30p-E-19 分子研UVSOR の遠赤外領域における偏光特性
スポンサーリンク
概要
著者
関連論文
-
SPring-8 赤外物性ビームライン - BL43IR - の建設
-
22pM-1 SPring-8の赤外物性ビームラインBL43IRの紹介
-
20aYJ-4 マグネリ相Mo_nO_の赤外反射スペクトル
-
17aRF-19 PbI_2:CN^-結晶の高分解能赤外吸収スペクトル
-
22aXC-9 CdX_2:CN^-(X=Cl, Br)におけるCN^-伸縮振動スペクトルの高分解能測定
-
3a-W-14 アルカリハライド結晶に於ける表面CN^-中心の発光
-
26a-X-8 アルカリハライド結晶の固有発光III
-
5a-W-1 アルカリハライド固有発光の寿命 II
-
2a-N-2 アルカリハライド固有発光の寿命
-
5a-A-12 極紫外光照射によるKCI結晶上のCN^-生成(II)
-
31p-H-1 層状結晶SnI_2の光学スペクトル
-
29p-J-3 PbCl_2結晶の励起子状態
-
29p-J-2 CdBr_2-CdI_2混晶に於ける局在励起子発光
-
29a-Q-2 CdX_2(X=Cl,Br)結晶のSTE発光
-
28a-ZD-18 CdBr_2, CdCl_2におけるUV発光
-
26a-ZD-5 アルカリハライド表面CN^-の発光
-
29p-G-2 斜方晶PbCl_2とPbBr_2の偏光反射スペクトル
-
28a-A-11 アルカリハライドのフォノンスペクトルの圧力変化
-
25p-W-11 PbBr_2-PbI_2混晶のVUV域反射スペクトル
-
26p-M-17 IV族Te化合物半導体の光電子分光
-
4p-M-14 アルカリハライドの構造相転移に伴うフォノンスペクトルの変化
-
3a-W-17 P型及びn型半導体SnTeのTe4d内殻吸収
-
2a-P-12 固体ネオンのK吸収スペクトル
-
2a-P-3 CdCl_2-CdBr_2混晶のVUV域反射スペクトル
-
30p-P13 アルカリハライド結晶の構造相転移に伴うフォノンスペクトルの変化
-
30p-E-10 ケイ素高分子のSi-L_吸収
-
5a-A-10 IV族Te化物のVUVスペクトル
-
核融合プラズマ計測センター放射光実験設備の建設 (II) : 一次分光器の評価および較正装置の製作と応用
-
核融合プラズマ計測センター放射光実験設備の建設 (I) : 較正計画の概要とビームライン及び一次分光器の製作
-
28a-Y1-9 核融合プラズマ計測センター放射光実験設備立ち上げ(I)
-
29a-A-8 低温蒸着SnTe薄膜の極端紫外吸収スペクトル
-
23aK-13 AlGaN化合物半導体の真空紫外反射スペクトル
-
28p-B-9 分子研UVSORを用いた黒リンの遠赤外反射スペクトル
-
30p-E-6 CsClにおけるCs5p内殻励起状態の減衰過程
-
24pSB-6 III-V窒化物半導体の真空紫外反射・吸収スペクトル
-
25aC-6 III-V族化合物半導体のK内殻吸収
-
直入射斜入射結合型分光器SGM-TRAINの制作
-
30aXA-13 微小領域でのSRとレーザー組み合わせ実験のためのビームライン改造
-
22aM-2 スピンクロスオーバー錯体の光電子分光
-
昭和 60 年度プラズマ研究所共同研究会「真空紫外・軟 X 線領域での測光機器較正法の研究」プログラム
-
17aRF-12 MgAl_2O_4に於けるTb^の電子状態に関する研究
-
17aRF-3 PbCl_2:Sn^結晶における緩和発光の温度依存性
-
28a-YE-12 CdBr_2基板上CdI_2薄膜の吸収スペクトル
-
31p-YN-7 低温蒸着CdI_2薄膜の発光スペクトル
-
2a-F-8 PbCl_2結晶の緩和励起子
-
29p-J-12 CdBr_2結晶における濃度消光
-
28p-J-7 CdBr_2基坂上に蒸着したCdI_2薄膜のアニール効果
-
1p-P-8 CdI_2-CdBr_2多層膜の作成と光吸収
-
28p-F-12 低温蒸着 CdX_2 (X=1, Br) 薄膜に対するアニール効果
-
透明ショットキー電極を用いたGaN紫外線フォトダイオードの受光特性と電気的特性
-
透明ショットキー電極を有するGaN系紫外線受光素子の特性評価(III族窒化物研究の最前線)
-
透明ショットキー電極を有するGaN系紫外線受光素子の特性評価(III族窒化物研究の最前線)
-
透明ショットキー電極を有するGaN系紫外線受光素子の特性評価(III族窒化物研究の最前線)
-
ショットキー型GaN系紫外線受光素子の真空紫外域での受光特性評価
