Al_<0.5>Ga_<0.5>Nショットキー型紫外線受光素子の作製と受光感度特性(窒化物及び混晶半導体デバイス)

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概要

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サファイア上のエピタキシャルAlN基板を用いて、減圧MOVPE法によりAl_<0.5>Ga_<0.5>Nショットキー型紫外線受光素子を作製し、その電気的、光学的特性の評価を行った。 Al_<0.5>Ga_<0.5>Nのバンドギャップに相当する260nm(4.7eV)での立ち上がりがみられた。 ArFに対応する波長193nmでの単位面積当たりの受光感度は、GaN受光素子の16倍と真空紫外領域に高い受光感度があることが確認された。またi-AlGaN層を挿入することにより、暗電流が3桁低減し、受光感度は向上した。以上のことから、高Al組成Al_<0.5>Ga_<0.5>Nショットキー型紫外線受光素子は真空紫外領域での受光に有用である。
2003-09-26

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