非極性GaN基板上への選択MOVPE成長(窒化物及び混晶半導体デバイス,及び一般)

スポンサーリンク

概要

• 論文の詳細を見る

• (10-10)GaNや(20-21)GaN,(20-2-1)GaNをはじめとする非極性GaN基板上へのGaNの選択MOVPE成長を行い,それによって形成されるファセット構造を明らかにした.SiO_2マスクのストライプ方向によって得られる構造は異なり,[-12-10]方向の場合には,全ての非極性GaN基板において主に(000-1)と(10-11)ファセットで構成される非対称な構造が得られた.一方,[-1014]及び[10-14]方向の場合には,(20-21)GaNでは{11-20}ファセット,(20-2-1)GaNでは(20-2-1)ファセットが大きく出現した.

• 一般社団法人電子情報通信学会の論文
• 2012-11-22

著者

• 平松 和政

  三重大学

• 三宅 秀人

  三重大学工学部電気電子工学科

• 長尾 哲

  三菱化学科学技術研究センター

• 平松 和政

  三重大 工

• Matsushima Hidetada

  Department Of Electronics School Of Engineering Nagoya University

• 神野 大樹

  三重大学

• 岡田 俊祐

  三重大学

• 江夏 悠貴

  三菱化学

• 三宅 秀人

  三重大学

関連論文

• 光関連デバイス-2 III族窒化物半導体の選択成長と発光デバイスへの応用
• 周期溝加工AlN/サファイア上への減圧HVPE法によるAlN成長(窒化物及び混晶半導体デバイス)
• 高Al組成AlGaNの表面特性と深い電子準位(窒化物及び混晶半導体デバイス)
• 次世代固体照明の開発と医療・環境応用に関する研究
• AlN/sapphire上のAlGaNのMOVPE成長と発光特性(窒化物及び混晶半導体デバイス)
• AlN/sapphire上のAlGaNのMOVPE成長と電子線励起による深紫外発光(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
• AlGaNのMOVPE成長における基板の反り制御(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,及び関連技術,及び一般)
• ELOによりWN_x電極を埋込むGaN構造の作製と評価
• 選択成長によるGaNの結晶学的評価
• ナノ構造GaNの高さ・密度制御とその反射防止・透過向上特性(窒化物及び混晶半導体デバイス)
• ナノ構造GaNの高さ・密度制御とその反射防止・透過向上特性(窒化物及び混晶半導体デバイス)
• ナノ構造GaNの高さ・密度制御とその反射防止・透過向上特性(窒化物及び混晶半導体デバイス)
• ナノ構造GaNの高さ・密度制御とその反射防止・透過向上特性
• 減圧HVPE法による周期溝加工AlN/サファイア上へのELO-AlN (レーザ・量子エレクトロニクス)
• 減圧HVPE法による周期溝加工AlN/サファイア上へのELO-AlN (電子部品・材料)
• 減圧HVPE法による周期溝加工AlN/サファイア上へのELO-AlN (電子デバイス)
• 周期溝加工AlN/サファイア上への減圧HVPE法によるAlN成長(窒化物及び混晶半導体デバイス)
• 周期溝加工AlN/サファイア上への減圧HVPE法によるAlN成長(窒化物及び混晶半導体デバイス)
• 高Al組成AlGaNの表面特性と深い電子準位(窒化物及び混晶半導体デバイス)
• AlN/sapphire上のAlGaNのMOVPE成長と発光特性(窒化物及び混晶半導体デバイス)
• 高Al組成AlGaNの表面特性と深い電子準位(窒化物及び混晶半導体デバイス)
• AlN/sapphire上のAlGaNのMOVPE成長と発光特性(窒化物及び混晶半導体デバイス)
• MOVPE法によるr面サファイア上へのa面GaN成長(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
• AlN/sapphire上のAlGaNのMOVPE成長と電子線励起による深紫外発光(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
• MOVPE法によるr面サファイア上へのa面GaN成長(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
• AlN/sapphire上のAlGaNのMOVPE成長と電子線励起による深紫外発光(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
