AlGaN中間層を用いてSi上に選択成長したGaNピラミッドのTEM観察
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概要
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- 2000-05-01
著者
-
山田 和弘
名古屋大学理学部数学科
-
澤木 宣彦
名古屋大学大学院工学研究科
-
平松 和政
三重大学工学部電気電子工学科
-
川口 靖利
名大・工
-
日比野 倫夫
名大理工総研
-
田中 成泰
名古屋大学大学院工学研究科電子工学専攻
-
川口 靖利
名古屋大学大学院工学研究科電子工学専攻
-
日比野 倫夫
名古屋大学理工学総合研究センター
-
日比野 倫夫
名古屋大学理工科学総合研究センター
-
平松 和政
三重大 工
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山田 和弘
名古屋大学大学院工学研究科電子工学専攻
-
澤木 宣彦
名古屋大学
-
山田 和弘
名古屋大学大学院工学研究科
-
田中 成泰
名古屋大学大学院工学研究科
-
平松 和政
三重大学工学部電子電気工学科
-
平松 和政
三重大
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