透明ショットキー電極を用いたGaN紫外線フォトダイオードの受光特性と電気的特性
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概要
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透明ショットキー電極構造を有する紫外線受光素子について、ショットキー電極を窒素雰囲気中でアニールしたときの電気的特性及び受光特性に与える効果について検討した。I-V特性の結果からアニールを施した素子は、アニールをしなかった素子に比べ暗電流を約2桁減少させることが明らかになった。また、バイアス印加時の受光感度特性から2V以下の逆バイアス電圧下では良好な受光特性を得ることが可能になった。この結果はI-V特性から求めた光電流と暗電流比の逆バイアス依存性より、小さい逆バイアス電圧下では大きな光電流と暗電流比が得られるためである。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2002-08-23
著者
-
福井 一俊
福井大学遠赤外領域開発センター
-
福井 一俊
福井大fir
-
太田 慶一
三重大学工学部
-
平松 和政
三重大学工学部電気電子工学科
-
元垣内 敦司
三重大学工学部電気電子工学科
-
平松 和政
三重大 工
-
只友 一行
三菱電線工業
-
渡辺 博信
三重大学工学部
-
大内 洋一郎
三菱電線工業株式会社フォトニクス研究所
-
濱村 寛
株式会社ニコン精機カンパニー
-
濱村 寛
(株)ニコン精機カンパニー
-
元垣内 敦司
Graduate School Of Electronic Science And Technology Shizuoka University
-
只友 一行
三菱電線工業株式会社フォトニクス研究所
-
平松 和政
三重大学工学部電子電気工学科
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