• MOVPE法によるr面サファイア上へのa面GaN成長(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
• 次世代固体照明の開発と医療・環境応用に関する研究
• 加圧HVPE法による高品質GaN結晶成長(進展する窒化物半導体光・電子デバイスの現状,及び一般)
• III族窒化物半導体の低欠陥エピタキシャル成長技術(進展する窒化物半導体光・電子デバイスの現状,及び一般)
• FACELO(ファセット制御ELO)によるGaNの低転位化
• ELOによりWN_x電極を埋込むGaN構造の作製と評価
• FACELO(ファセット制御ELO)によるGaNの低転位化
• ELOによりWN_x電極を埋込むGaN構造の作製と評価
• FACELO(ファセット制御ELO)によるGaNの低転位化
• 30a-S-8 CuInSe_2、CuIn_3Se_5、Cu_2In_4Se_7結晶の光学的評価
• 高Alモル分率AlGaNへのSiドーピングによる影響(結晶成長・特性評価, 窒化物半導体光・電子デバイス・材料, 及び関連技術, 及び一般(窒化物半導体国際ワークショップ))
• 研磨AlN基板を用いたAlGaNの成長と評価(結晶成長・特性評価, 窒化物半導体光・電子デバイス・材料, 及び関連技術, 及び一般(窒化物半導体国際ワークショップ))
• 高Alモル分率AlGaNへのSiドーピングによる影響(結晶成長・特性評価, 窒化物半導体光・電子デバイス・材料, 及び関連技術, 及び一般(窒化物半導体国際ワークショップ))
• 研磨AlN基板を用いたAlGaNの成長と評価(結晶成長・特性評価, 窒化物半導体光・電子デバイス・材料, 及び関連技術, 及び一般(窒化物半導体国際ワークショップ))
• 高Alモル分率AlGaNへのSiドーピングによる影響(結晶成長・特性評価, 窒化物半導体光・電子デバイス・材料, 及び関連技術, 及び一般(窒化物半導体国際ワークショップ))
• 研磨AlN基板を用いたAlGaNの成長と評価(結晶成長・特性評価, 窒化物半導体光・電子デバイス・材料, 及び関連技術, 及び一般(窒化物半導体国際ワークショップ))
• 高Alモル分率AlGaNへのMgドーピング効果(化合物混晶半導体デバイス・材料(含むSiGe,ワイドギャップ半導体),一般)
• 凹凸AlN基板を用いた低転位密度AlGaNのMOVPE成長(化合物混晶半導体デバイス・材料(含むSiGe,ワイドギャップ半導体),一般)
• 高Alモル分率AlGaNへのMgドーピング効果(化合物混晶半導体デバイス・材料(含むSiGe,ワイドギャップ半導体),一般)
• 凹凸AlN基板を用いた低転位密度AlGaNのMOVPE成長(化合物混晶半導体デバイス・材料(含むSiGe,ワイドギャップ半導体),一般)
• 高Alモル分率AlGaNへのMgドーピング効果(化合物混晶半導体デバイス・材料(含むSiGe,ワイドギャップ半導体),一般)
• 凹凸AlN基板を用いた低転位密度AlGaNのMOVPE成長(化合物混晶半導体デバイス・材料(含むSiGe,ワイドギャップ半導体),一般)
• Al_Ga_Nショットキー型紫外線受光素子の作製と受光感度特性(窒化物及び混晶半導体デバイス)
• Al_Ga_Nショットキー型紫外線受光素子の作製と受光感度特性(窒化物及び混晶半導体デバイス)
• Al_Ga_Nショットキー型紫外線受光素子の作製と受光感度特性(窒化物及び混晶半導体デバイス)
• Al_Ga_Nショットキー型紫外線受光素子の作製と受光感度特性
• 高Al組成AlGaNを用いた真空紫外線受光素子の作製とその特性評価(AlN結晶成長シンポジウム)
• 金属EDTA錯体を用いたGaN系青色発光材料の合成(結晶成長評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,その他の電子材料))
• 金属EDTA錯体を用いたGaN系青色発光材料の合成(結晶成長評価及びデバイス(化合物,Si, SiGe,その他の電子材料))
• 金属EDTA錯体を用いたGaN系青色発光材料の合成(結晶成長評価及びデバイス(化合物,Si, SiGe,その他の電子材料))
• 金属EDTA錯体を用いたGaN系青色発光材料の合成
• GaNのHVPE法による厚膜バルク成長 (特集 ナイトライドセラミックスの新展開(1))
• AlN/Sapphire基板を用いた高Al組成AlGaNのMOVPE成長と光学特性(III族窒化物研究の最前線)
• AlN/Sapphire基板を用いた高Al組成AlGaNのMOVPE成長と光学特性(III族窒化物研究の最前線)
