(001)Si傾斜基板上(1-101)GaNへのSiおよびCドーピング(結晶成長, 評価技術及びデバイス(化合物, Si, SiGe, その他電子材料))
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概要
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(001)Si傾斜基板上への常圧選択MOVPE成長法により、(1-101)面を表面とするGaNが作製できる。この方法で得られるGaN(1-101)面は窒素面となり、ガリウムを最表面とする(0001)面とは、成長モードや不純物の取り込みが異なると予想される。実際、この(1-101)GaNはノンドーピングでp型伝導性を示した。この試料にSiドーピングを行った結果、p型伝導からn型伝導へと変化した。一方、Cドーピングでは試料はすべてp型伝導を示し、ドーピングによる正孔濃度の増加が確認された。これは(1-101)面においてSiはドナー不純物、Cはアクセプター不純物として働くことを示唆しており、p型伝導はCの窒素原子との置換によるものであると考えられる。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2005-05-20
著者
-
本田 善央
名古屋大学
-
澤木 宣彦
名古屋大学大学院工学研究科
-
山口 雅史
名古屋大学、大学院工学研究科・赤崎記念研究センター
-
澤木 宣彦
愛知工業大学工学部電気学科電気工学専攻
-
山口 雅史
名古屋大学工学研究科電子情報システム専攻
-
彦坂 年輝
名古屋大学工学研究科
-
小出 典克
名古屋大学工学研究科
-
山口 雅史
名古屋大学工学研究科
-
本田 善央
名古屋大学工学研究科
-
澤木 宣彦
名古屋大学
-
小出 典克
名古屋大学工学部電子工学科
-
山口 雅史
名古屋大学
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