-
ショットキー型GaN系紫外線受光素子の真空紫外域での受光特性評価
-
30p-E-19 分子研UVSOR の遠赤外領域における偏光特性
-
テラヘルツ領域時間領域分光計の改造
-
InNにおける顕微赤外反射スペクトル
-
遠赤外〜近赤外領域における歯の分光イメージ計測
-
InN薄膜結晶の赤外反射スペクトル
-
28pXQ-10 AlGaNおよびInAlGaN系における紫外発光(励起子ポラリトン・緩和励起子)(領域5)
-
テラヘルツ時間領域分光装置の評価
-
真空紫外及び軟X線用光学フィルタとGaNショットキー型紫外線受光素子の特性評価(窒化物及び混晶半導体デバイス)
-
Al_Ga_Nショットキー型紫外線受光素子の作製と受光感度特性(窒化物及び混晶半導体デバイス)
-
真空紫外及び軟X線用光学フィルタとGaNショットキー型紫外線受光素子の特性評価(窒化物及び混晶半導体デバイス)
-
Al_Ga_Nショットキー型紫外線受光素子の作製と受光感度特性(窒化物及び混晶半導体デバイス)
-
真空紫外及び軟X線用光学フィルタとGaNショットキー型紫外線受光素子の特性評価(窒化物及び混晶半導体デバイス)
-
Al_Ga_Nショットキー型紫外線受光素子の作製と受光感度特性(窒化物及び混晶半導体デバイス)
-
真空紫外及び軟X線用光学フィルタとGaNショットキー型紫外線受光素子の特性評価
-
Al_Ga_Nショットキー型紫外線受光素子の作製と受光感度特性
-
高Al組成AlGaNを用いた真空紫外線受光素子の作製とその特性評価(AlN結晶成長シンポジウム)
-
29p-H-11 アモルファスGeSe, GeTeの局所構造と電子状態
-
Si-diodeによる極端紫外光の検出 : 光
-
6p-C3-8 アンジュレータ光照射によるKC1の着色II
-
6p-C3-6 アルカリ塩化物結晶の短寿命発光
-
6p-C3-4 Cdハライド結晶内殻励起子領域の偏光反射スペクトル
-
1a-BB-6 UVSORストレンジリングの現状
-
1p-NE-8 分子研極端紫外光源(UVSOR)用ストレージリングの全体設計II
-
1p-NE-7 分子研極端紫外光源(UVSOR)用ストレージリングの全体設計I
-
30a-HC-6 分子研極端紫外光源(UVSOR) : 入射用シンクロトロンの全体設計
-
31p-TB-2 GaP,GaAs,GaSbのGa-L吸収端構造
-
6p-C3-3 Ge L-edgeスペクトル
-
3a-C3-2 UVSOR単バンチ運転によるSTE発光寿命の測定II : 局在励起子発光
-
3a-C3-1 UVSOR単バンチ運転によるSTE発光寿命の測定I : 固有発光
-
6a-B-2 アルカリハライド タリウムの母体励起による発光
-
30p-E-13 Cdハライド結晶における4d (Cd) 内殻励起子
-
30a-E-20 斜方晶Inハライド結晶の反射スペクトルII : InI
-
テラヘルツ時間領域分光法を用いた腫瘍の病理診断への応用
-
NaCl-NaBr系混晶の基礎吸収 : イオン結晶, 光物性
-
3p-L-13 KCl-KBr系混晶の基礎吸収(II)
-
V. V. Nemoshkalenko and V. G. Aleshin著, I. Curelaru訳, S. Lundqvist and P. -O. Nilsson編: Electron Spectroscopy of Crystals, Plenum Press, New York and London, 1979, xiv+360ページ, 23.5×16cm, $49.50 (Physics of Solids and Liquids).
-
テラヘルツ時間領域分光法によるアスパラギン一水和物の脱水和過程の研究 (平成23年度福井大学遠赤外領域開発研究センター研究成果報告書)
-
テラヘルツ波透過測定による医薬品錠剤の識別
-
テラヘルツ時間領域分光法によるアスパラギン一水和物の脱水和過程の研究
-
分子動力学法による法話炭化水素のテラヘルツ誘電応答の微視的起源
-
弱い水素結合に起因するテラヘルツ誘電応答の研究
-
27p-LE-12 低温蒸着SnTe薄膜の極端紫外吸収スペクトル(II)(半導体)
-
31p-B2-6 アンジュレーター光照射によるKCI結晶の着色と発光(イオン結晶・光物性(SOR VUV))
-
31a-J-6 GeTe薄膜の極端紫外吸収スペクトル(31aJ イオン結晶・光物性(SOR,VUV))
-
29a-TE-12 極端紫外光照射によるKCl結晶上のCN^-生成(29aTE イオン結晶・光物性(局在中心))
もっと見る
閉じる
スポンサーリンク