真空紫外及び軟X線用光学フィルタとGaNショットキー型紫外線受光素子の特性評価(窒化物及び混晶半導体デバイス)
スポンサーリンク
概要
- 論文の詳細を見る
真空紫外から軟X線領域の光(12.4〜50 nm、25〜100 ev)に対して、自立薄膜フィルタの透過特性とGaNショットキー型紫外線受光素子の受光特性を評価した。 Ti、Ti/Al/Ti、SiN薄膜をフィルタとして用いることで、分光器の回折格子からの高次光を抑制することができた。また、Ti/Auメンブレンの透過率から計算したショットキー電極Ni/Auの透過率は、この波長領域で約50〜70%であり光を十分透過することがわかった。このようなフィルタと透明電極を用いて受光感度を測定したところ、真空紫外領域(30〜50 nm)で約0.01A/W、軟X線では特に13 nmで約0.05A/Wの受光感度が得られた。
- 2003-09-26
著者
-
福井 一俊
福井大学遠赤外領域開発センター
-
福井 一俊
福井大fir
-
平松 和政
三重大学工学部電気電子工学科
-
元垣内 敦司
三重大学工学部電気電子工学科
-
平松 和政
三重大 工
-
只友 一行
三菱電線工業
-
渡辺 博信
三重大学工学部
-
濱村 寛
株式会社ニコン精機カンパニー
-
濱村 寛
(株)ニコン精機カンパニー
-
元垣内 敦司
Graduate School Of Electronic Science And Technology Shizuoka University
-
渡邉 博信
三重大学工学部
-
只友 一行
三菱電線工業株式会社フォトニクス研究所
-
平松 和政
三重大学工学部電子電気工学科
関連論文
- SPring-8 赤外物性ビームライン - BL43IR - の建設
- 22pM-1 SPring-8の赤外物性ビームラインBL43IRの紹介
- 20aYJ-4 マグネリ相Mo_nO_の赤外反射スペクトル
- 24aZC-5 アミノ酸蒸着膜のVUV吸収スペクトル測定
- 高Al組成AlGaNの表面特性と深い電子準位(窒化物及び混晶半導体デバイス)
- 17aRF-19 PbI_2:CN^-結晶の高分解能赤外吸収スペクトル
- 22aXC-9 CdX_2:CN^-(X=Cl, Br)におけるCN^-伸縮振動スペクトルの高分解能測定
- 3a-W-14 アルカリハライド結晶に於ける表面CN^-中心の発光
- 26a-X-8 アルカリハライド結晶の固有発光III
- 5a-W-1 アルカリハライド固有発光の寿命 II
- 2a-N-2 アルカリハライド固有発光の寿命
- 5a-A-12 極紫外光照射によるKCI結晶上のCN^-生成(II)
- 31p-H-1 層状結晶SnI_2の光学スペクトル
- 29p-J-3 PbCl_2結晶の励起子状態
- 29p-J-2 CdBr_2-CdI_2混晶に於ける局在励起子発光
- 29a-Q-2 CdX_2(X=Cl,Br)結晶のSTE発光
- 28a-ZD-18 CdBr_2, CdCl_2におけるUV発光
- 26a-ZD-5 アルカリハライド表面CN^-の発光
- 29p-G-2 斜方晶PbCl_2とPbBr_2の偏光反射スペクトル
- 25p-W-11 PbBr_2-PbI_2混晶のVUV域反射スペクトル
- 3a-W-17 P型及びn型半導体SnTeのTe4d内殻吸収
- 2a-P-12 固体ネオンのK吸収スペクトル
- 2a-P-3 CdCl_2-CdBr_2混晶のVUV域反射スペクトル
- 30p-E-10 ケイ素高分子のSi-L_吸収
- 5a-A-10 IV族Te化物のVUVスペクトル
- 核融合プラズマ計測センター放射光実験設備の建設 (II) : 一次分光器の評価および較正装置の製作と応用
- 核融合プラズマ計測センター放射光実験設備の建設 (I) : 較正計画の概要とビームライン及び一次分光器の製作
- 28a-Y1-9 核融合プラズマ計測センター放射光実験設備立ち上げ(I)
- 23aK-13 AlGaN化合物半導体の真空紫外反射スペクトル
- AlN/sapphire上のAlGaNのMOVPE成長と電子線励起による深紫外発光(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
- AlGaNのMOVPE成長における基板の反り制御(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,及び関連技術,及び一般)
- 24pSB-6 III-V窒化物半導体の真空紫外反射・吸収スペクトル
- 25aC-6 III-V族化合物半導体のK内殻吸収
- 直入射斜入射結合型分光器SGM-TRAINの制作
- ELOによりWN_x電極を埋込むGaN構造の作製と評価
- AlGaN中間層を用いてSi上に選択成長したGaNピラミッドのTEM観察
- 選択成長によるGaNの結晶学的評価
- 有機金属気相法で作製したInGaN厚膜の成長過程のTEM観察 : 組成不均一の発生(III族窒化物半導体の結晶成長はどこまで進んだか)
- ナノ構造GaNの高さ・密度制御とその反射防止・透過向上特性(窒化物及び混晶半導体デバイス)
- ナノ構造GaNの高さ・密度制御とその反射防止・透過向上特性(窒化物及び混晶半導体デバイス)
- ナノ構造GaNの高さ・密度制御とその反射防止・透過向上特性(窒化物及び混晶半導体デバイス)
- ナノ構造GaNの高さ・密度制御とその反射防止・透過向上特性
- 高Al組成AlGaNの表面特性と深い電子準位(窒化物及び混晶半導体デバイス)
