(窒化物及び混晶半導体デバイス,及び一般)
- 減圧MOVPE法によるSi-doped AlGaN多重量子井戸の作製とその深紫外光源応用(窒化物及び混晶半導体デバイス,及び一般)
- 非極性GaN基板上への選択MOVPE成長(窒化物及び混晶半導体デバイス,及び一般)
- 減圧CVD法によるグラフェン成長制御(有機材料,一般)
- 26pKA-7 Al_xGa_N薄膜の混晶硬化と秩序構造との相関(格子欠陥・ナノ構造(半導体),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン))