21世紀の科学技術のための大学評価に

スポンサーリンク

概要

• 論文の詳細を見る
• 2007-07-20

著者

• 澤木 宣彦

  名古屋大学大学院工学研究科

• 澤木 宣彦

  名古屋大学

• 澤木 宣彦

  名古屋大学大学院

関連論文

• Si基板上でのGaNマイクロファセット上へのInGaN/GaN選択MOVPE成長(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,及び関連技術,及び一般)
• 青色発光ダイオードを求めて
• 導波路結合型三重量子ディスク構造における光制御(化合物半導体プロセス・デバイス・一般)
• 量子ディスクと導波路結合構造における励起子ポラリトンの光学的共鳴(結晶成長, 評価技術及びデバイス(化合物, Si, SiGe, その他電子材料))
• AlGaN中間層を用いて作製したSi上選択成長GaNのTEM観察 : エピタキシャル成長II
• ELOによりWN_x電極を埋込むGaN構造の作製と評価
• AlGaN中間層を用いてSi上に選択成長したGaNピラミッドのTEM観察
• 横方向エピ成長(ELO)させたGaN薄膜の微細組織
• 選択成長によるGaNの結晶学的評価
• タングステンマスクを用いたGaN選択成長 : 気相成長IV
• 有機金属気相法で作製したInGaN厚膜の成長過程のTEM観察 : 組成不均一の発生(III族窒化物半導体の結晶成長はどこまで進んだか)
• MBE-VLS法を用いた(111)Si基板上へのGaAsナノワイヤ成長(機能ナノデバイスとおよび関連技術)
• (001)Si傾斜基板上(1-101)GaNへのSiおよびCドーピング(結晶成長, 評価技術及びデバイス(化合物, Si, SiGe, その他電子材料))
• MOVPE法によるSi基板上へのGaN/AlNピラミッド構造の作製(結晶成長評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,その他の電子材料))
• パターン基板上MBE成長による結合量子ディスクの作製(量子効果デバイス及び関連技術)
• 21世紀の科学技術のための大学評価に
• メソスコピックディスクにおける電子の伝導と散乱((2)メゾスコピック系における量子カオスと量子輸送,量子カオス:理論と実験の現状,研究会報告)
• メソスコピックディスクにおける電子の伝導と散乱((2)メゾスコピック系における量子カオスと量子輸送,京大基研短期研究会「量子カオス : 理論と実験の現状」,研究会報告)
• GaN ELO結晶上微小ショットキー接合の電気特性評価
• ELOによりWN_x電極を埋込むGaN構造の作製と評価
• ELOによりWN_x電極を埋込むGaN構造の作製と評価
• MOVPE法によるサブミクロンパターンへのGaN選択成長
• HVPE法による選択成長を用いた高品質GaNバルク単結晶の作製及び評価
• MOVPE法によるサブミクロンパターンへのGaN選択成長
• HVPE法による選択成長を用いた高品質GaNバルク単結晶の作製及び評価
• MOVPE法によるInGaNの結晶成長とその評価
• MOVPE法によるInGaNの結晶成長とその評価
• MOVPE 法によるInGaN の結晶成長 : エピタキシー I
• MOVPE法によるInGaNの結晶成長及び評価
• 高温下におけるGaN薄膜の熱分解過程
• 「高度総合工学創造実験」による創造性教育の実践
• 量子ディスクと導波路結合構造における励起子ポラリトンの光学的共鳴(結晶成長, 評価技術及びデバイス(化合物, Si, SiGe, その他電子材料))
• 量子ディスクと導波路結合構造における励起子ポラリトンの光学的共鳴(結晶成長, 評価技術及びデバイス(化合物, Si, SiGe, その他電子材料))
• 結合量子井戸光変調
• Siを原子層ドープしたGaAsのラマン散乱 : δドープ層固有の格子振動モードに関して
• MBE成長したSi高濃度δドープGaAsのC-Vプロファイル
• MBE-VLS法を用いた(111)Si基板上へのGaAsナノワイヤ成長(機能ナノデバイスとおよび関連技術)
• Si基板上でのGaNマイクロファセット上へのInGaN/GaN選択MOVPE成長(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,及び関連技術,及び一般)
• Si基板上でのGaNマイクロファセット上へのInGaN/GaN選択MOVPE成長(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,及び関連技術,及び一般)
• (001)Si傾斜基板上(1-101)GaNへのSiおよびCドーピング(結晶成長, 評価技術及びデバイス(化合物, Si, SiGe, その他電子材料))
• (001)Si傾斜基板上(1-101)GaNへのSiおよびCドーピング(結晶成長, 評価技術及びデバイス(化合物, Si, SiGe, その他電子材料))
• MOVPE法によるSi基板上へのGaN/AlNピラミッド構造の作製(結晶成長評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,その他の電子材料))
• MOVPE法によるSi基板上へのGaN/AlNピラミッド構造の作製(結晶成長評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,その他の電子材料))
• Si基板上へのGaN/AlGaNストライプ構造のMOVPE成長と光学特性(進展する窒化物半導体光・電子デバイスの現状,及び一般)
• Si基板上へのGaN/AlGaNストライプ構造のMOVPE成長と光学特性(進展する窒化物半導体光・電子デバイスの現状、及び一般)
• Si基板上へのGaN/AlGaNピラミッド列のMOVPE成長(進展する窒化物半導体光・電子デバイスの現状、及び一般)
• (001)si傾斜基板上への(1-101)GaNの結晶成長(III族窒化物研究の最前線)
• 選択成長法による(111)Si基板上へのクラックフリーGaN結晶の作製(III族窒化物研究の最前線)
• (001)Si傾斜基板上への(1-101)GaNの結晶成長(III族窒化物研究の最前線)
• 選択成長法による(111)Si基板上へのクラックフリーGaN結晶の作製(III族窒化物研究の最前線)
• (001)Si傾斜基板上への(1-101)GaNの結晶成長(III族窒化物研究の最前線)
• 選択成長によるGaNの結晶学的評価
• 選択成長によるGaNの結晶学的評価
• パターン基板上MBE成長による結合量子ディスクの作製(量子効果デバイス及び関連技術)
• 三重量子井戸構造による光非線形性とその高速応答
• 赤崎勇先生平成16年度文化功労者に : 窒化物半導体単結晶と青色発光素子の生みの親
• 企業人の指導による創造性育成工学実験の試み
• MBE法によるパターン基板上へのGaAs/AlGaAs量子井戸構造の作製(結晶成長評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,その他の電子材料))
• MBE法によるパターン基板上へのGaAs/AlGaAs量子井戸構造の作製(結晶成長評価およびデバイス(化合物, Si, SiGe, その他の電子材料))
• MBE法によるパターン基板上へのGaAs/AlGaAs量子井戸構造の作製(結晶成長評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,その他の電子材料))
• 選択成長法による(111)Si基板上へのクラックフリーGaN結晶の作製(III族窒化物研究の最前線)
• 選択成長法によるシリコン基板上へのGaNドット列の作製
• 選択成長法によるシリコン基板上へのGaNドット列の作製
• MOVPE選択成長法による(111)シリコン基板上への六法晶GaN微細構造の作製と制御
• MOVPE選択成長法による(111)シリコン基板上への六方晶GaN微細構造の作製と制御
• 赤崎勇先生の平成23年度文化勲章受章を祝して
• 企業人の指導による創造性育成工学実験の試み

もっと見る 閉じる

スポンサーリンク