- 高Al組成AlGaNの表面特性と深い電子準位(窒化物及び混晶半導体デバイス)
- MOVPE法によるr面サファイア上へのa面GaN成長(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
- AlN/sapphire上のAlGaNのMOVPE成長と電子線励起による深紫外発光(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
- MOVPE法によるr面サファイア上へのa面GaN成長(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
- AlN/sapphire上のAlGaNのMOVPE成長と電子線励起による深紫外発光(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
- MOVPE法によるr面サファイア上へのa面GaN成長(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
- 加圧HVPE法による高品質GaN結晶成長(進展する窒化物半導体光・電子デバイスの現状,及び一般)
- III族窒化物半導体の低欠陥エピタキシャル成長技術(進展する窒化物半導体光・電子デバイスの現状,及び一般)
- FACELO(ファセット制御ELO)によるGaNの低転位化
- ELOによりWN_x電極を埋込むGaN構造の作製と評価
- FACELO(ファセット制御ELO)によるGaNの低転位化
- ELOによりWN_x電極を埋込むGaN構造の作製と評価
- FACELO(ファセット制御ELO)によるGaNの低転位化
- 17aRF-12 MgAl_2O_4に於けるTb^の電子状態に関する研究
- 17aRF-3 PbCl_2:Sn^結晶における緩和発光の温度依存性
- 28a-YE-12 CdBr_2基板上CdI_2薄膜の吸収スペクトル
- 31p-YN-7 低温蒸着CdI_2薄膜の発光スペクトル
- 2a-F-8 PbCl_2結晶の緩和励起子
- 29p-J-12 CdBr_2結晶における濃度消光
- 28p-J-7 CdBr_2基坂上に蒸着したCdI_2薄膜のアニール効果
- 1p-P-8 CdI_2-CdBr_2多層膜の作成と光吸収
- 28p-F-12 低温蒸着 CdX_2 (X=1, Br) 薄膜に対するアニール効果
- 透明ショットキー電極を用いたGaN紫外線フォトダイオードの受光特性と電気的特性
- 透明ショットキー電極を有するGaN系紫外線受光素子の特性評価(III族窒化物研究の最前線)
- 透明ショットキー電極を有するGaN系紫外線受光素子の特性評価(III族窒化物研究の最前線)
- 透明ショットキー電極を有するGaN系紫外線受光素子の特性評価(III族窒化物研究の最前線)
- ショットキー型GaN系紫外線受光素子の真空紫外域での受光特性評価
- ショットキー型GaN系紫外線受光素子の真空紫外域での受光特性評価
- 30p-E-19 分子研UVSOR の遠赤外領域における偏光特性
- テラヘルツ領域時間領域分光計の改造
- InNにおける顕微赤外反射スペクトル
- 遠赤外〜近赤外領域における歯の分光イメージ計測
- InN薄膜結晶の赤外反射スペクトル
- 28pXQ-10 AlGaNおよびInAlGaN系における紫外発光(励起子ポラリトン・緩和励起子)(領域5)
- テラヘルツ時間領域分光装置の評価
- 真空紫外及び軟X線用光学フィルタとGaNショットキー型紫外線受光素子の特性評価(窒化物及び混晶半導体デバイス)
- Al_Ga_Nショットキー型紫外線受光素子の作製と受光感度特性(窒化物及び混晶半導体デバイス)
- 真空紫外及び軟X線用光学フィルタとGaNショットキー型紫外線受光素子の特性評価(窒化物及び混晶半導体デバイス)
- Al_Ga_Nショットキー型紫外線受光素子の作製と受光感度特性(窒化物及び混晶半導体デバイス)
- 真空紫外及び軟X線用光学フィルタとGaNショットキー型紫外線受光素子の特性評価(窒化物及び混晶半導体デバイス)
- Al_Ga_Nショットキー型紫外線受光素子の作製と受光感度特性(窒化物及び混晶半導体デバイス)
- 真空紫外及び軟X線用光学フィルタとGaNショットキー型紫外線受光素子の特性評価
- Al_Ga_Nショットキー型紫外線受光素子の作製と受光感度特性
- 23aTA-8 InAlGaN 混晶系における内殻励起による可視・紫外発光
- 高Al組成AlGaNを用いた真空紫外線受光素子の作製とその特性評価(AlN結晶成長シンポジウム)
- 6p-C3-8 アンジュレータ光照射によるKC1の着色II
- 6p-C3-6 アルカリ塩化物結晶の短寿命発光
- 6p-C3-4 Cdハライド結晶内殻励起子領域の偏光反射スペクトル
- 31p-TB-2 GaP,GaAs,GaSbのGa-L吸収端構造
- 5a-A-9 Ge L-edgeスペクトル II
- 6p-C3-3 Ge L-edgeスペクトル
- テラヘルツ時間領域分光法を用いた腫瘍の病理診断への応用
- テラヘルツ時間領域分光法によるアスパラギン一水和物の脱水和過程の研究 (平成23年度福井大学遠赤外領域開発研究センター研究成果報告書)
- テラヘルツ波透過測定による医薬品錠剤の識別
- テラヘルツ時間領域分光法によるアスパラギン一水和物の脱水和過程の研究
- 分子動力学法による法話炭化水素のテラヘルツ誘電応答の微視的起源
- 弱い水素結合に起因するテラヘルツ誘電応答の研究