• AlN/Sapphire基板を用いた高Al組成AlGaNのMOVPE成長と光学特性(III族窒化物研究の最前線)
• 減圧HVPE法による周期溝加工AlN/サファイア上へのELO-AlN(窒化物及び混晶半導体デバイス)
• SiCを基板に用いた減圧HVPE法によるAlN成長(窒化物及び混晶半導体デバイス)
• 減圧HVPE法による周期溝加工AlN/サファイア上へのELO-AlN(窒化物及び混晶半導体デバイス)
• SiCを基板に用いた減圧HVPE法によるAlN成長(窒化物及び混晶半導体デバイス)
• 減圧HVPE法による周期溝加工AlN/サファイア上へのELO-AlN(窒化物及び混晶半導体デバイス)
• SiCを基板に用いた減圧HVPE法によるAlN成長(窒化物及び混晶半導体デバイス)
• 選択成長によるGaNの結晶学的評価
• 選択成長によるGaNの結晶学的評価
• HVPE法によるAlN厚膜の作製(結晶成長, 評価技術及びデバイス(化合物, Si, SiGe, その他電子材料))
• HVPE法によるAlN厚膜の作製
• HVPE法によるAlN厚膜の作製(結晶成長, 評価技術及びデバイス(化合物, Si, SiGe, その他電子材料))
• HVPE法によるAlN厚膜の作製(結晶成長, 評価技術及びデバイス(化合物, Si, SiGe, その他電子材料))
• バッファ層上にマスクを形成したGaNのELO(結晶成長, 評価技術及びデバイス(化合物, Si, SiGe, その他電子材料))
• バッファ層上にマスクを形成したGaNのELO(結晶成長, 評価技術及びデバイス(化合物, Si, SiGe, その他電子材料))
• バッファ層上にマスクを形成したGaNのELO(結晶成長, 評価技術及びデバイス(化合物, Si, SiGe, その他電子材料))
• カルコパイライト型半導体結晶の溶液成長
• THM法によるカルコパイライト型半導体単結晶の作製
• 第5回窒化物半導体国際会議(ICNS-5)報告
• ワイドバンドギャップ半導体(1)窒化物(第13回結晶成長国際会議(ICCG-13/ICVGE-11))
• GaNエピタキシャル基板の現状と問題点 : バルク成長シンポジウム
• III族窒化物半導体の結晶成長とカソードルミネッセンス評価
• 周期溝加工基板上への減圧HVPE法によるAlN成長と評価(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,及び関連技術,及び一般)
• 周期溝加工基板上への減圧HVPE法によるAlN成長と評価(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,及び関連技術,及び一般)
• 周期溝加工基板上への減圧HVPE法によるAlN成長と評価(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,及び関連技術,及び一般)
• AlGaNのMOVPE成長における基板の反り制御(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,及び関連技術,及び一般)
• AlGaNのMOVPE成長における基板の反り制御(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,及び関連技術,及び一般)
• 有効媒質近似を用いたGaNナノ針状構造の光学モデルの構築
• GaNナノ針状結晶の形成と電界放出(進展する窒化物半導体光・電子デバイスの現状,及び一般)
• GaNナノ針状結晶の形成と電界放出(進展する窒化物半導体光・電子デバイスの現状,及び一般)
• MOVPE法GaN成長におけるボイド形成による基板の反り制御 (シリコン材料・デバイス)
• MOVPE法GaN成長におけるボイド形成による基板の反り制御 (電子部品・材料)
• MOVPE法GaN成長におけるボイド形成による基板の反り制御 (電子デバイス)
• 編集委員会と学会誌の30年間の変遷(第2章 歴史,日本結晶成長学会創立30周年記念)
• a面Sapphire上周期構加工c面AlNを基板に用いた減圧HVPE法による厚膜AlN成長 (シリコン材料・デバイス)
• 非極性GaN基板上への選択MOVPE成長(窒化物及び混晶半導体デバイス,及び一般)
• 非極性GaN基板上への選択MOVPE成長(窒化物及び混晶半導体デバイス,及び一般)
• 非極性GaN基板上への選択MOVPE成長(窒化物及び混晶半導体デバイス,及び一般)
• 非極性GaN基板上への選択MOVPE成長
• 非極性GaN基板上への選択MOVPE成長

もっと見る 閉じる

スポンサーリンク