GaN系HFETsの電流コラプスの測定 : 非極性a面GaN基板上HFET及びc-GaN基板上p-GaNゲートを用いたノーマリーオフ型JHFET

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概要

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• 2011-05-12

著者

• 岩谷 素顕

  名城大学理工学研究科

• 森 勇介

  大阪大学大学院工学研究科

• 本田 善央

  名古屋大学

• 岩谷 素顕

  名城大学大学院理工学研究科

• 上山 智

  名城大学大学院理工学研究科

• 赤崎 勇

  名城大学大学院理工学研究科

• 山口 雅史

  名古屋大学工学研究科電子情報システム専攻

• 北岡 康夫

  大阪大学大学院 工学研究科

• 山口 雅史

  名古屋大学

• 今出 完

  大阪大学大学院工学研究科

• 杉山 貴之

  名古屋大学大学院工学研究科・赤崎記念研究センター

• 磯部 康裕

  名城大学大学院理工学研究科

• 押村 吉徳

  名城大学大学院理工学研究科

• 竹内 哲也

  名城大学大学院理工学研究科

• 天野 浩

  名古屋大学大学院工学研究科赤崎記念研究センター

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